半导体装置的制作方法

相关申请的交叉引用

本申请要求2018年5月8日向韩国知识产权局提交的第10-2018-0052755号韩国申请的优先权，其公开内容通过引用整体合并于此。

本发明的各种实施例总体涉及一种半导体集成电路。特别地，所述实施例涉及一种半导体装置。

背景技术：

半导体装置由于其集成而可以被形成为多个单个芯片的层叠结构。

由于层叠芯片中的每个芯片可能在操作环境和工艺方面不同，所以层叠芯片的操作速度可能彼此不同。

由于施加到层叠芯片中的每个芯片的电压的电平可能彼此不同并且这些芯片的温度可能彼此不同，所以层叠芯片的操作速度可能彼此不同。

技术实现要素：

本文描述了能够将层叠芯片的操作速度控制为彼此相同的半导体装置。

在一个实施例中，一种半导体装置包括：第一芯片，其响应于检测使能信号来产生第一振荡器信号，以及响应于zq使能信号来激活zq电路；和第二芯片，其响应于检测使能信号将所述第一振荡器信号的频率与第二振荡器信号的频率相互比较来产生zq使能信号，其中，第一芯片通过穿通(throughelectrode)电极将所述第一振荡器信号传输到第二芯片，并且第二芯片通过所述穿通电极将所述zq使能信号传输到第一芯片。

在一个实施例中，一种半导体装置包括：第一芯片，其被配置为产生第一振荡器信号；以及层叠在第一芯片上的第二芯片，其被配置为产生第二振荡器信号。第一芯片被配置为产生第一振荡器信号，将所述第二振荡器信号与所述第一振荡器信号相互比较，并且将比较结果输出到第二芯片。第一芯片与第二芯片通过至少一个穿通电极而彼此电连接。

在一个实施例中，一种半导体装置包括：第一芯片，其响应于检测使能信号来产生zq校准码，并且响应于更新信号来控制第一芯片中的信号传输时间；以及第二芯片，其通过将参考码与所述zq校准码相互比较来产生所述更新信号，其中，第一芯片通过穿通电极将所述zq校准码传输至第二芯片，并且第二芯片通过所述穿通电极将所述更新信号传输至第一芯片。

在一个实施例中，一种半导体装置包括：第一芯片以及第二芯片，所述第二芯片通过穿通电极而电连接到第一芯片。第一芯片被配置为：将从第二芯片产生的zq校准码与参考码相互比较，并且将比较结果输出到第二芯片。

在一个实施例中，一种半导体装置包括：第一芯片，其被配置为产生表示在其中行进的内部信号的代表信号；以及第二芯片，其被配置为控制第一芯片，以通过zq校准来将内部信号的内部传输时间调整与所述代表信号和参考信号之间的差异相对应的量。

在根据该实施例的半导体装置中，允许层叠芯片以基本上相同的操作速度来操作，使得有可能改善半导体装置的操作性能并减少其电流消耗。

附图说明

图1是根据本发明的实施例的半导体装置的配置图。

图2是图1的比较电路的配置图。

图3是图2的第一频率比较电路的配置图。

图4是用于解释图3的第一频率比较电路的操作的时序图。

图5是根据本发明另一实施例的半导体装置的配置图。

图6是图5的比较电路的配置图。

图7是图6的第一更新信号发生电路的配置图。

具体实施方式

本公开的技术精神可以以各种方式改变，并且可以被实现为具有各个方面的实施例。在下文中，将通过一些实施例的方式描述本公开，使得本领域技术人员可以容易地实践本公开的实施例。注意，对“实施例”的引用不一定意味着仅一个实施例，并且对“实施例”的不同的引用不一定是引用(一个或多个)相同的实施例。

应当理解，尽管本文可以使用术语“第一”和/或“第二”来描述各种元件，但是这些元件不应受这些术语的限制。这些术语仅用于区分一个元件与另一个元件。例如，在不脱离本公开的教导的情况下，下面讨论的第一元件可以被称为第二元件。类似地，第二元件也可以称为第一元件。

