一种光耦led防老化电路的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种防老化电路，具体是一种光耦LED防老化电路。
【背景技术】
[0002]光耦似乎能在不同地电势工作的电路之间实现简单的直流隔离，但这只是表面现象。光耦会从被隔离电路上吸取电能，转换相对缓慢，并且具有发光二极管老化的不确定性。
[0003]现有的一些技术手段试图通过相应增加光耦的负载电阻值，以降低光耦内发光二极管的电流，从而减少隔离电路的功耗，但结果是较慢和更不确定的开关速度。为实现较快而干脆的开关，就必须牺牲电源效率；不过，这种牺牲获得的优点也是有限的，因为电源效率与交流电压强度呈反向关系。
[0004]如光耦在几乎所有AC周期中均使发光二极管连续发光超过标称值，会导致低的电源效率，以及光耦相对快速的老化，一个更大的缺点是过大并且几乎无法控制的过零失真，因为电路的灵敏度阈值依赖于光耦的参数。
【实用新型内容】
[0005]本实用新型的目的在于提供一种光耦LED防老化电路，以解决上述【背景技术】中提出的问题。
[0006]为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案:
[0007]—种光耦LED防老化电路，包括电阻R1、整流桥Q、二极管D1、光耦Ul、三极管Ql和三极管Q2，交流AC两端分别连接电阻Rl和电阻R2，电阻Rl另一端分别连接电容C2和整流桥Q引脚1，整流桥Q引脚3分别连接电容C2另一端和电阻R2另一端，整流桥Q引脚2分别连接二极管Dl正极和电阻R3，电阻R3另一端分别连接电阻R4和三极管Ql基极，二极管Dl负极分别连接电容Cl、电阻R5和光耦Ul内发光二极管LED正极端，电阻R5另一端分别连接三极管Ql集电极、二极管D2正极和三极管Q2基极，二极管D2负极连接二极管D3正极，二极管D3负极分别连接整流桥Q引脚4、电阻R4另一端、电容Cl另一端和电阻R6，电阻R6另一端分别连接三极管Ql发射极和三极管Q2发射极，三极管Q2集电极连接光耦Ul内发光二极管LED负极端，光耦Ul的光敏三极管集电极通过电阻R7连接输出端Vo，光耦Ul的光敏三极管发射极接地。
[0008]作为本实用新型再进一步的方案:所述光耦Ul采用TLP624。
[0009]与现有技术相比，本实用新型的有益效果是:本实用新型光耦内的发光二极管LED只在接近于零交越点时才发光，并从以前充电的电容Cl中获得能量，因此能将平均电流降低十分之一至百分之一，该设计亦提供更快、更确定和更陡的转换，此外，也减缓了可预期的光耦内发光二极管LED的老化问题。
【附图说明】
[0010]图1为光耦LED防老化电路的电路图。
【具体实施方式】
[0011]下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
[0012]请参阅图1，本实用新型实施例中，一种光耦LED防老化电路，包括电阻R1、整流桥Q、二极管D1、光耦Ul、三极管Ql和三极管Q2，交流AC两端分别连接电阻Rl和电阻R2，电阻Rl另一端分别连接电容C2和整流桥Q引脚1，整流桥Q引脚3分别连接电容C2另一端和电阻R2另一端，整流桥Q引脚2分别连接二极管Dl正极和电阻R3，电阻R3另一端分别连接电阻R4和三极管Ql基极，二极管Dl负极分别连接电容Cl、电阻R5和光耦Ul内发光二极管LED正极端，电阻R5另一端分别连接三极管Ql集电极、二极管D2正极和三极管Q2基极，二极管D2负极连接二极管D3正极，二极管D3负极分别连接整流桥Q引脚4、电阻R4另一端、电容Cl另一端和电阻R6，电阻R6另一端分别连接三极管Ql发射极和三极管Q2发射极，三极管Q2集电极连接光耦Ul内发光二极管LED负极端，光耦Ul的光敏三极管集电极通过电阻R7连接输出端Vo，光耦Ul的光敏三极管发射极接地。
[0013]光耦Ul 采用 TLP624。
[0014]本实用新型的工作原理是:请参阅图1，电路的主要元器件包括波幅探测二极管D1、电容Cl和Q1、Q2组成的施密特触发器，用于控制通过光耦的电流，D2和D3用于稳定Q2的基极电压，同时也稳定了启动光耦的集电极电流，电容Cl通过Rl、R2和Dl充电。
