一种低插损高频导热基板及印制电路板的制作方法

本实用新型属于电子材料技术领域，涉及一种低插损高频导热基板及印制电路板。

背景技术：

随着印刷线路板(PCB)向着高密度、多层化方向的不断发展，元器件在PCB上搭载、安装的空间大幅减少，整机电子产品对功率元器件的功率要求越来越高，小空间、大功率不可避免地产生更多的热量聚集。另一方面，随着现代通讯技术的快速发展，电子设备的工作频率越来越高，发热量越来越大。总之，把大量强大功能集成到更小的组件中，驱使印制板走向高密度化，同时信号传输高频化或高速数字化的发展，这两大因素驱使着印制板的工作温度急剧地上升。如果积聚的热量不能及时排出，将使设备的工作温度升高，长此以往，将造成元器件电气性能下降甚至毁损，严重损害设备的寿命和可靠性。大量试验和统计数据表明，电子元器件(最佳工作温度后)的温升2℃其可靠性便下降10％，温升50℃的使用寿命只有温升25℃的1/6，因此，印制板工作温度已成为影响可靠性和使用寿命的最重要的因素。

提高线路集成度及PCB功率密度的需求与日俱增，高频印刷线路板热管理的重要性更加突出。众所周知，材料的导热系数对于减小温升至关重要。高频线路板的热量本质上与线路板上的损耗密切相关。例如，表面粗糙的铜箔比表面光滑的铜箔损耗大。另一种影响损耗的材料参数是印刷线路板介质层材料的损耗因子，损耗因子越低，介电损耗越小，印刷线路板产生的热量也会越少。此外，介电常数较低的印刷线路板材料也会比介电常数较高的材料产生的损耗小，产生的热量少。一般而言，选择具有良好性能的线路板材料，如高导热系数，较低的损耗因子，光滑的铜箔表面以及低介电常数，不仅有助于设计高性能的印刷线路板，还能够改善热管理。

无源元件(线状和非线状电阻，电容，线圈，保险丝)是每个电子设备的基本组成部分，并占用印制板大量表面积。然而同时，小尺寸规格无源元件(如0402和0201)自动电装难度大，且焊点质量难以保证。多层板内埋无源元件技术可以克服这些问题，在高端产品(比如手机)制造中可有广阔应用。随着元件越变越小，制造商和组装者在这类印制板的制造、组装、检验、操作和费用控制等方面面临着许多挑战。由于减少了焊点数量，内埋无源元件更加可靠。同时，内埋式元件增加了线路密度，提升了电子设备的电气性能和功能。虽然内埋无源元件有很多优势，但是依旧有一些问题，包括断裂分层及各种埋置元件的稳定性问题。因为内埋元件通常需要多层叠构设计，而不同材料的CTE不匹配将会产生较大的热应力。与分立式元件不同，有缺陷的内埋式元件无法替换，这意味着即使一个小元件出现问题也会造成整个线路板报废。所以，保持元件长期稳定和可靠，是制造商运用这一技术的关注点。

内埋无源元件的概念在很多年前就已出现在线路板行业内。上世纪60年代末，第一次试验制作内埋电容；上世纪70年代初，开始应用NiP和NiCr层制作内埋薄层电阻；到目前为止，已开发了许多其他用于制作内埋式无源元件的材料。另外，上世纪90年代后期，CTS、3M、Oak Mitsui、Sanmina-SCI和其他公司也开始研发内埋无源元件和材料。目前，内埋薄膜电阻和材料已发展得较为成熟，代表公司有DuPont电子技术、Ohmega、Ticer、Sheldahl、W.L.CORE&ASSOCIATE和Georgia技术研究所。到本世纪，亚洲地区也开始了此项技术的研究。目前，内埋技术应用范围依旧很小，大多用于军事、航空、航天等电子产品领域。尽管如此，高度发达却不昂贵的民用电子产品对该技术的需求在不断增长，如手机、笔记本电脑和网络设备等，内埋无源元件技术由此受到广泛关注，并再一次成为焦点，被认为将是印制板发展的下一个关键技术。

