多工器、高频前端电路以及通信装置的制作方法

本发明涉及具备包括弹性波谐振器的滤波器的多工器、高频前端电路以及通信装置。

背景技术：

近年来，关于便携式电话终端等通信装置，为了由一个终端应对多个频带以及多个无线方式、所谓的多频带化以及多模式化，广泛使用了按照每个频带对高频信号进行分离(分波)的多工器。在这样的多工器中使用的滤波器例如使用弹性波谐振器而构成。

作为弹性波谐振器的一例，提出了一种在支承基板上依次层叠高声速膜、低声速膜、压电膜以及idt电极而成的弹性波装置(例如，参照专利文献1)。该弹性波装置由于在层叠型基板的厚度方向上弹性波能量的陷获效率高，能够应对高频化，并且可获得高的q值，因此适用于构成小型且通过损耗小的滤波器。

在先技术文献

专利文献

专利文献1：国际公开第2012/086639号

技术实现要素：

发明要解决的课题

在使用了弹性波谐振器的滤波器中，已知在自身的通带外会产生阻带(通过弹性波陷获于格栅从而弹性波的波长成为一定的区域)上端处的响应。特别是，在使用了如专利文献1记载的层叠构造的弹性波谐振器那样弹性波能量的陷获效率高的弹性波谐振器的滤波器中，容易产生比较大的阻带响应。

这样的阻带响应虽然在该滤波器自身的通带内的特性上不会成为问题，但是在经由多个滤波器的路径相互连接的多重滤波器中，会给其他滤波器的特性带来影响，有可能成为使其劣化的主要原因。具体而言，在产生阻带响应的频率位于其他滤波器的通带内的情况下，成为招致其他滤波器的通带中的纹波(通带纹波)的增大的主要原因。

本发明正是为了解决上述课题而完成的，其目的在于，提供一种能够抑制滤波器的阻带上端处的响应的多工器、高频前端电路以及通信装置。

用于解决课题的手段

为了达到上述目的，本发明的一个方式涉及的多工器具备：公共端子、第1端子以及第2端子；第1滤波器，配置在将所述公共端子与所述第1端子连结的第1路径上，具有多个弹性波谐振器；以及第2滤波器，配置在将所述公共端子与所述第2端子连结的第2路径上，通带的频率比所述第1滤波器高，所述多个弹性波谐振器包括：两个以上的串联谐振器，配置在所述第1路径上；以及一个以上的并联谐振器，配置在将所述第1路径上的节点与接地连结的路径上，所述两个以上的串联谐振器之中最靠近所述公共端子的第1串联谐振器不将所述并联谐振器夹在中间而与所述公共端子连接，所述多个弹性波谐振器具有：具有压电性的基板；以及idt电极，由形成在所述基板上的一对梳齿状电极构成，所述第1串联谐振器、以及所述一个以上的并联谐振器之中最靠近所述公共端子的第1并联谐振器的至少一方的所述idt电极与其余的所述多个弹性波谐振器的所述idt电极相比，在俯视所述基板时具有单位面积的部分的重量更大。

为了达到上述目的，本发明的一个方式涉及的多工器具备：公共端子、第1端子以及第2端子；第1滤波器，配置在将所述公共端子与所述第1端子连结的第1路径上，具有多个弹性波谐振器；以及第2滤波器，配置在将所述公共端子与所述第2端子连结的第2路径上，通带的频率比所述第1滤波器高，所述多个弹性波谐振器包括：一个以上的串联谐振器，配置在所述第1路径上；以及两个以上的并联谐振器，配置在将所述第1路径与接地连结的路径上，所述两个以上的并联谐振器包括从所述一个以上的串联谐振器之中最靠近所述公共端子的第1串联谐振器观察位于所述公共端子侧的第1并联谐振器、以及位于所述第1端子侧的并联谐振器，所述多个弹性波谐振器具有：具有压电性的基板；以及idt电极，由形成在所述基板上的一对梳齿状电极构成，所述第1并联谐振器以及所述第1串联谐振器的至少一方的idt电极与其余的所述多个弹性波谐振器的所述idt电极相比，在俯视所述基板时具有单位面积的部分的重量更大。

在此，所谓在俯视基板时具有单位面积的idt电极的部分的重量(为了简略也称为每单位面积的重量)，是idt电极的垂直于基板的方向上的任意的剖面中的电极膜厚与电极材料密度之积在该部分的积分值。也就是说，构成具有单位面积的部分的电极膜厚越厚并且电极材料密度越高，则idt电极的每单位面积的重量越大。

这样，通过将第1串联谐振器以及第1并联谐振器的至少一方的idt电极的每单位面积的重量构成为比其余的弹性波谐振器的idt电极的每单位面积的重量大，从而能够抑制给第2滤波器带来较大影响的第1串联谐振器以及第1并联谐振器的上述一方的阻带响应。由此，能够有效地抑制在第1滤波器的阻带中产生的响应，能够降低第2滤波器的通带中的插入损耗。

发明效果

根据本发明涉及的多工器等，能够抑制在滤波器的阻带中产生的响应。

附图说明

图1是实施方式以及比较例双方共同的多工器的基本结构图。

图2是示出比较例涉及的多工器的第1滤波器的电路结构图。

图3是示出在比较例涉及的第1滤波器的阻带中产生的响应的示意图。

图4是说明比较例中的第1滤波器的回波损耗的图。

图5是示出实施方式1涉及的多工器的第1滤波器的电路结构图。

图6是示意性地表示实施方式1涉及的第1滤波器的弹性波谐振器的俯视图以及剖视图。

图7是示出idt电极较薄的弹性波谐振器的阻抗的图。

图8是示出idt电极较厚的弹性波谐振器的阻抗的图。

图9是说明滤波器的通带的温度稳定性的图。

图10是实施方式1的变形例1涉及的第1滤波器的电路结构图。

图11是实施方式1的变形例2涉及的第1滤波器的电路结构图。

图12是实施方式2涉及的多工器的第1滤波器的电路结构图。

图13是实施方式2的变形例1涉及的第1滤波器的电路结构图。

图14是实施方式3涉及的高频前端电路的结构图。

具体实施方式

(完成本发明的经过)

