技术特征：
技术总结
本发明公开了一种稳定性增强的高输出功率射频功率放大器，包括一号CMOS晶体管、二号CMOS晶体管、三号CMOS晶体管、四号CMOS晶体管，一号CMOS晶体管和三号CMOS晶体管处于同一支路，二号CMOS晶体管和四号CMOS晶体管处于同一支路，一号CMOS晶体管和二号CMOS晶体管均为共源结构，三号CMOS晶体管和四号CMOS晶体管均为共栅结构，三号CMOS晶体管源极和四号CMOS晶体管漏极之间连接一号交叉耦合电容，三号CMOS晶体管漏极和四号CMOS晶体管源极之间连接二号交叉耦合电容。本发明能够在实现高的输出功率下保证射频功率放大器的稳定，不需要额外的稳定措施，降低成本。
技术研发人员：马建国;张蕾;傅海鹏
受保护的技术使用者：天津大学
技术研发日：2018.09.16
技术公布日：2019.03.01