之前的研究都集中于单一材料，只是单独地研究薄膜电阻或是聚合厚膜电阻。结合薄膜和厚膜电阻技术，可以制造所有可用范围内的电阻值。电阻值范围小时使用薄膜电阻可大量减小面积，同时获得精确的阻值；使用厚膜电阻可获得较大阻值，公差相对较大。聚合厚膜(PTF)电阻通常是用聚合物电阻浆制作，适用于不同印制板基材。一般，电阻浆组成是碳(炭黑和石墨)和/或混合聚合树脂的银填料(含溶剂和稀释剂，有时加入绝缘粉末填料使之具有适当的流变性能)。印制板上PTF电阻浆固化温度不应超过180℃，但一些制造商可提供固化温度达到220℃的电阻膏。电阻浆和电阻膏的方阻范围远大于薄膜电阻材料，但阻值公差较大，稳定性有限。聚合物和铜层接触面间氧化层会引起阻值偏差，且更易发生CTE不匹配造成的分层和断裂。

在厚、薄膜混合电路中，将无源分离元件做在基板上，是提高集成度的方法，这一方法也同样适用于印制板。用埋入式电阻或电容代替分离的电阻、电容元件，这样不仅可以提高密度，与一般表面封装元件相比，在高速、高性能传输印制板中，其电性能也大大提高，其优越性表现在以下几个方面：(1)有效提高线路密度。可以代替分离元件，节省板面空间，与印制板合为一体，其位置也不受其他元件限制，结果是印制板重量减轻，尺寸缩小。在有些应用中，还可以从双表面封装转为单表面封装，减轻封装负担。(2)提高电气性能。薄膜电阻的采用，大大减少了电阻元件相关的引人、引出线路，有望对所有的信号线进行匹配，在高频传输中极为关键，电感系数极低(小于纳亨)，还大大降低表面电磁干扰(EMI)。(3)改善机械性能。薄膜电阻不会象有引线或表面封装电阻元件一样，受冲击振动影响；也避免了由潮湿、灰尘引起的表面封装电阻的组装问题。(4)提高可靠性。焊点数大幅度减少，经诸多的应用实践表明，其长期可靠性极佳。(5)降低成本。薄膜电阻的应用，减少了分离电阻的用量，由于尺寸缩小，基材用量也下降，且返工工作量减少，这些都有利于降低成本。近年来高速、高性能电子产品骤增，对应高密度的同时，还要对应高频、高速传输，因此，电路板的表面封装需要转换到埋置元件PCB上来。不受寄生元件或者噪音影响，而又能高速地传输大容量的信号的关键影响因素在于电阻。内埋式电阻作业时的热稳定性是埋电阻技术是否成功的关键因素。电流通过电阻时产生热量，并且会迅速从印制板扩散至周边环境。因此需要迅速将产生的热量扩散出去，这就要求基板具有导热功能，同时要求基板具有较低的插损，也可以产生更少的热量。

因此，开发一种低插损高频导热基板非常有必要。

技术实现要素：

针对现有技术的不足，本实用新型的目的在于提供一种低插损高频导热基板及印制电路板，所述导热基板具有较高的热导率、剥离强度和集成度，且具备较低的介电常数、介电损耗和插损，可满足高频高导热电子电路基板对低介电常数、低介电损耗、低插损、高热导率、高可靠性等综合性能的要求，可作为线路板在电子产品中应用。

为达到此实用新型目的，本实用新型采用以下技术方案：

本实用新型的目的之一在于提供一种低插损高频导热基板，自上而下依次包括结合在一起的如下各层：

粗糙度Rz≤5μm的第一低轮廓铜箔层；

薄膜电阻层；

厚度为2-20μm的第一树脂层；

介电常数低于3.8、介电损耗小于0.0040、热导率为0.5-1.5W/mK的高频导热粘结片层；

厚度为2-20μm的第二树脂层；

和，粗糙度Rz≤5μm的第二低轮廓铜箔层。

本实用新型所述的低插损高导热基板具有0.5W/mK～1.5W/mK热导率、具有低于-0.25dB/5inch(2GHz)以及低于-0.51dB/5inch(5GHz)的插损，可以满足高频基板的使用要求；具有较低的插损，可进一步降低高频基板产生的热量；基板中加入薄膜电阻层，使制备的基板具有较高的集成度，可进一步提高基板的可靠性。

在本实用新型中，所述第一低轮廓铜箔层的粗糙度Rz≤5μm，例如0.1μm、0.5μm、1μm、1.5μm、2μm、2.5μm、3μm、3.5μm、4μm、4.5μm、5μm等。

