一种防止芯片输入电压过高的LED电源的制作方法

本实用新型涉及电源技术领域，尤其是一种防止芯片输入电压过高的LED电源。

背景技术：

随着LED行业的发展，诸如面光源等LED技术逐步成熟，其广泛应用于汽车、医疗、农业、光通信等多个行业，已逐渐成为世界范围内的主流照明技术。LED的使用过程中，其驱动电源是LED稳定工作的保障，因此，主流的LED行业十分看重LED电源的技术发展。

现有的LED电源，控制开关MOS管的控制芯片依赖于变压器辅助绕组提供的启动电压而开启工作，如果电路出现异常，辅助绕组提供的电压过大，很容易将芯片烧毁，因此，有必要提供一种保护措施，防止芯片输入电压过大。

技术实现要素：

本实用新型提供一种防止芯片输入电压过高的LED电源，在输入电压过高时，将输入电压接地，以保护芯片，增强电路的安全性。

本实用新型提供一种防止芯片输入电压过高的LED电源，包括顺次相连的整流电路、滤波电路、控制电路、变压器和输出电路，所述整流电路的输入端用于接市电；所述控制电路包括芯片SP5808F，所述变压器的输入端具有主级绕组和辅助绕组；所述主级绕组的正向输入端接滤波电路输出端，所述主级绕组的负向输入端接MOS管源极，MOS管栅极接芯片SP5808F的5脚，MOS管漏极、电阻R5和接地端顺次相连；辅助绕组的正向输入端、电阻R2和二极管D2正极顺次相连，二极管D2负极接芯片SP5808F的6脚，电容C2的两端分别接芯片SP5808F的6脚和接地端；芯片SP5808F的5脚、电阻R3和PNP型三极管Q2的基极顺次相连，芯片SP5808F的6脚、齐纳二极管D3和三极管Q2的发射极顺次相连，三极管Q2的集电极、电阻R4和MOS管漏极顺次相连。

优选的，所述主级绕组的正向输入端和负向输入端之间还接有MOS管保护电路，所述MOS管保护电路包括电容C1、电阻R1和二极管D1，二极管D1正极接主级绕组的负向输入端，二极管D1负极、电容C1和主级绕组的正向输入端顺次相连，电阻R1的两端分别接主级绕组的正向输入端和二极管D1负极。

优选的，还包括反馈电路，所述反馈电路包括光电耦合器，所述输出电路的正向输出端、电阻R6和光电耦合器的正向输入端顺次相连，光电耦合器的正向输出端接芯片SP5808F的2脚。

优选的，所述整流电路为桥式整流电路。

优选的，所述滤波电路包括滤波电容，所述滤波电容的两端分别接整流电路的输出端和接地端。

优选的，所述输出电路包括二极管D4和电容C3，所述二极管D4正极接变压器正向输出端，二极管D4负极接输出电路正向输出端，电容C3的两端均分别接输出电路正向输出端和负向输出端。

本实用新型中，在系统工作的初始阶段，辅助绕组上的电压通过二极管D2向电容C2充电，当电容C2被充电至预定电压后，芯片SP5808F开始工作。如果电路出现故障，导致输出电压增大，由于辅助绕组和主级绕组在输入端同一侧，辅助绕组输出的电压增大，芯片SP5808F内部的控制逻辑，将使得芯片5脚输出低电平信号，则三极管Q2的发射极和集电极之间导通，将超出的电压引流至接地，起到保护芯片的作用，以增强电路的安全性。