首先，参照图1～图4对完成本发明的经过进行说明。图1是本实施方式以及比较例双方共同的多工器1的基本结构图。另外，在该图中，也图示了与公共端子port1连接的天线元件2。

多工器1具备：公共端子port1、第1端子port11、第2端子port21、第1滤波器11以及第2滤波器21。第1滤波器11配置在将公共端子port1与第1端子port11连结的第1路径r1上。第2滤波器21配置在将公共端子port1与第2端子port21连结的第2路径r2上。第2滤波器21设定为频率通带高于第1滤波器11。

图2是示出比较例涉及的多工器1的第1滤波器11的电路结构图。

比较例涉及的第1滤波器11是包括多个弹性波谐振器的梯型滤波器。第1滤波器11具备：作为配置在第1路径r1上的弹性波谐振器的串联谐振器s1、s2、s3、s4、s5、以及作为配置在将第1路径r1与接地连结的路径上的弹性波谐振器的并联谐振器p1、p2、p3、p4。串联谐振器s1～s5从公共端子port1朝向第1端子port11依次配置。并联谐振器p1连接在串联谐振器s1和s2之间，并联谐振器p2连接在串联谐振器s2和s3之间，并联谐振器p3连接在串联谐振器s3和s4之间，并联谐振器p4连接在串联谐振器s4和s5之间。以下，有时指代串联谐振器s1～s5以及并联谐振器p1～p4的全部或一部分称为“谐振器”。

参照图3对在比较例涉及的多工器1中可能引起的问题点进行说明。图3是示出在比较例涉及的第1滤波器11的阻带中产生的响应的示意图。图3中的曲线图的粗线示出了具有谐振频率f1以及反谐振频率f2的串联谐振器s1的阻抗特性，曲线图的细线示出了第1滤波器11以及第2滤波器21的插入损耗。

阻带响应是起因于谐振器的反射器而产生的杂散，例如，在与谐振器的反谐振点相比频率更高的一侧，成为纹波状的阻抗的扰动而出现。如图3所示，若第1滤波器11的任一个谐振器所引起的阻带响应产生于第2滤波器21的通带内的频率f3，则应该由第1滤波器11反射的频率f3的信号的一部分未被反射而成为损耗，在第2滤波器21的通带中插入损耗产生纹波。为了降低第2滤波器21的纹波，需要抑制由第1滤波器11的谐振器而产生的阻带响应。

如前所述，在使用了弹性波谐振器的滤波器中，在自身的通带外会产生阻带响应。特别是，在使用了弹性波能量的陷获效率高的弹性波谐振器的情况下，能够构成小型且通过损耗小的滤波器，但另一方面，容易产生比较大的阻带响应。因此，需要用于抑制阻带响应的技术。

在此，说明第1滤波器11中包含的多个谐振器之中哪个谐振器的阻带响应对第2滤波器21影响更大，即，在抑制哪个谐振器的阻带响应时对于第2滤波器21的插入损耗的降低是有效的。

图4是说明比较例中的第1滤波器11的回波损耗的图。图4是示出与从公共端子port1侧向第1滤波器11输入了给定的频率信号的情况下的回波损耗相比较，对第1滤波器11的多个谐振器之中的一个插入电阻并输入了给定的频率信号的情况下的回波损耗的增量的图。另外，输入到第1滤波器11的给定的频率信号是处于第1滤波器11的阻带且包含第2滤波器21的通带的频率的信号。

插入于谐振器的电阻模拟地示出了在该谐振器产生阻带响应的状态。第1滤波器11的回波损耗根据对哪个谐振器插入了电阻，即根据在哪个谐振器产生了阻带响应，会以不同的程度增加。

在此，所谓回波损耗，是指从公共端子port1观察的第1滤波器11的反射损耗，回波损耗越大，来自第1滤波器11的信号的反射越小。也就是说，第2滤波器21的通带的频率信号会被第1滤波器11吸收，从而第2滤波器21中的插入损耗增大。

如图4所示，对最靠近公共端子port1的串联谐振器s1插入了电阻的情况下的回波损耗的增量最大为0.7db，对第2近的并联谐振器p1插入了电阻的情况下的回波损耗的增量最大为0.38db。另一方面，对第3近的串联谐振器s2插入了电阻的情况下的回波损耗的增量最大为0.05db，此外，对第4以后的各谐振器p2～p4、s3～s5插入了电阻的情况下的回波损耗的增量为约0db，能够视为回波损耗几乎不增加。

如此，越是在位于公共端子port1的附近的谐振器、更具体而言在公共端子port1侧初级的串联谐振器以及并联谐振器产生了阻带响应的情况，第1滤波器11中的回波损耗的增加越大。因此，为了降低第2滤波器21的插入损耗，针对公共端子port1侧初级的串联谐振器以及并联谐振器实施抑制阻带响应的对策是有效的。

在本实施方式的多工器1中，位于公共端子port1的附近的谐振器具有抑制阻带响应的构造。由此，能够降低第2滤波器21的通带中的插入损耗。

以下，使用实施例以及附图对本发明的实施方式详细进行说明。另外，以下说明的实施方式均示出概括性的或具体的例子。以下的实施方式所示的数值、形状、材料、构成要素、构成要素的配置以及连接方式等为一例，其主旨不是限定本发明。此外，在各图中，对于实质上相同的结构标注同一附图标记，有时省略或简化重复的说明。此外，在以下的实施方式中，所谓“连接”，不仅包括直接连接的情况，还包括经由其他元件等电连接的情况。

