技术总结
本实用新型公开了一种基于MOSFET阵列的高速电子开关，包括电阻R1、电容C2、二极管V15、可控硅V1和变压器T1，所述变压器T1的脚1连接电阻R13，电阻R13的另一端连接电容C5和电源端，变压器T1的脚7连接电阻R2、电阻R5、电阻R6、电容C2、电阻R9、可控硅V1的控制极、可控硅V5的控制极和可控硅V9的控制极，本实用新型是基于MOSFET阵列的高速电子开关，能够通过阵列来提高电路的电压和电流。
技术研发人员：吕文;刘婧婧
受保护的技术使用者：深圳市霍达尔仪器有限公司
技术研发日：2018.11.02
技术公布日：2019.06.14