应当理解，当一个元件被称为“耦接”或“连接”到另一个元件时，它可以直接耦接或连接到其他元件，或者在它们之间可以存在居间元件。相反，应该理解，当元件被称为“直接耦接”或“直接连接”到另一个元件时，不存在居间元件。解释元件之间的关系的其他表达(诸如“在......之间”、“直接在......之间”、“与......相邻”或“与...直接相邻”)应该以相同的方式来解释。

本文使用的术语仅用于描述特定实施例的目的，而不旨在要进行限制。在本公开中，除非上下文另有明确说明，否则单数形式也旨在包括复数形式。将进一步理解，当在本说明书中使用时，术语“包括”、“包含”、“具有”等指定了存在所阐述的特征、数字、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组合，但不排除存在或添加一个或多个其他特征、数字、步骤、操作、元件、组件和/或其组合。

在下文中，将通过实施例的各种示例参考附图在下面描述半导体装置。

图1是根据本发明的实施例的半导体装置400的配置图。

参考图1，根据实施例的半导体装置400可以包括通过多个穿通电极te_1至te_8层叠的第一芯片至第三芯片100、200和300。穿通电极te_1至te_8可以包括如利用硅通孔(tsv)、微凸块等使芯片相互电连接的所有元件。

第一芯片至第三芯片100、200和300可以通过多个穿通电极te_1至te_8相互电连接，并且可以相互层叠。第一芯片100可以电连接到外部控制电路(例如，控制器)，并且可以使外部控制电路与第二芯片200和第三芯片300相互电连接。多个穿通电极te_1至te_8中的每一个可以被设置在不同的芯片之间以传输信号。

第一芯片100可以包括比较电路110。

当检测使能信号det_en被使能时，比较电路110可以将从第二芯片200和第三芯片300传输的第一振荡器信号osc_1和第二振荡器信号osc_2中的每一个与第零振荡器信号osc_r进行比较。比较电路110可以相应地基于比较的结果向第二芯片200和第三芯片300提供第一zq使能信号en_1和第二zq使能信号en_2。

例如，当检测使能信号det_en被使能时，比较电路110可以将第零振荡器信号osc_r的频率与第一振荡器信号osc_1的频率相互比较，从而产生第一zq使能信号en_1。当检测使能信号det_en被使能时，比较电路110可以将第零振荡器信号osc_r的频率与第二振荡器信号osc_2的频率相互比较，从而产生第二zq使能信号en_2。

不论温度和电压如何变化，第零振荡器信号osc_r都可以具有恒定的频率，并且第一振荡器信号osc_1和第二振荡器信号osc_2可以具有根据温度和电压的变化而改变的频率。检测使能信号det_en可以通过从外部控制电路接收的命令而产生。

第一芯片100还可以包括第零振荡器120。第零振荡器120可以产生第零振荡器信号osc_r。

因此，当检测使能信号det_en被使能时，第一芯片100可以将从第二芯片200和第三芯片300传输的第一振荡器信号osc_1和第二振荡器信号osc_2中的每一个与第零振荡器信号osc_r进行比较，并且将第一zq使能信号en_1和第二zq使能信号en_2分别提供给第二芯片200和第三芯片300。

第二芯片200可以接收来自第一芯片100的第一zq使能信号en_1和检测使能信号det_en，并且将第一振荡器信号osc_1提供给第一芯片100。

第二芯片200可以包括第一振荡器210、第一zq电路220和第一时序调整电路230。

当检测使能信号det_en被使能时，第一振荡器210可以产生第一振荡器信号osc_1。在这种情况下，第一振荡器210可以产生具有取决于电压和温度的变化的频率的第一振荡器信号osc_1。

当第一zq使能信号en_1被使能时，第一zq电路220可以产生第一zq校准码zq_code1。第一zq电路220可以包括zq校准电路。

第一时序调整电路230可以响应于第一zq校准码zq_code1来控制在第二芯片200内行进的信号的传输时序。例如，当第一zq校准码zq_code1的码值增大时，第一时序调整电路230可以使在第二芯片200内行进的信号的传输时间增加或减少。