(实施方式1)

参照图1以及图5～图9对实施方式1涉及的多工器1进行说明。另外，虽然在实施方式1与前述的比较例中也有重复的构成要素，但是包含重复的构成要素在内作为实施方式1而重新进行说明。

[1-1.多工器的结构]

实施方式1的多工器1是具备通带相互不同的多个滤波器，且这些多个滤波器的天线侧的端子在公共端子port1处被集束的多工器(分波器)。具体而言，如图1所示，多工器1具备：公共端子port1、第1端子port11、第2端子port21、第1滤波器11以及第2滤波器21。

公共端子port1对于第1滤波器11以及第2滤波器21公共地设置，并在多工器1的内部与第1滤波器11以及第2滤波器21连接。此外，公共端子port1在多工器1的外部与天线元件2连接。也就是说，公共端子port1也是多工器1的天线端子。

第1端子port11在多工器1的内部与第1滤波器11连接。第2端子port21在多工器1的内部与第2滤波器21连接。此外，第1端子port11以及第2端子port21在多工器1的外部，经由放大电路等(未图示)而与rf信号处理电路(rfic：radiofrequencyintegratedcircuit，射频集成电路，未图示)连接。

第1滤波器11配置在将公共端子port1与第1端子port11连结的第1路径r1上。第1滤波器11例如是将bandl(低频带)中的下行频带(接收频带)作为通带的接收滤波器。

第2滤波器21配置在将公共端子port1与第2端子port21连结的第2路径r2上。第2滤波器21例如是将bandh(高频带)中的下行频带(接收频带)作为通带的接收滤波器。

作为第1滤波器11以及第2滤波器21的特性，要求使对应的band的接收频带(或接收频带)通过、并且使其他频带衰减这样的特性。在本实施方式中，第2滤波器21设定为通带频率高于第1滤波器11。

第1路径r1和第2路径r2在节点n处连接。也就是说，节点n是将第1路径r1以及第2路径r2集束的点。另外，在多工器1中，在将第1滤波器11与节点n连结的第1路径r1上、以及将第2滤波器21与节点n连结的第2路径r2上、或者将节点n与公共端子port1连结的路径上等，也可以连接有阻抗匹配用的电感器等阻抗元件。

[1-2.滤波器的结构]

接着，关于第1滤波器11以及第2滤波器21的结构，以将bandl作为通带的第1滤波器11为例进行列举来说明。

图5是示出第1滤波器11的电路结构图。如该图所示，第1滤波器11具备作为弹性波谐振器的串联谐振器111s、112s、113s、114s以及并联谐振器111p、112p、113p。以下，有时指代串联谐振器111s～114s以及并联谐振器111p～113p的全部或一部分称为“谐振器110”。

串联谐振器111s～114s从公共端子port1侧起依次串联连接在将公共端子port1与第1端子port11连结的第1路径(串联臂)r1上。此外，并联谐振器111p～113p相互并联连接在将第1路径r1上相邻的串联谐振器111s～114s之间的各节点n1、n2、n3与基准端子(接地)连结的路径(并联臂)上。具体而言，最靠近公共端子port1的串联谐振器111s不将并联谐振器111p～113p夹在中间而与公共端子port1连接。各并联谐振器111p～113p的一端与节点n1、n2、n3的任一个连接，另一端与基准端子连接。

这样，第1滤波器11具有由配置在第1路径r1上的两个以上的串联谐振器(在本实施方式中为4个串联谐振器)、以及配置在将第1路径r1与基准端子(接地)连结的路径上的一个以上的并联谐振器(在本实施方式中为3个并联谐振器)构成的t型的梯型滤波器构造。

另外，第1滤波器11的串联谐振器以及并联谐振器的数量分别不限定于4个以及3个，只要串联谐振器有两个以上并且并联谐振器有一个以上即可。此外，并联谐振器也可以经由电感器而与基准端子连接。此外，在串联臂上或者并联臂上，也可以插入或连接有电感器以及电容器等阻抗元件。此外，在图5中，虽然连接并联谐振器的基准端子被单独化，但是将基准端子单独化还是公共化，例如能够根据第1滤波器11的安装布局的制约等来适当选择。

[1-3.弹性波谐振器的构造]

接着，对构成第1滤波器11的谐振器110的基本构造进行说明。本实施方式中的谐振器110是声表面波(saw：surfaceacousticwave)谐振器。

另外，作为另一个滤波器的第2滤波器21不限定于上述的结构，能根据所需要的滤波器特性等来适当设计。具体而言，第2滤波器21也可以不具有梯型的滤波器构造，例如也可以为纵向耦合型的滤波器构造。此外，构成第2滤波器21的各谐振器不限于saw谐振器，例如，也可以为baw(bulkacousticwave，体声波)谐振器。进而，第2滤波器21也可以不使用谐振器而构成，例如，也可以为lc谐振滤波器或者介电滤波器。

图6是示意性地表示第1滤波器11的谐振器110的俯视图以及剖视图。另外，图6所示的谐振器110用于说明上述谐振器110的典型构造，构成电极的电极指的根数、长度等不限定于此。

如图6的俯视图所示，谐振器110具有：相互对置的一对梳齿状电极32a以及32b；以及相对于一对梳齿状电极32a以及32b沿弹性波传播方向x配置的反射器32c。一对梳齿状电极32a以及32b构成了idt电极32。