[0015]在几乎所有交流周期内，除接近零交越点以外，Ql都是on，而Q2为off，因此，接近零交越点时，施密特触发器Ql与Q2的状态翻转，Q2使电容Cl恒流放电，由Q2、D2、D3、R5和R6构成的电路将电流稳定在I=(2VD-VBE2)/R6，其中VD是在D2或D3上的压降，而VBE2为Q2的基射电压，从而使光耦Ul内发光二极管LED恒流发光。
[0016]本实用新型光耦内的发光二极管LED只在接近于零交越点时才发光，并从以前充电的电容Cl中获得能量，因此能将平均电流降低十分之一至百分之一，该设计亦提供更快、更确定和更陡的转换，此外，也减缓了可预期的光耦内发光二极管LED的老化问题。
[0017]对于本领域技术人员而言，显然本实用新型不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本实用新型的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本实用新型。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本实用新型的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本实用新型内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。
[0018]此外，应当理解，虽然本说明书按照实施方式加以描述，但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案，说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见，本领域技术人员应当将说明书作为一个整体，各实施例中的技术方案也可以经适当组合，形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。
【主权项】
1.一种光耦LED防老化电路，包括电阻R1、整流桥Q、二极管D1、光耦Ul、三极管Ql和三极管Q2，其特征在于，交流AC两端分别连接电阻Rl和电阻R2，电阻Rl另一端分别连接电容C2和整流桥Q引脚I，整流桥Q引脚3分别连接电容C2另一端和电阻R2另一端，整流桥Q引脚2分别连接二极管Dl正极和电阻R3，电阻R3另一端分别连接电阻R4和三极管Ql基极，二极管Dl负极分别连接电容Cl、电阻R5和光耦Ul内发光二极管LED正极端，电阻R5另一端分别连接三极管Ql集电极、二极管D2正极和三极管Q2基极，二极管D2负极连接二极管D3正极，二极管D3负极分别连接整流桥Q引脚4、电阻R4另一端、电容Cl另一端和电阻R6，电阻R6另一端分别连接三极管Ql发射极和三极管Q2发射极，三极管Q2集电极连接光耦Ul内发光二极管LED负极端，光耦Ul的光敏三极管集电极通过电阻R7连接输出端Vo，光耦Ul的光敏三极管发射极接地。2.根据权利要求1所述的光耦LED防老化电路，其特征在于，所述光耦Ul采用TLP624。
【专利摘要】本实用新型公开了一种光耦LED防老化电路，包括电阻R1、整流桥Q、二极管D1、光耦U1、三极管Q1和三极管Q2，交流AC两端分别连接电阻R1和电阻R2，电阻R1另一端分别连接电容C2和整流桥Q引脚1，整流桥Q引脚3分别连接电容C2另一端和电阻R2另一端，整流桥Q引脚2分别连接二极管D1正极和电阻R3，电阻R3另一端分别连接电阻R4和三极管Q1基极，二极管D1负极分别连接电容C1、电阻R5和光耦U1内发光二极管LED正极端。本实用新型光耦内的发光二极管LED只在接近于零交越点时才发光，并从以前充电的电容C1中获得能量，因此能将平均电流降低十分之一至百分之一，该设计亦提供更快、更确定和更陡的转换，此外，也减缓了可预期的光耦内发光二极管LED的老化问题。
【IPC分类】H05B37/00
【公开号】CN204887527
【申请号】CN201520571626
【发明人】王俊, 应元渊, 余文, 章国富
【申请人】国网江西省电力公司南昌供电分公司, 国家电网公司
【公开日】2015年12月16日
【申请日】2015年7月31日