在本实用新型中，所述第二低轮廓铜箔层的粗糙度Rz≤5μm，例如0.1μm、0.5μm、1μm、1.5μm、2μm、2.5μm、3μm、3.5μm、4μm、4.5μm、5μm等。

优选地，所述第一低轮廓铜箔层和第二铜箔层为粗糙度相同的低轮廓铜箔层。

本实用新型中，采用第一低轮廓铜箔层和第二低轮廓铜箔层的目的在于降低基板的插损，铜箔的粗糙度越低，基板的插损就越低；当第一低轮廓铜箔层和第二铜箔层的粗糙度偏高，则基板的插损偏高，影响基板的使用寿命。

在本实用新型中，所述薄膜电阻层的厚度为0.1-1.0μm，例如0.1μm、0.2μm、0.3μm、0.4μm、0.5μm、0.6μm、0.7μm、0.8μm、0.9μm、1.0μm等。

在本实用新型中，薄膜电阻层是为了提高基板的集成度，将电阻内埋到基板中，最终提高基板的可靠性。

在本实用新型中，所述第一树脂层的厚度为2-20μm，例如2μm、3μm、4μm、5μm、6μm、7μm、8μm、9μm、10μm、11μm、12μm、13μm、14μm、15μm、16μm、17μm、18μm、19μm、20μm等。

在本实用新型中，所述第二树脂层的厚度为2-20μm，例如2μm、3μm、4μm、5μm、6μm、7μm、8μm、9μm、10μm、11μm、12μm、13μm、14μm、15μm、16μm、17μm、18μm、19μm、20μm等。

优选地，所述第一树脂层和第二树脂层的厚度相同。

在本实用新型中，第一树脂层和第二树脂层是为了提高基板介质层与铜箔的剥离强度，因为铜箔的粗糙度比较低，与介质层的结合力比较低，需要在铜箔上涂覆一层树脂层来提高剥离强度。

本实用新型选用的树脂层的厚度为2-20μm，制备的基板具有较好的剥离强度、介电性能和热导率；当树脂层的厚度小于2μm，则制备的基板达不到提高剥离强度的目的；当树脂层的厚度大于20μm，则会影响基板的介电性能，因为树脂层的介电常数比较低，如果树脂层比较厚，则基板的介电常数会明显降低；另外，树脂层的热导率也比较低，如果树脂层比较厚，则基板的热导率也会有所下降。

本实用新型所述高频导热粘结片层的介电常数低于3.8(10GHz，SPDR)，例如其介电常数可以为3.0、3.2、3.5、3.8等；介电损耗小于0.0040(10GHz，SPDR)，例如0.0012、0.0015、0.0018、0.0020、0.0022、0.0025、0.0028、0.0030、0.0032、0.0035、0.0038、0.0039等。

在本实用新型中，所述高频导热粘结片层的热导率为0.5-1.5W/mK，例如0.5W/mK、0.6W/mK、0.7W/mK、0.8W/mK、0.9W/mK、1.0W/mK、1.1W/mK、1.2W/mK、1.3W/mK、1.4W/mK、1.5W/mK等。

本实用新型选用的高频导热粘结片层为高频高导热粘结片，具有较低的介电常数和介电损耗，因此所述的导热基板具有比较低的介电常数和介电损耗。

在本实用新型中，所述高频导热粘结片层可以由至少一张高频导热粘结片构成。

在本实用新型中，所述低轮廓铜箔层、高频导热粘结片层、薄膜电阻层、树脂层均可以由现有材料，根据现有制备方法制备得到；热导率0.5-1.5W/mK的导热粘结片层亦可以根据现有材料和现有制备方法得到。示例性的制备方法列举如下：

本实用新型中的高频导热粘结片层为将增强材料(例如玻纤布、玻纤纸等)浸渍树脂胶液，烘干溶剂，获得未固化、半固化或完全固化的粘结片层；本实用新型中的第一或第二树脂层为将树脂胶液涂覆在薄膜电阻层上或低轮廓铜箔层上获得。

本实用新型中的第一树脂层、高频导热粘结片层以及第二树脂层中使用的树脂胶液，均可以根据需要的介电常数、介质损耗、导热系数选取已知的树脂组合物配方溶于有机溶剂制得，例如树脂组合物包含树脂、引发剂、填料、阻燃剂、粘度调节剂、其它助剂等。