第三芯片300可以接收来自第一芯片100的第二zq使能信号en_2和检测使能信号det_en，并且将第二振荡器信号osc_2提供给第一芯片100。

第三芯片300可以包括第二振荡器310、第二zq电路320和第二时序调整电路330。

当检测使能信号det_en被使能时，第二振荡器310可以产生第二振荡器信号osc_2。在这种情况下，第二振荡器310可以产生具有取决于电压和温度的变化的频率的第二振荡器信号osc_2。

当第二zq使能信号en_2被使能时，第二zq电路320可以产生第二zq校准码zq_code2。第二zq电路320可以包括zq校准电路。

第二时序调整电路330可以响应于第二zq校准码zq_code2来控制在第三芯片300内行进的信号的传输时序。例如，当第二zq校准码zq_code2的码值增大时，第二时序调整电路330可以使在第三芯片300内行进的信号的传输时间增加或减少。

第一穿通电极te_1至第五穿通电极te_5可以被设置在第一芯片100与第二芯片200之间，并且可以在第一芯片100与第二芯片200之间传输信号。第六穿通电极te_6至第八穿通电极te_8可以被设置在第二芯片200与第三芯片300之间，并且可以在第二芯片200与第三芯片300之间传输信号。通过第一穿通电极te_1和第六穿通电极te_6，可以将第二zq使能信号en_2从第一芯片100经由第二芯片200传输到第三芯片300。通过第二穿通电极te_2，可以将第一zq使能信号en_1从第一芯片100传输到第二芯片200。通过第三穿通电极te_3和第七穿通电极te_7，可以将第二振荡器信号osc_2从第三芯片300经由第二芯片200传输到第一芯片100。通过第四穿通电极te_4，可以将第一振荡器信号osc_1从第二芯片200传输到第一芯片100。通过第五穿通电极te_5和第八穿通电极te_8，可以将检测使能信号det_en从第一芯片100传输到第二芯片200和第三芯片300。

图2是图1的比较电路110的配置图。

参考图2，比较电路110可以包括第一频率比较电路111和第二频率比较电路112。

当检测使能信号det_en被使能时，第一频率比较电路111可以基于第零振荡器信号osc_r和第一振荡器信号osc_1来产生第一zq使能信号en_1。例如，当检测使能信号det_en被使能时，如果第一振荡器信号osc_1的频率在关于第零振荡器信号osc_r的频率的预定范围(例如，10hz)之外，则第一频率比较电路111将第一zq使能信号en_1使能。更具体地，当检测使能信号det_en被使能时，如果第一振荡器信号osc_1的频率高于或低于关于第零振荡器信号osc_r的频率的预定范围10hz，则第一频率比较电路111将第一zq使能信号en_1使能。

当检测使能信号det_en被使能时，第二频率比较电路112可以响应于第零振荡器信号osc_r和第二振荡器信号osc_2来产生第二zq使能信号en_2。例如，当检测使能信号det_en被使能时，如果第二振荡器信号osc_2的频率在关于第零振荡器信号osc_r的频率的预定范围(例如，10hz)之外，则第二频率比较电路112将第二zq使能信号en_2使能。更具体地，当检测使能信号det_en被使能时，如果第二振荡器信号osc_2的频率高于或低于关于第零振荡器信号osc_r的频率的预定范围10hz，则第二频率比较电路112将第二zq使能信号en_2使能。

除了输入/输出信号之外，第一频率比较电路111和第二频率比较电路112可以具有实质相同的配置。

图3是图2的第一频率比较电路111的配置图。图4是用于解释图3的第一频率比较电路111的操作的时序图。

参考图3，第一频率比较电路111可以包括第一tdc(时间数字转换器)电路111-1和第二tdc(时间数字转换器)电路111-2、减法电路111-3和码比较电路111-4。

第一tdc电路111-1可以响应于第一振荡器信号osc_1来产生第一周期码(periodcode)t-c1。例如，第一tdc电路111-1可以产生具有与第一振荡器信号osc_1的周期相对应的码值的第一周期码t-c1。更具体地，参考图4，第一tdc电路111-1可以产生具有与第一振荡器信号osc_1的特定电平(例如，高电平)的持续时间相对应的码值的第一周期码t-c1。