梳齿状电极32a由配置为梳齿形状且相互平行的多个电极指322a、和将多个电极指322a各自的一端彼此连接的汇流条电极321a构成。此外，梳齿状电极32b由配置为梳齿形状且相互平行的多个电极指322b、和将多个电极指322b各自的一端彼此连接的汇流条电极321b构成。多个电极指322a以及322b形成为在弹性波传播方向x的正交方向上延伸。

一对反射器32c相对于一对梳齿状电极32a以及32b沿弹性波传播方向x配置。具体而言，一对反射器32c在弹性波传播方向x上配置为夹着一对梳齿状电极32a以及32b。各反射器32c由相互平行的多个反射电极指和将该多个反射电极指连接的反射器汇流条电极构成。一对反射器32c沿着弹性波传播方向x形成有反射器汇流条电极。

[1-4.弹性波谐振器的剖面构造]

在此，再次参照图6对谐振器110的剖面构造进行说明。

如图6的剖视图所示，由多个电极指322a及322b和汇流条电极321a及321b构成的idt电极32成为密接层324与主电极层325的层叠构造。此外，反射器32c的剖面构造由于与idt电极32的剖面构造相同，因此以下省略其说明。

密接层324是用于提高压电体层327与主电极层325的密接性的层，作为材料，例如可使用ti。密接层324的膜厚例如为12nm。

主电极层325作为材料，例如可使用含有1％的cu的al。主电极层325的膜厚例如为162nm。

保护层326形成为覆盖idt电极32。保护层326是以保护主电极层325不受外部环境影响、调整频率温度特性、以及提高耐湿性等为目的的层，例如是以二氧化硅为主成分的膜。保护层326的膜厚例如为25nm。

也可以通过idt电极32的由导电性材料构成的部分的厚度来定义idt电极32的厚度t。也就是说，也可以将密接层324、主电极层235以及保护层326之中密接层324的厚度与主电极层325的厚度之和设为idt电极32的厚度。在该情况下，以上述的尺寸例来说，idt电极32的厚度t为密接层324的膜厚12nm与主电极层325的膜厚162nm之和即174nm。

另外，通常，由于密接层324与主电极层325相比非常薄，因此也可以通过主电极层325的厚度来定义idt电极32的厚度t。在该情况下，以上述的尺寸例来说，idt电极32的厚度t为主电极层325的膜厚162nm。

这样的idt电极32以及反射器32c配置在下面说明的基板320的主面上。以下，对本实施方式中的基板320的层叠构造进行说明。

如图6的下段所示，基板320具备高声速支承基板329、低声速膜328以及压电体层327，并具有高声速支承基板329、低声速膜328以及压电体层327被依次层叠的构造。

压电体层327是在主面上配置有idt电极32以及反射器32c的压电膜。压电体层327例如由50°y切割x传播litao3压电单晶或压电陶瓷(是在将以x轴为中心轴而从y轴旋转了50°的轴作为法线的面进行了切断的钽酸锂单晶或陶瓷，是声表面波在x轴方向上传播的单晶或陶瓷)构成。在将由idt电极32的电极间距决定的弹性波的波长设为λ的情况下，压电体层327的厚度为3.5λ以下，例如为600nm。

高声速支承基板329是对低声速膜328、压电体层327以及idt电极32进行支承的基板。进而，高声速支承基板329是与在压电体层327中传播的表面波、边界波的弹性波相比高声速支承基板329中的体波的声速成为高速的基板，其发挥作用使得将声表面波陷获于层叠有压电体层327以及低声速膜328的部分而不会泄漏到比高声速支承基板329更靠下方。高声速支承基板329例如为硅基板，厚度例如为125μm。

低声速膜328是与在压电体层327中传播的体波的声速相比低声速膜328中的体波的声速成为低速的膜，配置在压电体层327与高声速支承基板329之间。通过该构造和弹性波的能量本质上集中于低声速的媒介这样的性质，可抑制声表面波能量向idt电极32外的泄漏。低声速膜328例如是以二氧化硅为主成分的膜。在将由idt电极32的电极间距决定的弹性波的波长设为λ的情况下，低声速膜328的厚度为2λ以下，例如为670nm。

根据本实施方式中的基板320的上述层叠构造，与例如以单层来使用压电基板的现有的构造相比，能够大幅提高谐振频率以及反谐振频率处的q值。另一方面，根据上述层叠构造，由于基板320的厚度方向上的弹性波能量的陷获效率变高，因此由谐振器110产生的阻带响应不易衰减而残留。因此，在具有上述层叠构造的本实施方式的谐振器110中，需要用于进一步抑制阻带响应的策略。

因此，在本实施方式中，将最靠近公共端子port1的串联谐振器111s以及最靠近公共端子port1的并联谐振器111p的至少一方的idt电极的每单位面积的重量构成为比其余的谐振器即谐振器112s～114s、112p、113p的idt电极的每单位面积的重量大。

所谓idt电极的每单位面积的重量，是指在俯视基板时具有单位面积的idt电极的部分的重量，具体而言，可以用idt电极的该部分中的平均电极膜厚与平均电极材料密度之积来定义。更精密来说，也可以用idt电极的垂直于基板的方向上的任意的剖面中的电极膜厚与电极材料密度之积在该部分的积分值来定义。根据这些定义，在idt电极的电极材料相同的情况下，idt电极的每单位面积的重量较重与idt电极的电极膜厚较厚为同义。

[1-5.效果等]

图7以及图8是对由相同电极材料构成的idt电极32的厚度t的不同所引起的谐振器110的阻抗进行比较的图。具体而言，图7以及图8是示出谐振器110的idt电极32的电极材料相同并且将厚度t分别设为70nm、160nm的情况下的频率与阻抗的关系的图。

如图7以及图8所示，在将idt电极32的厚度t设为了70nm的谐振器110中，第1滤波器11的阻带中的阻抗的扰动比较大，在作为第2滤波器21的通带的频率2700mhz附近出现明显的阻带响应。