附图说明

图1为本实用新型一种实施例的防止芯片输入电压过高的LED电源的结构框图；

图2为本实用新型一种实施例的防止芯片输入电压过高的LED电源的结构示意图。

具体实施方式

下面通过具体实施方式结合附图对本实用新型作进一步详细说明。

本实用新型实施例提供一种防止芯片输入电压过高的LED电源，如图1所示，包括顺次相连的整流电路1、滤波电路2、控制电路3、变压器4和输出电路5，所述整流电路1的输入端用于接市电，以将市电转换为直流电。滤波电路2则滤除杂质波，使电路输出纯净稳定的直流信号。变压器4进行变压输出，使电压输出为负载所需的电压值。输出电路5具有LED电源的最终输出端口，包括正向输出端口和负向输出端口，以供负载连接。变压器4具有主级绕组、辅助绕组和输出绕组，主级绕组和辅助绕组均作为输入，输出绕组则作为输出。

如图2所示，所述控制电路3包括芯片SP5808F，所述主级绕组的正向输入端接滤波电路2的输出端，直流电源信号直接加载到主级绕组上。所述主级绕组的负向输入端接MOS管Q1的源极，MOS管Q1的栅极接芯片SP5808F的5脚，MOS管漏极、电阻R5和接地端顺次相连。芯片SP5808F的5脚输出PWM信号，以控制三极管Q1通断，进而改变主级绕组上电压的频率，以精确控制输出电压，使输出电压保持稳定。

辅助绕组的正向输入端、电阻R2和二极管D2正极顺次相连，二极管D2负极接芯片SP5808F的6脚，电容C2的两端分别接芯片SP5808F的6脚和接地端；芯片SP5808F的5脚、电阻R3和PNP型三极管Q2的基极顺次相连，芯片SP5808F的6脚、齐纳二极管D3和三极管Q2的发射极顺次相连，三极管Q2的集电极、电阻R4和MOS管漏极顺次相连。其中，三极管Q2可采用PNP型结构，如果辅助绕组输出的电压增大，依据芯片SP5808F内部的控制逻辑，将使得芯片5脚输出低电平信号，则三极管Q2的发射极和集电极之间导通，将超出的电压引流至接地，起到保护芯片的作用，以增强电路的安全性。

在一种实施例中，所述主级绕组的正向输入端和负向输入端之间还接有MOS管保护电路，所述MOS管保护电路包括电容C1、电阻R1和二极管D1，二极管D1正极接主级绕组的负向输入端，二极管D1负极、电容C1和主级绕组的正向输入端顺次相连，电阻R1的两端分别接主级绕组的正向输入端和二极管D1负极。当变压器4的主级绕组产生反向峰值电压时，由于二极管D1反向导通，峰值电压将从D1流过并加载到电容C1上，不会流向MOS管，起到保护MOS管的作用。

在一种实施例中，还包括反馈电路，所述反馈电路包括光电耦合器，所述输出电路的正向输出端、电阻R6和光电耦合器的正向输入端顺次相连，光电耦合器的正向输出端接芯片SP5808F的2脚。反馈电路将采样电压信号引入芯片2脚，采样信号输入至误差放大器，采样电压与误差放大器的参考电压Vref(可设定为2v)进行比较，以放大误差，该误差将输入到PWM控制部分，从而改变PWM的开关频率，形成闭环控制，使输出电压保持稳定。

在一种实施例中，所述整流电路1为桥式整流电路，桥式整流电路的正向输入端和负向输入端分别接市电，所述桥式整流电路的正向输出端接滤波电路2，所述桥式整流电路的负向输出端接地。

进一步的，所述滤波电路2包括滤波电容，滤波电容的两端分别接主级线圈的正向输入端和接地端，滤波电容可以滤除电路中的交流部分，保持直流输出。

在一种实施例中，所述输出电路5包括二极管D4和电容C3，所述二极管D4正极接变压器正向输出端，二极管D4负极接输出电路正向输出端，电容C3的两端均分别接输出电路正向输出端和负向输出端。输出电路将对变压器4输出的信号进行滤波，使得LED电源正向输出端和负向输出端之间的电压信号更加稳定。

以上内容是结合具体的实施方式对本实用新型所作的进一步详细说明，不能认定本实用新型的具体实施只局限于这些说明。对于本实用新型所属技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型构思的前提下，还可以做出若干简单推演或替换。