第二tdc电路111-2可以响应于第零振荡器信号osc_r来产生第二周期码t-c2。例如，第二tdc电路111-2可以产生具有与第零振荡器信号osc_r的周期相对应的码值的第二周期码t-c2。更具体地，参考图4，第二tdc电路111-2可以产生具有与第零振荡器信号osc_r的特定电平(例如，高电平)的持续时间相对应的码值的第二周期码t-c2。第一tdc电路111-1和第二tdc电路111-2中的每一个可以包括时间到数字转换器。

减法电路111-3可以通过对第一周期码t-c1和第二周期码t-c2执行减法运算来产生减法码s_code。如图4中所示，减法码s_code的码值可以与第一振荡器信号osc_1的频率和第零振荡器信号osc_r的频率之间的差相对应。

码比较电路111-4可以通过将减法码s_code和偏移码(offsetcode)os_code相互比较来产生第一zq使能信号en_1。例如，当减法码s_code的码值大于偏移码os_code的码值时，码比较电路111-4可以将第一zq使能信号en_1使能。当减法码s_code的码值小于偏移码os_code的码值时，码比较电路111-4可以将第一zq使能信号en_1禁止。

当第一振荡器信号osc_1的频率在关于第零振荡器信号osc_r的频率的预定范围之外时，即，当通过转换第一振荡器信号osc_1的频率而获得的第一周期码t-c1的码值比通过转换第零振荡器信号osc_r的频率而获得的第二周期码t-c2的码值大偏移码os_code的码值的量时，第一频率比较电路111可以将第一zq使能信号en_1使能。

除了输入/输出信号之外，第一频率比较电路111与第二频率比较电路112可以具有实质相同的配置。因此，这里将省略比较电路112的详细描述。

在下文中，将描述根据本发明实施例的参考图1至图4描述的半导体装置400的操作。

用于将检测使能信号det_en使能的命令或信号可以从外部输入到半导体装置400。

尽管图1至图4例示了包括三个芯片100、200和300的层叠结构的半导体装置400，但是实施例不限于此。即，所层叠的芯片数量可以根据设计要求而变化。

当检测使能信号det_en被使能时，第一芯片100可以将从第二芯片200和第三芯片300传输的第一振荡器信号osc_1和第二振荡器信号osc_2的各频率中的每一个与第零振荡器信号osc_r的频率进行比较。第一芯片100可以将比较结果作为第一zq使能信号en_1和第二zq使能信号en_2分别传输到第二芯片200和第三芯片300。

在下文中，将更具体地描述每个芯片的操作。

当检测使能信号det_en被使能时，第二芯片200的第一振荡器210产生具有取决于温度或电压的变化的频率的第一振荡器信号osc_1，并且将第一振荡器信号osc_1提供给第一芯片100。

当检测使能信号det_en被使能时，第三芯片300的第二振荡器310产生具有取决于温度或电压的变化的频率的第二振荡器信号osc_2，并且将第二振荡器信号osc_2提供给第一芯片100。

当检测使能信号det_en被使能时，第一芯片100可以将从第二芯片200和第三芯片300传输的第一振荡器信号osc_1和第二振荡器信号osc_2之中的每一个与第零振荡器信号osc_r进行比较。第一芯片100可以将比较结果作为第一zq使能信号en_1和第二zq使能信号en_2分别传输到第二芯片200和第三芯片300。

第一芯片100包括比较电路110，所述比较电路110将第一振荡器信号osc_1和第二振荡器信号osc_2之中的每个信号与第零振荡器信号osc_r进行比较，并且产生第一zq使能信号en_1和第二zq使能信号en_2。

当第一振荡器信号osc_1的频率在关于第零振荡器信号osc_r的频率的预定范围之外时，比较电路110将第一zq使能信号en_1使能。此外，当第二振荡器信号osc_2的频率在关于第零振荡器信号osc_r的频率的预定范围之外时，比较电路110将第二zq使能信号en_2使能。