与此相对，在将idt电极32的厚度t设为了160nm的谐振器110中，第1滤波器11的阻带中的阻抗的扰动小，在第2滤波器21的通带中几乎未出现阻带响应。

由此可知，通过使用idt电极32较厚即每单位面积的重量较大的谐振器110，从而与使用idt电极32更薄的谐振器110的情况相比，能够降低阻带响应。因此，通过将串联谐振器111s以及并联谐振器111p的至少一方的idt电极的每单位面积的重量构成为比其余的谐振器即串联谐振器112s～114s、112p、113p的idt电极的每单位面积的重量大，从而能够降低第1滤波器11的阻带响应，有效地降低第2滤波器21的插入损耗。

本实施方式涉及的多工器1具备：公共端子port1、第1端子port11以及第2端子port21；第1滤波器11，配置在将公共端子port1与第1端子port11连结的第1路径r1上；以及第2滤波器21，配置在将公共端子port1与第2端子port21连结的第2路径r2上，通带的频率比第1滤波器11高。

第1滤波器11具有：配置在第1路径r1上的两个以上的串联谐振器(例如串联谐振器111s～114s)；以及配置在将第1路径r1上相邻的串联谐振器111s～114s之间的节点n1～n3与接地连结的路径上的一个以上的并联谐振器(例如并联谐振器111p～113p)，两个以上的串联谐振器111s～114s之中最靠近公共端子port1的串联谐振器111s不将并联谐振器111p～113p夹在中间而与公共端子port1连接。

两个以上的串联谐振器111s～114s以及一个以上的并联谐振器111p～113p的各谐振器具有由形成在具有压电性的基板320上的一对梳齿状电极32a、32b构成的idt电极32、以及反射器32c。

串联谐振器111s以及并联谐振器111p的至少一方的idt电极32的每单位面积的重量大于谐振器112s～114s、112p、113p的idt电极32的每单位面积的重量。在此，串联谐振器111s为第1串联谐振器的一例，并联谐振器111p为第1并联谐振器的一例，谐振器112s～114s、112p、113p为其余的谐振器的一例。

这样，通过将最靠近公共端子port1的串联谐振器111s以及最靠近公共端子port1的并联谐振器111p的至少一方的idt电极32的每单位面积的重量构成为比其余的谐振器112s～114s、112p、113p的任意一者的idt电极32的每单位面积的重量大，从而能够抑制给第2滤波器21带来较大影响的串联谐振器111s以及并联谐振器111p的上述一方的阻带响应的产生。由此，能够抑制第1滤波器11的阻带响应，能够高效地降低第2滤波器21的通带中的插入损耗。

另外，在idt电极32的每单位面积的重量较大的谐振器110中，与idt电极32的每单位面积的重量较小的谐振器110相比，相对于温度变化的谐振频率以及反谐振频率的变动，即，谐振频率以及反谐振频率的温度系数变大。列举使用idt电极的电极材料相同并且厚度不同的弹性波谐振器而构成的滤波器的插入损耗的例子来对此进行说明。

图9是说明使用idt电极的电极材料相同并且厚度t不同的弹性波谐振器而构成的滤波器的通带的温度稳定性的图。

根据图9的例子，在由idt电极的厚度t为990nm的弹性波谐振器构成的带通滤波器中在通带的两侧插入损耗成为30db的频率fl、fh的温度系数cl、ch分别为-0.8ppm/℃、-20.1ppm/℃。与此相对，由idt电极的厚度t为1640nm的弹性波谐振器构成的相同电路结构的带通滤波器中的温度系数cl、ch分别为-12.6ppm/℃、-32.1ppm/℃。

也就是说，由idt电极32较厚即idt电极32的每单位面积的重量较大的谐振器110构成的滤波器与由idt电极32较薄即idt电极32的每单位面积的重量较小的谐振器110构成的滤波器相比，可以说在通带的温度稳定性这一点上不利。

据此，在第1滤波器11中，也可以不由串联谐振器111s以及并联谐振器111p的至少一方而是由与串联谐振器111s以及并联谐振器111p相比较idt电极32的每单位面积的重量较小的谐振器112s～114s、112p、113p形成通带的两端的衰减特性。由此，能够排除串联谐振器111s以及并联谐振器111p对第1滤波器11的通带的温度稳定性的不良影响，因此可得到阻带响应以及通带的温度稳定性双方均优异的第1滤波器11。

(实施方式1的变形例1)

在实施方式1的变形例1涉及的多工器1中，将串联谐振器111s以及并联谐振器111p双方的idt电极的每单位面积的重量构成为比谐振器112s～114s、112p、113p的任意一者的idt电极的每单位面积的重量大。

图10是实施方式1的变形例1涉及的第1滤波器11的电路结构图。变形例1涉及的第1滤波器11具备并联谐振器111a来取代实施方式1所示的并联谐振器111p。并联谐振器111a是多个并联谐振器111a、112p、113p之中配置于最靠近公共端子port1的位置处的第1并联谐振器的一例。

在变形例1的第1滤波器11中，串联谐振器111s以及并联谐振器111a双方的idt电极的每单位面积的重量比其余的谐振器112s～114s、112p、113p的任意一者的idt电极的每单位面积的重量大。串联谐振器111s的idt电极的每单位面积的重量和并联谐振器111a的idt电极的每单位面积的重量既可以相同也可以不同。

通过构成第1滤波器11的串联谐振器111s～114s以及并联谐振器111a、112p、113p之中给第2滤波器21带来影响的串联谐振器111s以及并联谐振器111a双方具有上述结构，从而能够进一步抑制第1滤波器11的阻带中的响应。

