一种高效防电磁辐射的隔磁片的制作方法

本实用新型涉及防辐射技术领域，特别涉及一种高效防电磁辐射的隔磁片。

背景技术：

电磁辐射是以一种看不见、摸不着的特殊形态存在的物质。人类生存的地球本身就是一个大磁场，它表面的热辐射和雷电都可产生电磁辐射，太阳及其他星球也从外层空间源源不断地产生电磁辐射。

电磁辐射有一个电场和磁场分量的振荡，分别在两个相互垂直的方向传播能量，是一种复合的电磁波；日常生活中，在我们生活环境周边都有很多产生辐射的区域，如无线通讯、微波炉、电脑、高压线等；人体的器官和组织都存在微弱的电磁场，它们是稳定和有序的，一旦受到外界电磁场的干扰，处于平衡状态的微弱电磁场将遭到破坏，人体也会遭受损害。这主要是低频电磁波产生的影响，即人体被电磁辐射照射后，体温并未明显升高，但已经干扰了人体的固有微弱电磁场，使血液、淋巴液和细胞原生质发生改变，对人体造成严重危害，可导致胎儿畸形或孕妇自然流产；影响人体的循环、免疫、生殖和代谢功能等。

辐射源长时间会辐射出磁场辐射和电场辐射，因此，当人同时长期处于磁场辐射和电场辐射的环境中时，人体的健康会受到较大的影响。

技术实现要素：

本实用新型的目的是提供一种高效防电磁辐射的隔磁片，具有通过将电场辐射屏蔽层与磁场辐射屏蔽层相结合，既可用于磁场辐射屏蔽，又可用于电场辐射屏蔽，以便于降低人体受到磁场辐射和电场辐射的影响的优点。

本实用新型的上述技术目的是通过以下技术方案得以实现的：一种高效防电磁辐射的隔磁片，包括若干个电场辐射屏蔽层和若干个磁场辐射屏蔽层，所述电场辐射屏蔽层堆叠于磁场辐射屏蔽层之间或粘附于所述磁场辐射屏蔽层的一侧，所述电场辐射屏蔽层与磁场辐射屏蔽层之间通过连接层连接。

通过采用上述技术方案，电场辐射屏蔽层自身具有低电阻率和高导电性，因此，在使用时需要将电场辐射屏蔽层的一侧接地。当电场辐射屏蔽层用于覆盖辐射源时，电场辐射屏蔽层可将带正电导体包围起来，在电场辐射屏蔽层靠近辐射源的一侧将感应出与带电导体等量的负电荷，并且相应地，电场辐射屏蔽层的背离辐射源的一侧亦会出现与带电导体等量的正电荷，此时正电荷会流入大地，使得带正电导体的电场被屏蔽在电场辐射屏蔽层内。

其次，磁场辐射屏蔽层具有高磁导率性能，可使得辐射源的磁场磁力线限制在磁场辐射屏蔽层的一侧，进而使得辐射源的电磁辐射围蔽于屏蔽空间内。通过将电场辐射屏蔽层与磁场辐射屏蔽层相结合，既可用于电磁辐射屏蔽，又可用于电场辐射屏蔽，以便于降低人体受到磁场辐射和电场辐射的影响。

本实用新型的进一步设置，所述磁场辐射屏蔽层的数量大于电场辐射屏蔽层的数量。

本实用新型的进一步设置，所述磁场辐射屏蔽层的数量为五层，所述电场辐射屏蔽层的数量为一层。

本实用新型的进一步设置，所述电场辐射屏蔽层的厚度为50微米，所述磁场辐射屏蔽层的厚度均为25～30微米。

通过采用上述技术方案，将磁场辐射屏蔽层与电场辐射屏蔽层的层数进行合理布置，既能使得磁场辐射屏蔽层与电场辐射屏蔽层能最有效地将磁场辐射和电场辐射围蔽于一侧，又可降低因上述两者层数设置过多所导致的整体厚度过大现象。

本实用新型的进一步设置，所述磁场辐射屏蔽层由若干层纳米晶带材和若干层非晶带材堆叠而成。

本实用新型的进一步设置，所述纳米晶带材是在530～580摄氏度范围内进行退火处理，且退火时间在30～120分钟内，并在退火完成后增加磁化处理后的初始磁导率为80000～120000且最大磁导率为120万的纳米晶带材；所述非晶带材是在380～430摄氏度范围内进行退火处理，且退火时间在30～120分钟内，并在退火完成后增加磁化处理后的初始磁导率为5000～8000且最大磁导率为50万的非晶带材。