当第一zq使能信号en_1被使能时，第二芯片200将第一zq电路220激活。已激活的第一zq电路220产生第一zq校准码zq_code1。第一zq校准码zq_code1被输入到第一时序调整电路230，并且第一时序调整电路230响应于第一zq校准码zq_code1来控制在第二芯片200内行进的信号的传输时序。

当第二zq使能信号en_2被使能时，第三芯片300将第二zq电路320激活。已激活的第二zq电路320产生第二zq校准码zq_code2。第二zq校准码zq_code2被输入到第二时序调整电路330，并且第二时序调整电路330响应于第二zq校准码zq_code2来控制在第三芯片300内行进的信号的传输时序。

如上所述，根据实施例的半导体装置400被配置为使得当检测使能信号det_en被使能时，每个层叠的芯片200或300产生具有取决于电压和温度中的变化的频率的振荡器信号osc_1或osc_2。半导体装置400确定在每个芯片200或300中产生的振荡器信号osc_1或osc_2是否是具有在关于第零振荡器信号osc_r的频率的预定范围之外的频率的信号，即确定每个芯片200或300中的内部信号(例如，振荡器信号osc_1或osc_2)的频率变化是否超出预设范围，并且当频率变化大到超出预设范围时将提供给每个芯片200或300的zq使能信号en_1或en_2使能。已经接收到被使能的zq使能信号en_1或en_2的芯片将zq校准电路220或320激活以产生zq校准码zq_code1或zq_code2，并且响应于所产生的zq校准码zq_code1或zq_code2，再次设置内部信号的传输时序(延迟时间、潜伏时间等)。

结果，根据实施例的半导体装置400可以允许层叠芯片的操作速度彼此相同，从而改善半导体装置400的操作性能并且减少其电流消耗。

图5是根据本发明另一实施例的半导体装置的配置图。

如图5中所示，根据另一实施例的半导体装置可以包括第一芯片至第三芯片100a、200a和300a。

第一芯片至第三芯片100a、200a和300a可以通过多个穿通电极te_1至te_8相互电连接，并且可以相互层叠。第一芯片100a可以电连接到外部控制电路(例如，控制器)，并且可以使外部控制电路与第二芯片200a和第三芯片300a相互电连接。穿通电极te_1至te_8可以包括如利用硅通孔(tsv)、微凸块等使芯片相互电连接的所有元件。

第一芯片100a可以将从第二芯片200a和第三芯片300a传输的第一zq校准码zq_code1和第二zq校准码zq_code2中的每个一个与参考码code_ref进行比较。第一芯片100a可以将比较结果作为第一更新信号up_da和第二更新信号up_db分别提供给第二芯片200a和第三芯片300a。例如，第一芯片100a可以将第一zq校准码zq_code1和参考码code_ref相互比较，并且将比较结果作为第一更新信号up_da提供给第二芯片200a。第一芯片100a可以将第二zq校准码zq_code2与参考码code_ref相互比较，并且将比较结果作为第二更新信号up_db提供给第三芯片300a。

第一芯片100a可以包括比较电路110a。

比较电路110a可以将参考码code_ref的码值与第一zq校准码zq_code1的码值相互比较，并且当第一zq校准码zq_code1具有在关于参考码code_ref的预定范围之外的码值时，产生第一更新信号up_da。在这种情况下，比较电路110a可以产生第一更新信号up_da，该第一更新信号up_da具有与参考码code_ref的码值与第一zq校准码zq_code1的码值之间的差相对应的值。此外，比较电路110a可以将参考码code_ref的码值与第二zq校准码zq_code2的码值相互比较，并且当第二zq校准码zq_code2具有在关于参考码code_ref的预定范围之外的码值时，产生第二更新信号up_db。在这种情况下，比较电路110a可以产生第二更新信号up_db，该第二更新信号up_db具有与参考码code_ref的码值与第二zq校准码zq_code2的码值之间的差相对应的值。