(实施方式1的变形例2)

在实施方式1的变形例2涉及的多工器1中，第1滤波器11的串联谐振器111s由被分割的谐振器构成。

图11是实施方式1的变形例2涉及的第1滤波器11的电路结构图。如图11所示，在变形例2涉及的多工器1中，第1滤波器11的串联谐振器111s由被串联连接的两个串联谐振器111b以及111c构成。

在实施方式1的变形例2涉及的多工器1中，串联谐振器111b以及111c的任意一者的idt电极的每单位面积的重量均大于谐振器112s～114s、112p、113p的任意一者的idt电极的每单位面积的重量。串联谐振器111b的idt电极的每单位面积的重量和串联谐振器111c的idt电极的每单位面积的重量既可以相同也可以不同。

由此，能够有效地抑制在第1滤波器11的阻带中产生的响应。

(实施方式2)

实施方式2的多工器1在第1滤波器11a具有π型的梯型滤波器构造这一点上与具有t型的梯型滤波器构造的实施方式1的第1滤波器11不同。

图12是实施方式2涉及的多工器1的第1滤波器11a的电路结构图。如该图所示，第1滤波器11a具备串联谐振器111s～114s以及并联谐振器111d、111p～113p。

串联谐振器111s～114s从公共端子port1侧起依次串联连接在将公共端子port1与第1端子port11连结的第1路径(串联臂)r1上。并联谐振器111d连接于将公共端子port1和串联谐振器111s之间的节点n0与基准端子(接地)连结的路径(并联臂)。具体而言，最靠近公共端子port1的并联谐振器111d不将串联谐振器111s～114s夹在中间而与公共端子port1连接。此外，并联谐振器111p～113p相互并联连接在将第1路径r1上相邻的串联谐振器111s～114s之间的各节点n1、n2、n3与基准端子连结的路径上。

这样，第1滤波器11a具有由配置在第1路径r1上的一个以上的串联谐振器(例如4个串联谐振器111s～114s)、以及配置在将第1路径r1与基准端子连结的路径上的两个以上的并联谐振器(例如4个并联谐振器111d、111p～113p)构成的π型的梯型滤波器构造。

在第1滤波器11a中，并联谐振器111d以及串联谐振器111s的至少一方的idt电极32的每单位面积的重量大于其余的各谐振器112s～114s、111p～113p的idt电极32的每单位面积的重量。在此，串联谐振器111s为第1串联谐振器的一例，并联谐振器111d为第1并联谐振器的一例，谐振器112s～114s、111p～113p为其余的谐振器的一例。

通过构成第1滤波器11a的串联谐振器111s～114s以及并联谐振器111d、111p～113p之中给第2滤波器21带来更大影响的并联谐振器111d以及串联谐振器111s的至少一方具有上述结构，从而能够抑制在第1滤波器11a的阻带中产生的响应。

此外，在第1滤波器11a中，也可以并联谐振器111d以及串联谐振器111s双方的idt电极的每单位面积的重量大于其余的谐振器112s～114s、111p～113p的任意一者的idt电极的每单位面积的重量。并联谐振器111d的idt电极的每单位面积的重量和串联谐振器111s的idt电极的每单位面积的重量既可以相同也可以不同。

通过构成第1滤波器11a的串联谐振器111s～114s以及并联谐振器111d、111p～113p之中给第2滤波器21带来影响的并联谐振器111d以及串联谐振器111s双方具有上述结构，从而能够进一步抑制第1滤波器11的阻带中的响应。

(实施方式2的变形例1)

在实施方式2的变形例1涉及的多工器1中，第1滤波器11a的并联谐振器111d由被分割的谐振器构成。

图13是实施方式2的变形例1涉及的第1滤波器11a的电路结构图。如图13所示，在第1滤波器11a中，被串联连接的谐振器111e、111f和被串联连接的谐振器111g、111h相互并联连接从而构成了并联谐振器111d。

在实施方式2的变形例1涉及的多工器1中，构成并联谐振器111d的谐振器111e～111h的任意一者的idt电极的每单位面积的重量均大于谐振器112s～114s、111p～113p的任意一者的idt电极的每单位面积的重量。谐振器111e～111h各自的idt电极的每单位面积的重量彼此既可以相同也可以不同。

由此，能够有效地抑制在第1滤波器11a的阻带中产生的响应。

(实施方式3)

上述实施方式1、2及其变形例涉及的多工器还能够适用于高频前端电路，进而还能够适用于具备该高频前端电路的通信装置。因此，在本实施方式中，对这样的高频前端电路以及通信装置进行说明。

图14是实施方式3涉及的高频前端电路30的结构图。另外，在该图中，关于与高频前端电路30连接的天线元件2、rf信号处理电路(rfic)3、以及基带信号处理电路(bbic)4也一起进行了图示。高频前端电路30、rf信号处理电路3和基带信号处理电路4构成了通信装置40。

高频前端电路30具备：实施方式1涉及的多工器1、接收侧开关13以及发送侧开关23、低噪声放大器电路14和功率放大器电路24。

多工器1具备4个滤波器。具体而言，多工器1除了第1滤波器11以及第2滤波器21之外还具备滤波器12以及滤波器22。滤波器12是将上行频带(发送频带)作为通带的发送滤波器，配置在将公共端子port1与单独端子port12连结的路径上。滤波器22是将上行频带(发送频带)作为通带的发送滤波器，配置在将公共端子port1与单独端子port22连结的路径上。

接收侧开关13是具有与作为多工器1的输出端子的第1端子port11以及第2端子port21单独连接的两个选择端子、和与低噪声放大器电路14连接的公共端子的开关电路。

