1.一种锁存器，其特征在于，包括：
第一负载，其第一端耦接第一端口；
第二负载，其第一端耦接所述第一端口；
第一驱动电路，所述第一驱动电路的控制端耦接所述第一负载的第二端，所述第一驱动电路的第一端耦接所述第二负载的第二端，所述第一驱动电路的第二端耦接第二端口；
第二驱动电路，所述第二驱动电路的控制端耦接所述第二负载的第二端，所述第二驱动电路的第一端耦接所述第一负载的第二端，所述第二驱动电路的第二端耦接所述第二端口。
2.根据权利要求1所述的锁存器，其特征在于，所述第一负载和/或第二负载为电阻。
3.根据权利要求1所述的锁存器，其特征在于，所述第一驱动电路包括：第一晶体管，所述第一晶体管的控制端作为所述第一驱动电路的控制端，所述第一晶体管的第一端作为所述第一驱动电路的第一端，所述第一晶体管的第二端作为所述第一驱动电路的第二端；
所述第二驱动电路包括：第二晶体管，所述第二晶体管的控制端作为所述第二驱动电路的控制端，所述第二晶体管的第一端作为所述第二驱动电路的第一端，所述第二晶体管的第二端作为所述第二驱动电路的第二端。
4.根据权利要求3所述的锁存器，其特征在于，所述第一晶体管和第二晶体管为N型MOSFET；
所述第一端口为电源端口，所述电源端口适于接入电源电压；
所述第一晶体管的栅极连接所述第一负载的第二端，所述第一晶体管的漏极连接所述第二负载的第二端，所述第一晶体管的源极连接所述第二端口；
所述第二晶体管的栅极连接所述第二负载的第二端，所述第二晶体管的漏极连接所述第一负载的第二端，所述第二晶体管的源极连接所述第二端口。
5.根据权利要求3所述的锁存器，其特征在于，所述第一晶体管和第二晶体管为双极性晶体管；
所述第一端口为电源端口，所述电源端口适于接入电源电压；
所述第一晶体管的基极连接所述第一负载的第二端，所述第一晶体管的集电极连接所述第二负载的第二端，所述第一晶体管的发射极连接所述第二端口；
所述第二晶体管的基极连接所述第二负载的第二端，所述第二晶体管的集电极连接所述第一负载的第二端，所述第二晶体管的发射极连接所述第二端口。
6.根据权利要求4或5所述的锁存器，其特征在于，所述第二端口耦接电流源的输出端。
7.根据权利要求3所述的锁存器，其特征在于，所述第一晶体管和第二晶体管为P型MOSFET；
所述第一端口直接或者间接地耦接参考地；
所述第一晶体管的栅极连接所述第一负载的第二端，所述第一晶体管的漏极连接所述第二负载的第二端，所述第一晶体管的源极连接所述第二端口；
所述第二晶体管的栅极连接所述第二负载的第二端，所述第二晶体管的漏极连接所述第一负载的第二端，所述第二晶体管的源极连接所述第二端口。
8.根据权利要求7所述的锁存器，其特征在于，所述第二端口耦接电流源的输出端。
9.根据权利要求1至5、7、8中任一项所述的锁存器，其特征在于，所述第一负载和第二负载的电参数相同或不同，所述第一驱动电路和第二驱动电路的电参数相同或不同。
10.一种隔离电路，其特征在于，包括权利要求1至9任一项所述的锁存器。
11.根据权利要求10所述的隔离电路，其特征在于，还包括：主隔离电容器、分压电容器和放大器；其中，
所述主隔离电容器的第一端耦接所述隔离电路的输入端，所述主隔离电容器的第二端耦接所述分压电容器的第一端和所述第一驱动电路的控制端；
所述分压电容器的第二端耦接接地端；
所述第二驱动电路的控制端耦接所述放大器的输入端；
所述放大器的输出端耦接所述隔离电路的输出端。