第二芯片200a可以包括第一zq电路210a和第一时序调整电路220a。

当检测使能信号det_en被使能时，第一zq电路210a产生第一zq校准码zq_code1。

第一时序调整电路220a可以响应于第一更新信号up_da来控制在第二芯片200a内行进的信号的传输时序。

第三芯片300a可以包括第二zq电路310a和第二时序调整电路320a。

当检测使能信号det_en被使能时，第二zq电路310a产生第二zq校准码zq_code2。

第二时序调整电路320a可以响应于第二更新信号up_db来控制在第三芯片300a内行进的信号的传输时序。

第一zq电路210a和第二zq电路310a中的每一个都可以用zq校准电路来实现。

图6是图5的比较电路110a的配置图。

参考图6，比较电路110a可以包括第一更新信号发生电路111a和第二更新信号发生电路112a。

第一更新信号发生电路111a可以响应于参考码code_ref的码值与第一zq校准码zq_code1的码值之间的差来产生第一更新信号up_da。例如，第一更新信号发生电路111a可以产生第一更新信号up_da，该第一更新信号up_da具有与第一zq校准码zq_code1的码值与参考码code_ref的码值之间的差相对应的值。

第二更新信号发生电路112a可以响应于参考码code_ref的码值与第二zq校准码zq_code2的码值之间的差来产生第二更新信号up_db。例如，第二更新信号发生电路112a可以产生第二更新信号up_db，该第二更新信号up_db具有与第二zq校准码zq_code2的码值与参考码code_ref的码值之间的差相对应的值。

除了输入/输出信号之外，第一更新信号发生电路111a与第二更新信号发生电路112a可以具有实质相同的配置。

图7是图6的第一更新信号发生电路111a的配置图。

参考图7，第一更新信号发生电路111a可以包括码比较电路111a-1、加法电路111a-2、减法电路111a-3、选择电路111a-4和输出控制电路111a-5。

码比较电路111a-1可以通过将第一zq校准码zq_code1的码值与参考码code_ref的码值相互比较来产生码比较信号c_c。例如，码比较电路111a-1可以输出关于第一zq校准码zq_code1的码值与参考码code_ref的码值之间的差的信息，比如码比较信号c_c。码比较信号c_c可以包括：关于第一zq校准码zq_code1的码值与参考码code_ref的码值中哪一个大还是小的信息，以及关于第一zq校准码zq_code1的码值与参考码code_ref的码值之间的差的量的信息。

当第一zq校准码zq_code1的码值小于参考码code_ref的码值时，可以响应于码比较信号c_c而激活加法电路111a-2。加法电路111a-2可以响应于第一zq校准码zq_code1和码比较信号c_c来产生加法码a_code。例如，加法电路111a-2可以将第一zq校准码zq_code1的码值增加由包括在码比较信号c_c中的信息(即，关于第一zq校准码zq_code1的码值与参考码code_ref的码值之间的差的信息)所指示的量，并且输出加法码a_code。

当第一zq校准码zq_code1的码值大于参考码code_ref的码值时，可以响应于码比较信号c_c而激活减法电路111a-3。减法电路111a-3可以响应于第一zq校准码zq_code1和码比较信号c_c来产生减法码s_code。例如，减法电路111a-3可以将第一zq校准码zq_code1的码值减小由包括在码比较信号c_c中的信息(即，关于第一zq校准码zq_code1的码值与参考码code_ref的码值之间的差的信息)所指示的量，并且输出减法码s_code。

选择电路111a-4可以响应于码比较信号c_c将加法码a_code和减法码s_code中的一个输出为选择码sel_code。例如，响应于包括指示第一zq校准码zq_code1的码值小于参考码code_ref的码值的信息的码比较信号c_c，选择电路111a-4可以将加法码a_code输出为选择码sel_code。响应于包括指示第一zq校准码zq_code1的码值大于参考码code_ref的码值的信息的码比较信号c_c，选择电路111a-4可以将减法码s_code输出为选择码sel_code。