树脂选自带有不饱和双键的聚苯醚树脂、聚丁二烯树脂、聚丁二烯共聚物树脂、弹性体嵌段共聚物中的一种或为其中至少两种的混合物；

带有不饱和双键的聚苯醚树脂选自两末端改性基为丙烯酰基的聚苯醚树脂、两末端改性基为苯乙烯基的聚苯醚树脂、两末端改性基为乙烯基的聚苯醚树脂中的一种或为其中至少两种的混合物；

聚丁二烯树脂选自1,2-聚丁二烯树脂、马来酸酐改性的聚丁二烯树脂、丙烯酸酯改性的聚丁二烯树脂、环氧改性的聚丁二烯树脂、胺基改性的聚丁二烯树脂、端羧基改性的聚丁二烯树脂、端羟基改性的聚丁二烯树脂中的一种或为其中至少两种的混合物；

聚丁二烯共聚物树脂选自聚丁二烯-苯乙烯共聚物树脂、聚丁二烯-苯乙烯-二乙烯基苯接枝共聚物树脂、马来酸酐改性苯乙烯-丁二烯共聚物树脂和丙烯酸酯改性苯乙烯-丁二烯共聚物树脂中的一种或为其中至少两种的混合物；

弹性体嵌段共聚物选自苯乙烯-丁二烯二嵌段共聚物、苯乙烯-丁二烯-苯乙烯三嵌段共聚物、苯乙烯-(乙烯-丁烯)-苯乙烯三嵌段共聚物、苯乙烯-异戊二烯二嵌段共聚物、苯乙烯-异戊二烯-苯乙烯三嵌段共聚物、苯乙烯-(乙烯-丙烯)-苯乙烯三嵌段共聚物和苯乙烯-(乙烯-丁烯)二嵌段共聚物中的一种或为其中至少两种的混合物。

填料选自氮化硼、氮化铝、氮化硅、碳化硅、二氧化硅、二氧化钛、氧化铝、氧化镁、氧化锌、钛酸钡、钛酸锶、钛酸镁、钛酸钙、钛酸钾、钛酸锶钡、钛酸铅、玻璃粉、氢氧化镁、云母粉、滑石粉、水滑石、莫来石、勃姆石、高岭土、蒙脱土、硅酸钙或碳酸钙中的一种或为其中至少两种的混合物；

引发剂为有机过氧化物自由基引发剂、碳系自由基引发剂中的一种或为其中至少两种的混合物。

有机溶剂选自甲苯、二甲苯、均三甲苯等芳香族烃类溶剂中的一种或为其中至少两种的混合物。

在本实用新型中，所述低插损高频导热基板的制备方法如下：

(1)将所述薄膜电阻层沉积在第一低轮廓铜箔层上；所述第一树脂层涂覆在薄膜电阻层上；所述第二树脂层涂覆在第二低轮廓铜箔层上。

(2)自上而下依次将第一低轮廓铜箔层、薄膜电阻层、第一树脂层、导热粘结片层、第二树脂层和第二低轮廓铜箔层叠合在一起，放进压机进行固化制得层压板，固化的温度为150-300℃(例如150℃、180℃、200℃、250℃、280℃或300℃)，固化的压力为25-70kg/cm²(例如25kg/cm²、30kg/cm²、35kg/cm²、40kg/cm²、50kg/cm²、60kg/cm²或70kg/cm²)。

本实用新型的目的之二在于提供一种印制电路板，所述印制电路板包括如目的之一所述的低插损高频导热基板。

本实用新型所述的低插损高频导热基板作为线路板在电子产品中的应用。

本实用新型所述的低插损高频导热基板可以满足高频高导热电子电路基板对低介电常数、低介电损耗、低插损、高热导率、高可靠性等综合性能的要求，可以作为线路板在电子用品中应用，例如所述低插损高频导热基板可用作高频导热功放基板。

相对于现有技术，本实用新型具有以下有益效果：

本实用新型所述的低插损高频导热基板具有较高的热导率(0.5W/mK～1.5W/mK)和剥离强度(大于0.7N/mm)；具有较低的介电常数(小于3.8(10GHz，SPDR))和介电损耗(小于0.0040(10GHz，SPDR))，满足高频基板的使用要求；具有较低的插损(2GHz插损低于-0.25dB/5inch，5GHz插损低于-0.51dB/5inch)，可进一步降低基板产生的热量；具有较高的集成度，可以进一步提高基板的可靠性；满足高频高导热电子电路基板对低介电常数、低介电损耗、低插损、高热导率、高可靠性等综合性能的要求，可作为线路板在电子产品中应用。

