1.一种静电消除装置，具备：
真空室，能在内部设置带电体，且具备高真空处理部；以及
等离子体发生装置，向所述真空室的内部供给由电子回旋共振产生的等离子体，
所述等离子体发生装置具备：
等离子体源，产生所述等离子体；以及
法兰，将所述等离子体源设置于所述真空室的内部。
2.根据权利要求1所述的静电消除装置，其中，
所述等离子体发生装置还具备：
连接部，位于所述等离子体源与所述法兰之间，连接所述等离子体源与所述法兰，传导在所述等离子体源产生的热；以及
导热部，位于所述法兰与所述连接部之间以及所述等离子体源与所述连接部之间中的任一方或两方，具有比所述连接部高的热传导率。
3.根据权利要求1或2所述的静电消除装置，其中，
还具备位于所述等离子体源与所述带电体之间，吸引所述等离子体源所产生的所述等离子体的引出电极。
4.根据权利要求3所述的静电消除装置，其中，
所述引出电极为连结所述等离子体源的中心和所述带电体的中心的线穿过大致中心的中空形状。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的静电消除装置，其中，
所述等离子体源具备产生所述等离子体的空间和将在所述空间产生的所述等离子体喷射至外部的多个开口部。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的静电消除装置，其中，
所述真空室内的压力为10-5pa以上1pa以下。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的静电消除装置，其中，
还具备阻碍所述带电体的一部分与所述等离子体的接触的阻碍件。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的静电消除装置，其中，
所述高真空处理部执行金属蒸镀工序、陶瓷蒸镀工序、半导体材料的微加工序工序、半导体薄膜的形成工序、有机材料的薄膜生成工序以及作为阴极使用的铝的蒸镀工序中的至少一道工序。
9.一种等离子体发生装置，具备：
等离子体源，通过电子回旋共振产生等离子体；以及
法兰，将所述等离子体源连接于真空室。