发送侧开关23是具有与作为多工器1的输入端子的单独端子port12以及port22单独连接的两个选择端子、和与功率放大器电路24连接的公共端子的开关电路。

这些接收侧开关13以及发送侧开关23分别按照来自控制部(未图示)的控制信号来连接公共端子和与给定的频带对应的信号路径，例如由spdt(singlepoledoublethrow，单刀双掷)型的开关构成。另外，与公共端子连接的选择端子不限于一个，也可以为多个。也就是说，高频前端电路30也可以应对载波聚合。

低噪声放大器电路14是将经由天线元件2、多工器1以及接收侧开关13的高频信号(在此为高频接收信号)进行放大并向rf信号处理电路3输出的接收放大电路。

功率放大器电路24是将从rf信号处理电路3输出的高频信号(在此为高频发送信号)进行放大并经由发送侧开关23以及多工器1而输出到天线元件2的发送放大电路。

rf信号处理电路3通过下转换等对从天线元件2经由接收信号路径而输入的高频接收信号进行信号处理，并将进行该信号处理而生成的接收信号向基带信号处理电路4输出。此外，rf信号处理电路3通过上转换等对从基带信号处理电路4输入的发送信号进行信号处理，并将进行该信号处理而生成的高频发送信号向功率放大器电路24输出。rf信号处理电路3例如为rfic。

由基带信号处理电路4处理后的信号例如作为图像信号而用于图像显示，或者作为声音信号而用于通话。

另外，高频前端电路30也可以在上述的各构成要素之间具备其他电路元件。

根据如以上那样构成的高频前端电路30以及通信装置40，通过具备上述实施方式1涉及的多工器1，从而能够抑制在第1滤波器11的通带外产生的阻带响应，能够降低在第2滤波器21的通带内产生的插入损耗。

另外，高频前端电路30也可以具备实施方式1的变形例1的第1滤波器11、以及实施方式2及实施方式2的变形例1涉及的第1滤波器11a，来取代实施方式1涉及的多工器1的第1滤波器11。

此外，通信装置40根据高频信号的处理方式，也可以不具备基带信号处理电路4。

(其他实施方式)

以上，关于本发明的实施方式涉及的多工器、高频前端电路以及通信装置，列举实施方式及其变形例进行了说明，但是关于本发明，将上述实施方式以及变形例中的任意的构成要素组合而实现的其他实施方式、在不脱离本发明的主旨的范围内对上述实施方式实施本领域技术人员想到的各种变形而得到的变形例、内置有本发明涉及的高频前端电路以及通信装置的各种设备也包含在本发明中。

例如，在上述实施方式3中，以包含4个滤波器的多工器为例进行了说明，但本发明例如对于3个滤波器的天线端子被公共化的三工器、6个滤波器的天线端子被公共化的六工器也能够适用。也就是说，多工器只要具备两个以上的滤波器即可。

此外，在上述实施方式1中，示出了第1滤波器以及第2滤波器双方为接收滤波器的例子。但是，本发明只要是第1滤波器的阻带响应位于第2滤波器的通带外的多工器，就不限定于第1以及第2滤波器的用途等，均能够适用。因此，第1以及第2滤波器也可以至少一方为接收滤波器。多工器并不限于具备发送滤波器以及接收滤波器双方的结构，也可以为仅具备发送滤波器或者仅具备接收滤波器的结构。

此外，在上述实施方式1中，示出了谐振器110不具有偏移电极指(与电极指对置并从对方侧的汇流条电极突出的电极)的例子，但并不限于此，各谐振器也可以具有偏移电极指。

此外，构成idt电极32以及反射器32c的密接层324、主电极层325以及保护层326的材料并不限定于上述的材料。进而，idt电极32也可以不是上述层叠构造。idt电极32例如也可以由ti、al、cu、pt、au、ag、pd等金属或合金构成，此外，还可以由上述金属或合金所构成的多个层叠体构成。此外，也可以不形成保护层326。

此外，在实施方式1的谐振器110中的基板320之中，高声速支承基板329也可以具有支承基板和所传播的体波的声速与在压电体层327中传播的表面波、边界波的弹性波相比成为高速的高声速膜被层叠的构造。

此外，在实施方式1中，示出了构成第1滤波器11的idt电极32形成在具有压电体层327的基板320上的例子，但形成idt电极32的基板也可以是由压电体层327的单层构成的压电基板。该情况下的压电基板例如由litao3的压电单晶或者linbo3等其他压电单晶构成。此外，形成idt电极32的基板320只要具有压电性，除了整体由压电体层构成的构造之外，还可以使用在支承基板上层叠有压电体层的构造。

此外，上述实施方式1涉及的压电体层327使用了50°y切割x传播litao3单晶，但单晶材料的切割角并不限定于此。也就是说，也可以根据弹性波滤波器装置的要求通过特性等来适当变更层叠构造、材料以及厚度，即便是使用了具有上述以外的切割角的litao3压电基板或linbo3压电基板等的声表面波滤波器，也能够起到同样的效果。

(概括)

本发明的一个方式涉及的多工器具备：公共端子、第1端子以及第2端子；第1滤波器，配置在将所述公共端子与所述第1端子连结的第1路径上，具有多个弹性波谐振器；以及第2滤波器，配置在将所述公共端子与所述第2端子连结的第2路径上，通带的频率比所述第1滤波器高，所述多个弹性波谐振器包括：两个以上的串联谐振器，配置在所述第1路径上；以及一个以上的并联谐振器，配置在将所述第1路径上的节点与接地连结的路径上，所述两个以上的串联谐振器之中最靠近所述公共端子的第1串联谐振器不经由所述并联谐振器而与所述公共端子连接，所述多个弹性波谐振器具有：具有压电性的基板；以及idt电极，由形成在所述基板上的一对梳齿状电极构成，所述第1串联谐振器、以及所述一个以上的并联谐振器之中最靠近所述公共端子的第1并联谐振器的至少一方的所述idt电极与其余的所述多个弹性波谐振器的所述idt电极相比，每单位面积的重量更大。