附图说明

图1是本实用新型实施例中低插损高频导热基板的结构示意图，其中：1为第一低轮廓铜箔层；2为薄膜电阻层；3为第一树脂层；4为高频导热粘结片层；5为第二树脂层；6为第二低轮廓铜箔层。

具体实施方式

下面通过具体实施方式来进一步说明本实用新型的技术方案。本领域技术人员应该明了，所述实施例仅仅是帮助理解本实用新型，不应视为对本实用新型的具体限制。

实施例1-5

实施例1-5中分别提供一种低插损高频导热基板，结构示意图如图1所示，所述低插损高频导热基板自上而下依次包括结合在一起的第一低轮廓铜箔层1、薄膜电阻层2、第一树脂层3、高频导热粘结片层4、第二树脂层5和第二低轮廓铜箔层6。

该低插损高频导热基板的制备方法如下：

(1)将所述薄膜电阻层2沉积在第一低轮廓铜箔层1上；所述第一树脂层3涂覆在薄膜电阻层2上；所述第二树脂层5涂覆在第二低轮廓铜箔层6上。

(2)自上而下依次将第一低轮廓铜箔层、薄膜电阻层、第一树脂层、导热粘结片层、第二树脂层和第二低轮廓铜箔层叠合在一起，放进压机进行固化制得层压板，固化的温度为150-300℃，固化的压力为25-70kg/cm²。

表1为本实用新型实施例1-5所述低插损高频导热基板的结构设置和测试结果：

表1

从表1可知，本实用新型所述的低插损高频导热基板具有较高的热导率、剥离强度和集成度，且具备较低的介电常数、介电损耗和插损。

比较例1-8

比较例1-8的的导热基板与实施例1-5的导热基板相比不同之处在于各层的结构设置以及性能测定结果如表2和表3所示。

表2

表3

以上实施例和比较例中对基板的性能测试方法如下：

(a)剥离强度(PS)：按照IPC-TM-650 2.4.8方法中“热应力后”实验条件，测试板材的剥离强度。

(b)介电常数(Dk)和介电损耗(Df)：采用SPDR法，在10GHz频率下，测试板材的介电常数Dk和介电损耗Df。

(c)2GHz插损和5GHz插损：按照IPCTM-650中2.5.5.12A所规定的方法进行测定。

(d)热导率：采用导热系数测试仪，按照ASTMD5470方法进行测试。

由表1、表2和表3的数据对比，可以看出：

比较例1相比于实施例1，涂覆在低轮廓铜箔上的第一树脂层3和第二树脂层5的厚度偏厚，导热基板的介电常数会降低，同时导热基板的热导率均会偏低。

比较例2相比于实施例2，第一低轮廓铜箔层1和第二铜箔层6的粗糙度偏高，则导热基板的2GHz插损和5GHz插损均偏高。

比较例3相比于实施例3，导热粘结片4的热导率偏低，则导热基板的热导率偏低。

比较例4相比于实施例4，涂覆在低轮廓铜箔层上的第一树脂层3和第二树脂层5的厚度偏低，则导热基板的剥离强度偏低。

比较例5相比于实施例3，导热粘结片4的介电常数偏高，则导热基板的介电常数偏高。

比较例6相比于实施例3，导热粘结片4的介电损耗偏高，则导热基板的介电损耗偏高。

比较例7相比于实施例3，不含第一树脂层3和第二树脂层5，则导热基板的剥离强度偏低。

比较例8相比于实施例5，导热粘结片4的热导率较高，则导热基板的热导率也较高。但是因为采用了特殊的高导热填料，导热基板的剥离强度偏低。

本实用新型所述的导热基板具有较高的热导率和剥离强度，且具有较低的介电常数、介电损耗和插损(包括2GHz插损和5GHz插损)；当导热基板的设置参数不在本实用新型限定的范围之内，则会影响基板的热导率、剥离强度、介电常数、介电损耗以及插损，从而影响导热基板的使用。

申请人声明，以上所述仅为本实用新型的具体实施方式，但本实用新型的保护范围并不局限于此，所属技术领域的技术人员应该明了，任何属于本技术领域的技术人员在本实用新型揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，均落在本实用新型的保护范围和公开范围之内。