1.一种宽带输出阻抗稳定的低噪声放大器，其特征在于：设有输入匹配级、噪声抵消级和输出匹配级，其中，
所述输入匹配级包括：第一晶体管(m1)、第二晶体管(m2)和第三晶体管(m3)；所述第一晶体管(m1)的栅极与第二晶体管(m2)的栅极、第一电阻(r1)的第一端、输入信号(in)和第四晶体管(m4)的栅极连接；所述第二晶体管(m2)的漏极与第一晶体管(m1)的漏极、第一电阻(r1)的第二端和第一电容(c1)的第一端连接；所述第二晶体管(m2)的源极与第三晶体管(m3)的漏极连接。
所述噪声抵消级包括：第四晶体管(m4)、第五晶体管(m5)和第六晶体管(m6)；
其中，所述第四晶体管(m4)的漏极与第五晶体管(m5)的源极连接；所述第五晶体管(m5)的漏极与第二电容(c2)的第一端、第六晶体管(m6)的源极连接；所述第六晶体管(m6)的栅极与第一电容(c1)的第二端和第二电阻(r2)的第一端连接；
所述输出匹配级包括：第七晶体管(m7)和第八晶体管(m8)；所述第七晶体管(m7)的漏极与第八晶体管(m8)的源极和输出信号(out)连接；所述第八晶体管(m8)的栅极与第二电容(c2)的第二端和第三电阻(r3)的第一端连接。
2.根据权利要求1所述的宽带输出阻抗稳定的低噪声放大器，其特征在于，所述第三晶体管(m3)的源极、第三晶体管(m2)的衬底、第二晶体管(m2)的衬底、第六晶体管(m6)的漏极、第八晶体管(m8)的漏极、和第二电阻(r2)的第二端和第三电阻(r3)的第二端均与第一电压源(v1)连接；
所述第三晶体管(m3)的栅极与第二电压源(v2)连接；
所述第五晶体管(m5)的栅极与第三电压源(v3)连接；
所述第七晶体管(m7)的栅极与第四电压源(v4)连接；
所述第一晶体管(m1)的源极、第一晶体管(m1)的衬底、第四晶体管(m4)的源极、第四晶体管(m4)的衬底、第五晶体管(m5)的衬底、第六晶体管(m6)的衬底、第七晶体管(m7)的源极、第七晶体管(m7)的衬底和第八晶体管(m8)的衬底均与接地端连接。
3.根据权利要求2所述的混频器，其特征在于，所述第二晶体管(m2)和第三晶体管(m3)均为pmos晶体管，其余均为nmos晶体管。
4.根据权利要求3所述的混频器，其特征在于，所述第一电压源(v1)提供直流偏置电压，且电压值为1.8v。