通过采用上述技术方案，纳米晶带材和非晶带材具有最高磁导率性能，可使磁力线限制在磁场辐射屏蔽层靠近辐射源的一侧，进而防止扩散到屏蔽空间。纳米晶带材是一种高频磁导率高性能吸收的屏蔽材料，屏蔽范围覆盖低频、工频、射频、高频，是目前市场上最先进的吸波材料；非晶带材，非晶态合金作为在性能上优于传统材料的新型材料主要是利用磁旁路原理来引导场源所产生的电磁能流使它不进入空间防护区，凭借优异的性能在电磁屏蔽室、精密测量仪器、屏蔽涂料等方面得到了一定的应用，同时又具有很高的机械强度、好的韧性及耐磨性，成为使用最广泛的电磁屏蔽材料。还可利用其柔软性好的特点，制作成可卷收的片状，具有结构简单，轻薄，柔软，可卷起，人工易操作的特点。

本实用新型的进一步设置，所述电场辐射屏蔽层为铜箔或铝箔或硅钢片或铁硅铝片或铁镍片。

通过采用上述技术方案，可充分地利用电场辐射屏蔽层低电阻率，高导电性的特点，进而使得当电场辐射屏蔽层接地后，可有效地应用于辐射源的电场辐射屏蔽。

本实用新型的进一步设置，所述磁场辐射屏蔽层由若干层纳米晶带材和若干层非晶带材堆叠而成。

通过采用上述技术方案，通过将可屏蔽高频磁场辐射的纳米晶带材和可屏蔽低频磁场辐射的非晶带材相结合，以实现有效地提高屏蔽电磁辐射的效率，进而降低电磁辐射对人体健康的影响。

本实用新型的进一步设置，所述电场辐射屏蔽层和磁场辐射屏蔽层两者的端面均通过连接层连接有保护膜。

本实用新型的进一步设置，保护膜为pet膜。

通过采用上述技术方案，保护膜可用于保护电场辐射屏蔽层和磁场辐射屏蔽层在使用过程中受到外力冲击的破坏。

综上所述，本实用新型具有以下有益效果：

1、通过将电场辐射屏蔽层与磁场辐射屏蔽层相结合，既可用于磁场辐射屏蔽，又可用于电场辐射屏蔽，以便于降低人体受到磁场辐射和电场辐射的影响，进而降低人体受到电磁辐射的影响；

2、具有结构简单，轻薄，柔软，可卷起，人工易操作的特点，可利用其柔软性好的特点，制作成可卷收的片状；

3、通过将可屏蔽高频磁场辐射的纳米晶带材和可屏蔽低频磁场辐射的非晶带材相结合，以实现有效地提高屏蔽磁场辐射的效率。

总的来说本实用新型，通过将电场辐射屏蔽层与磁场辐射屏蔽层相结合，既可用于磁场辐射屏蔽，又可用于电场辐射屏蔽，进而便于降低人体受到磁场辐射和电场辐射的影响。

附图说明

图1是本实施例的结构示意图。

附图标记：1、电场辐射屏蔽层；2、磁场辐射屏蔽层；3、连接层；4、保护膜。

具体实施方式

以下结合附图对本实用新型作进一步详细说明。

实施例：一种高效防电磁辐射的隔磁片，如图1所示，包括若干个电场辐射屏蔽层1和若干个磁场辐射屏蔽层2，电场辐射屏蔽层1堆叠于磁场辐射屏蔽层2之间或粘附于磁场辐射屏蔽层2的一侧，电场辐射屏蔽层1与磁场辐射屏蔽层2之间通过连接层3连接。连接层3为热熔胶，但不仅限于此，连接层3还可为用于两材料之间粘合的胶水；其次地，连接层3还可为常用的静电吸附膜。连接层3可使得电场辐射屏蔽层1和磁场辐射屏蔽层2固定成一个整体，进而提高本实施例在应用过程中的整体性。

电场辐射屏蔽层1自身具有低电阻率和高导电性，因此，在使用时需要将电场辐射屏蔽层1的一侧接地。电场辐射屏蔽层1的接地采用电学技术领域常用的接地技术。当电场辐射屏蔽层1用于覆盖辐射源时，电场辐射屏蔽层1可将带正电导体包围起来，在电场辐射屏蔽层1靠近辐射源的一侧将感应出与带电导体等量的负电荷，并且相应地，电场辐射屏蔽层1的背离辐射源的一侧亦会出现与带电导体等量的正电荷，此时正电荷会流入大地，使得带正电导体的电场被屏蔽在电场辐射屏蔽层1内。

