一种衰减器的衰减电路的制作方法

本实用新型涉及衰减器技术领域，具体来说，涉及一种衰减器的衰减电路。

背景技术：

已知衰减器是具有使输入信号增益衰减功能的电路，但是，在某些情形中，在组成衰减器的电路元件的寄生元件组件的影响下，衰减器的衰减特性可能会根据输入信号的频率发生很大变化不能实现平坦的衰减特性。

针对目前存在的问题，继续一种解决方案。

技术实现要素：

针对相关技术中的上述技术问题，本实用新型提出一种衰减器的衰减电路，能够克服现有技术的上述不足。

为实现上述技术目的，本实用新型的技术方案是这样实现的：

一种衰减器的衰减电路，包括输入端子一和输入端子二，所述输入端子一连接MOS管一的源极，所述MOS管一的漏极连接二极管一的正极、二极管二的负极、MOS管二的源极和MOS管三的源极，所述二极管一的负极和二极管二的正极均与输入端子二连接，所述MOS管二的漏极与输出端子三连接，所述MOS管三的漏极连接二极管二的正极和输出端子四。

进一步的，所述二极管一的负极与输入端子二之间连接有可变电容C1。

进一步的，所述二极管二的正极与输入端子二之间连接有可变电容C2。

本实用新型的有益效果：本实用新型的二极管一和二极管二具有单向导通的特性，且电容作为储能元件和放能元件可以实现平坦的衰减特性。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是根据本实用新型实施例所述的衰减器的衰减电路的电路图；

图2是根据本实用新型另一个实施例所述的衰减器的衰减电路的电路图；

图中：1、输入端子一；2、输入端子二；3、输出端子三；4、输出端子四；5、MOS管一；6、MOS管二；7、MOS管三；8、二极管一；9、二极管二。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

如图1所示，根据本实用新型实施例所述的一种衰减器的衰减电路，包括输入端子一1和输入端子二2，所述输入端子一1连接MOS管一5的源极，所述MOS管一5的漏极连接二极管一8的正极、二极管二9的负极、MOS管二6的源极和MOS管三7的源极，所述二极管一8的负极和二极管二9的正极均与输入端子二2连接，所述MOS管二6的漏极与输出端子三3连接，所述MOS管三7的漏极连接二极管二9的正极和输出端子四4。

在一具体实施例中，如图2所示，所述二极管一8的负极与输入端子二2之间连接有可变电容C1。

在一具体实施例中，所述二极管二9的正极与输入端子二2之间连接有可变电容C2。

为了方便理解本实用新型的上述技术方案，以下通过具体使用方式上对本实用新型的上述技术方案进行详细说明。

根据本实用新型所述的一种衰减器的衰减电路，衰减电路由MOS管一5、MOS管二6和MOS管三7以及二极管一、二极管二组成，二极管一、二极管二单向截至，可以实现电流的单方向流动，防止二极管一或者二极管二被反向击穿，电容C1和电容C2具有充放电特性，当将MOS管一5、MOS管二6的栅宽分别设置为18.2μm，MOS管三7的栅宽设置为21.3μm，可变电容C1和电容C2的电容值变化，使得可以调整衰减器的衰减特性。

综上所述，本实用新型的二极管一和二极管二具有单向导通的特性，且电容作为储能元件和放能元件可以实现平坦的衰减特性。

以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。