输出控制电路111a-5可以响应于选择码sel_code和检测使能信号det_en而产生第一更新信号up_da。例如，输出控制电路111a-5可以通过对选择码sel_code进行解码来产生第一更新信号up_da，并且当检测使能信号det_en被禁止时输出所产生的第一更新信号up_da。输出控制电路111a-5可以包括：解码电路，其通过对选择码sel_code进行解码来产生第一更新信号up_da；以及触发器，其在检测使能信号det_en被禁止时输出所产生的第一更新信号up_da。

第一穿通电极te_1至第五穿通电极te_5可以被设置在第一芯片100a与第二芯片200a之间，并且可以在第一芯片100a与第二芯片200a之间传输信号。第六穿通电极te_6至第八穿通电极te_8可以被设置在第二芯片200a与第三芯片300a之间，并且可以在第二芯片200a与第三芯片300a之间传输信号。通过第一穿通电极te_1和第六穿通电极te_6，可以将检测使能信号det_en从第一芯片100a传输到第二芯片200a和第三芯片300a。通过第二穿通电极te_2，可以将第一zq校准码zq_code1从第二芯片200a传输到第一芯片100a。通过第三穿通电极te_3和第七穿通电极te_7，可以将第二zq校准码zq_code2从第三芯片300a经由第二芯片200a传输到第一芯片100a。通过第四穿通电极te_4和第八穿通电极te_8，可以将第二更新信号up_db从第一芯片100a经由第二芯片200a传输到第三芯片300a。通过第五穿通电极te_5，可以将第一更新信号up_da从第一芯片100a传输到第二芯片200a。

图6和图7的第一更新信号发生电路111a可以在第一zq校准码zq_code1小于参考码code_ref时将第一zq校准码zq_code1的码值增大第一zq校准码zq_code1与参考码code_ref之间的差的量，对已增大的码值进行解码，并且将已解码的码值输出为第一更新信号up_da。此外，第一更新信号发生电路111a可以在第一zq校准码zq_code1大于参考码code_ref时将第一zq校准码zq_code1的码值减小第一zq校准码zq_code1与参考码code_ref之间的差的量，对已减小的码值进行解码，并且将已解码的码值输出为第一更新信号up_da。

在下文中，将描述根据本发明的实施例的如上参考图5至图7配置的半导体装置的操作。

当检测使能信号det_en被使能时，第二芯片200a和第三芯片300a分别产生具有取决于其电压或温度的变化的码值的第一zq校准码zq_code1和第二zq校准码zq_code2，并且将第一zq校准码zq_code1和第二zq校准码zq_code2传输到第一芯片100a。

第一芯片100a将参考码code_ref的码值与第一zq校准码zq_code1的码值相互比较，并且将比较结果作为第一更新信号up_da提供给第二芯片200a。此外，第一芯片100a将参考码code_ref的码值与第二zq校准码zq_code2的码值相互比较，并且将比较结果作为第二更新信号up_db提供给第三芯片300a。

响应于第一更新信号up_da，第二芯片200a控制在第二芯片200a内行进的信号的传输时序。

响应于第二更新信号up_db，第三芯片300a控制在第三芯片300a内行进的信号的传输时序。

如上所述，根据实施例的半导体装置被配置为使得：当检测使能信号det_en被使能时，每个层叠的芯片产生具有取决于电压和温度的变化的码值的zq校准码。半导体装置将每个芯片中产生的zq校准码与预设的参考码进行比较，该参考码是与电压和温度无关而保持稳定的，即，确定每个芯片的zq校准码的码值的变化程度，并且根据该变化产生要被提供给每个芯片的更新信号。因此，更新信号可以被产生为具有与电压或温度中的变化相对应的信息的信号。已经接收到更新信号的每个芯片被配置为响应于更新信号的信息来再次设置内部信号的传输时序(延迟时间、潜伏时间等)。

因此，根据本发明的参考图1至图7描述的半导体装置可以允许层叠的芯片的操作速度保持恒定，从而改善半导体装置的操作性能并同时降低其电流消耗。

虽然上面已经描述了各种实施例，但是本领域技术人员将理解，所描述的实施例仅是示例。因此，本文描述的半导体装置不应基于所描述的实施例受到限制。