一种光耦隔离电路的制作方法

文档序号:18484334发布日期:2019-08-21 00:01阅读:1055来源:国知局
一种光耦隔离电路的制作方法

本实用新型涉及电子电路领域,尤其涉及一种光耦隔离电路。



背景技术:

由于能应用于户外的电子产品越来越普及,当电子产品的外部输入信号遭受电击、雷击、静电等较高的电压冲击时,会对内部电路造成大的伤害,因此研究对应用于户外的电子产品的保护是一项重要的课题。



技术实现要素:

本实用新型旨在提供一种克服上述问题或者至少部分地解决上述问题的光耦隔离电路。

为达到上述目的,本实用新型的技术方案具体是这样实现的:

本实用新型的一个方面提供了一种光耦隔离电路,包括:信号输入端;第一电阻R1,第一电阻R1的第一端与信号输入端连接;光耦芯片,光耦芯片的第一端与第一电阻R1的第二端连接,光耦芯片的第二端接输入地,光耦芯片的第三端接数字地;稳压二极管D1,稳压二极管D1的输出端连接第一电阻R1的第二端;稳压二极管D1的输入端连接光耦芯片的第二端;第一电容C1,第一电容C1的第一端连接第一电阻R1的第二端;第一电容C1的第二端连接光耦芯片的第二端;第二电阻R2,第二电阻的第一端连接数字电源,第二电阻R2的第二端连接光耦芯片的第四端;第二电容C2,第二电容C2的第一端连接光耦芯片的第三端,第二电容C2的第二端接数字地;信号输出端,信号输出端连接光耦芯片的第四端。

其中,光耦芯片包括:发光二极管,发光二极管的输入端连接光耦芯片的第一端,发光二极管的输出端连接光耦芯片的第二端;三极管,三极管的集电极连接光耦芯片的第四端,三极管的发射极连接光耦芯片的第三端。

其中,第一电阻R1阻值为3.3KΩ。

其中,第一电容C1为10nF。

其中,第二电阻R2阻值为4.7KΩ。

其中,第二电容C2为10nF。

其中,光耦芯片采用TLP181芯片。

由此可见,通过本实用新型提供的光耦隔离电路,可以把外部的输入电压信号和内部的输出信号进行电气隔离。当外部输入信号遭受电击、雷击、静电等较高的电压冲击时,不会对内部电路造成大的伤害。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例,对于本领域的普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他附图。

图1为本实用新型实施例提供的光耦隔离电路的电路图。

具体实施方式

下面将参照附图更详细地描述本公开的示例性实施例。虽然附图中显示了本公开的示例性实施例,然而应当理解,可以以各种形式实现本公开而不应被这里阐述的实施例所限制。相反,提供这些实施例是为了能够更透彻地理解本公开,并且能够将本公开的范围完整的传达给本领域的技术人员。

本实用新型的光耦隔离电路可以应用在PLC(Programmable Logic Controller,可编程逻辑控制器)模块中,用以保护PLC模块,减少外部的信号对PLC模块中处理器的影响,增强处理器的稳定性;还可以防止因外部输入信号不稳定的原因导致PLC模块的处理器芯片损坏;同时可以增强信号的抗干扰能力。

图1示出了本实用新型实施例提供的光耦隔离电路的电路图,参见图1,本实用新型实施例提供的光耦隔离电路,包括:

信号输入端;

第一电阻R1,第一电阻R1的第一端与信号输入端连接;

光耦芯片,光耦芯片的第一端与第一电阻R1的第二端连接,光耦芯片的第二端接输入地,光耦芯片的第三端接数字地;

稳压二极管D1,稳压二极管D1的输出端连接第一电阻R1的第二端;稳压二极管D1的输入端连接光耦芯片的第二端;

第一电容C1,第一电容C1的第一端连接第一电阻R1的第二端;第一电容C1的第二端连接光耦芯片的第二端;

第二电阻R2,第二电阻的第一端连接数字电源,第二电阻R2的第二端连接光耦芯片的第四端;

第二电容C2,第二电容C2的第一端连接光耦芯片的第三端,第二电容C2的第二端接数字地;

信号输出端,信号输出端连接光耦芯片的第四端。

具体地,第一电阻R1可以为输入限流电阻R1,该第一电阻R1用于对信号输入端输入信号的进行限流,当信号输入端输入的信号为正常信号的高电平时,电流通过第一电阻R1进行限流后流入光耦芯片。作为本发明实施例的一个可选实施方式,第一电阻R1阻值为3.3KΩ。

稳压二极管D1用于在信号输出端输入非正常高电压时,保护光耦芯片。即当信号输入端输入的信号上边出现一个非正常的高电压时,超过稳压二极管D1的保护电压时,稳压二极管D1会反向导通,把高电压释放至输入地,以此保护光耦芯片。

第一电容C1可以为输入端去耦电容C1,该第一电容C1用于对信号输入端输入的信号中的高频信号进行滤波,以此去除抖动,增加信号输入端输入的信号的稳定性。作为本发明实施例的一个可选实施方式,第一电容C1为10nF。

作为本发明实施例的一个可选实施方式,光耦芯片包括:发光二极管,发光二极管的输入端连接光耦芯片的第一端,发光二极管的输出端连接光耦芯片的第二端;三极管,三极管的集电极连接光耦芯片的第四端,三极管的发射极连接光耦芯片的第三端。其中,光耦芯片的第一端和第二端可以作为输入端,光耦芯片第三端和第四端可以作为输出端。当发光二极管中有正向电流流过时,会发光,此时三极管也会导通。优选的,光耦芯片可以采用TLP181芯片。

其中,由于光耦芯片内部的输入部分是一个发光二极管,当输入电流过大时,会烧毁发光二极管,所以需要在输入端增加一个限流电阻即第一电阻R1,保护光耦内部的发光二极管。

第二电阻R2可以为上拉电阻R2,在信号输出端通过该第二电阻R2把输出信号上拉至高电平,当光耦芯片没有导通时,光耦芯片的输出端(第三端和第四端),处于高阻状态,此时它是不能驱动负载的,所以需要通过第二电阻R2上拉至高电平,当光耦芯片断开时,光耦芯片的第四端(输出引脚)的状态由上拉电平决定。当光耦开通时,三极管导通,直接把输出信号拉至地,变成低电平。作为本发明实施例的一个可选实施方式,第二电阻R2阻值为4.7KΩ。

第二电容C2可以为输出端去耦电容C2,输出端的第二电容C2用于去除输出时的高频信号,保持输出端电压的稳定性。作为本发明实施例的一个可选实施方式,第二电容C2为10nF。

由此可见,通过本实用新型提供的光耦隔离电路,可以把外部的输入电压信号和内部的输出信号进行电气隔离。当外部输入信号遭受电击、雷击、静电等较高的电压冲击时,不会对内部电路造成大的伤害。

以上仅为本申请的实施例而已,并不用于限制本申请。对于本领域技术人员来说,本申请可以有各种更改和变化。凡在本申请的精神和原理之内所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本申请的权利要求范围之内。

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