这样，通过将第1串联谐振器以及第1并联谐振器的至少一方的idt电极的每单位面积的重量构成为比其余的谐振器的idt电极的每单位面积的重量大，从而能够抑制给第2滤波器带来较大影响的第1串联谐振器以及第1并联谐振器的上述一方的阻带响应。由此，能够有效地抑制在第1滤波器的阻带中产生的响应，能够降低第2滤波器的通带中的插入损耗。

此外，也可以是，所述第1串联谐振器以及所述第1并联谐振器的所述idt电极与其余的所述多个弹性波谐振器的所述idt电极相比，每单位面积的重量更大。

这样，通过将第1串联谐振器以及第1并联谐振器双方的idt电极的每单位面积的重量构成为比其余的谐振器的idt电极的每单位面积的重量大，从而能够抑制给第2滤波器带来影响的第1串联谐振器以及第1并联谐振器双方的阻带响应。由此，能够有效地抑制在第1滤波器的阻带中产生的响应，能够降低第2滤波器的通带中的插入损耗。

为了达到上述目的，本发明的一个方式涉及的多工器具备：公共端子、第1端子以及第2端子；第1滤波器，配置在将所述公共端子与所述第1端子连结的第1路径上，具有多个弹性波谐振器；以及第2滤波器，配置在将所述公共端子与所述第2端子连结的第2路径上，通带的频率比所述第1滤波器高，所述多个弹性波谐振器包括：一个以上的串联谐振器，配置在所述第1路径上；以及两个以上的并联谐振器，配置在将所述第1路径与接地连结的路径上，所述两个以上的并联谐振器包括从所述一个以上的串联谐振器之中最靠近所述公共端子的第1串联谐振器观察位于所述公共端子侧的第1并联谐振器、以及位于所述第1端子侧的并联谐振器，所述多个弹性波谐振器具有：具有压电性的基板；以及idt电极，由形成在所述基板上的一对梳齿状电极构成，所述第1并联谐振器以及所述第1串联谐振器的至少一方的idt电极与其余的所述多个弹性波谐振器的所述idt电极相比，每单位面积的重量更大。

这样，通过将第1并联谐振器以及第1串联谐振器的至少一方的idt电极的每单位面积的重量构成为比其余的谐振器的idt电极的每单位面积的重量大，从而能够抑制给第2滤波器带来较大影响的第1并联谐振器以及第1串联谐振器的上述一方的阻带响应。由此，能够有效地抑制在第1滤波器的阻带中产生的响应，能够降低第2滤波器的通带中的插入损耗。

此外，也可以是，所述第1并联谐振器以及所述第1串联谐振器的所述idt电极与其余的所述多个弹性波谐振器的所述idt电极相比，每单位面积的重量更大。

这样，通过将第1并联谐振器以及第1串联谐振器双方的idt电极的每单位面积的重量构成为比其余的谐振器的idt电极的每单位面积的重量大，从而能够抑制给第2滤波器带来影响的第1并联谐振器以及第1串联谐振器双方的阻带响应。由此，能够有效地抑制在第1滤波器的阻带中产生的响应，能够降低第2滤波器的通带中的插入损耗。

此外，也可以是，所述基板具备：压电体层，在一个主面上形成有所述idt电极；高声速支承基板，所传播的体波声速与在所述压电体层中传播的弹性波声速相比为高速；以及低声速膜，配置在所述高声速支承基板与所述压电体层之间，所传播的体波声速与在所述压电体层中传播的体波声速相比为低速。

由此，能够将包括形成在具有压电体层的基板上的idt电极的各谐振器的q值维持在较高的值。

此外，由所述第1滤波器产生的阻带响应的频率也可以包含在所述第2滤波器的频率通带中。

据此，能够抑制在第1滤波器的阻带中产生的响应，并且降低第2滤波器的通带中的插入损耗。

此外，本发明的一个方式涉及的高频前端电路具备：上述任一个多工器；以及与所述多工器连接的放大电路。

由此，能够提供一种能够抑制在第1滤波器的阻带中产生的响应并且降低第2滤波器中的通带的插入损耗的高频前端电路。

此外，本发明的一个方式涉及的通信装置具备：rf信号处理电路，对由天线元件收发的高频信号进行处理；以及上述高频前端电路，在所述天线元件与所述rf信号处理电路之间传递所述高频信号。

由此，能够提供一种能够抑制在第1滤波器的阻带中产生的响应并且降低第2滤波器中的通带的插入损耗的通信装置。

产业上的可利用性

本发明作为能够适用于多频带系统的多工器、前端电路以及通信装置，能够广泛地利用于便携式电话等通信设备。

附图标记说明

1多工器；

2天线元件；

3rf信号处理电路(rfic)；

4基带信号处理电路(bbic)；

11、11a第1滤波器；

12、22滤波器；

13接收侧开关；

14低噪声放大器电路；

21第2滤波器；

23发送侧开关；

24功率放大器电路；

30高频前端电路；

32idt电极；

32a、32b梳齿状电极；

32c反射器；

40通信装置；

110谐振器；

111a、111d～111h、111p～113p并联谐振器；

111b、111c、111s～114s串联谐振器；

320基板；

321a、321b汇流条电极；

322a、322b电极指；

324密接层；

325主电极层；

326保护层；

327压电体层；

328低声速膜；

329高声速支承基板；

n、n0、n1、n2、n3、n4节点；

port1公共端子；

port11第1端子；

port21第2端子；

port12、port22单独端子；

r1第1路径；

r2第2路径。