其次，磁场辐射屏蔽层2具有高磁导率性能，可使得辐射源的磁场磁力线限制在磁场辐射屏蔽层2的一侧，进而使得辐射源的电磁辐射围蔽于屏蔽空间内。通过将电场辐射屏蔽层1与磁场辐射屏蔽层2相结合，既可用于磁场辐射屏蔽，又可用于电场辐射屏蔽，以便于降低人体受到磁场辐射和电场辐射的影响。

磁场辐射屏蔽层2的数量大于电场辐射屏蔽层1的数量。磁场辐射屏蔽层2的数量为五层，电场辐射屏蔽层1的数量为一层。电场辐射屏蔽层1的厚度为50微米，磁场辐射屏蔽层2的厚度为25～30微米。将磁场辐射屏蔽层2与电场辐射屏蔽层1的层数进行合理布置，既能使得磁场辐射屏蔽层2与电场辐射屏蔽层1能最有效地将磁场辐射和电场辐射围蔽于一侧，又可降低因上述两者层数设置过多所导致的整体厚度过大现象。

磁场辐射屏蔽层2由纳米晶带材或纳米晶带材构成，但不仅限于此，磁场辐射屏蔽层2亦可由若干层纳米晶带材和若干层非晶带材堆叠而成。纳米晶带材是在530～580摄氏度范围内进行退火处理，且退火时间在30～120分钟内，并在退火完成后增加磁化处理后的初始磁导率为80000～120000且最大磁导率为120万的纳米晶带材；非晶带材是在380～430摄氏度范围内进行退火处理，且退火时间在30～120分钟内，并在退火完成后增加磁化处理后的初始磁导率为5000～8000且最大磁导率为50万的非晶带材

纳米晶带材和非晶带材具有最高磁导率性能，可使磁力线限制在磁场辐射屏蔽层2靠近辐射源的一侧，进而防止扩散到屏蔽空间。纳米晶带材是一种高频磁导率高性能吸收的屏蔽材料，屏蔽范围覆盖低频、工频、射频、高频，是目前市场上最先进的吸波材料；非晶带材，非晶态合金作为在性能上优于传统材料的新型材料主要是利用磁旁路原理来引导场源所产生的电磁能流使它不进入空间防护区，凭借优异的性能在电磁屏蔽室、精密测量仪器、屏蔽涂料等方面得到了一定的应用，同时又具有很高的机械强度、好的韧性及耐磨性，成为使用最广泛的电磁屏蔽材料。通过将可屏蔽高频磁场辐射的纳米晶带材和可屏蔽低频磁场辐射的非晶带材相结合，既可有效地提高屏蔽电磁辐射的效率，还可利用其柔软性好的特点，制作成可卷收的片状，具有结构简单，轻薄，柔软，可卷起，人工易操作的特点。

保护膜4为pet膜，电场辐射屏蔽层1和磁场辐射屏蔽层2两者的端面均通过连接层3连接有保护膜4。保护膜4可用于保护电场辐射屏蔽层1和磁场辐射屏蔽层2在使用过程中受到外力冲击的破坏。

电场辐射屏蔽层1为铜箔或铝箔或硅钢片或铁硅铝片或铁镍片。将电场辐射屏蔽层1和磁场辐射屏蔽层2自由组合时，例如，采用一层厚度为50微米的电场辐射屏蔽层1叠加上若干层磁场辐射屏蔽层2，可有以下方案举例：1、采用一层厚度为50微米的铜箔cu叠加上若干层25微米的非晶带材或纳米晶带材；2、采用一层厚度为50微米的铝箔叠加上若干层25微米的非晶带材或纳米晶带材；3、采用一层厚度为50微米的硅钢片叠加上若干层25微米的非晶带材或纳米晶带材；4、采用一层厚度为50微米的铁硅铝片叠加上若干层25微米的非晶带材或纳米晶带材；5、采用一层厚度为50微米的铁镍片叠加上若干层25微米的非晶带材或纳米晶带材。通过本实施例，可充分地利用电场辐射屏蔽层1低电阻率，高导电性的特点，进而使得当电场辐射屏蔽层1接地后，可有效地应用于辐射源的电场辐射屏蔽。

本实施例的测试过程及数据：先将笔记本电脑开启，然后通过电磁辐射测试仪检测出笔记本屏蔽和键盘的电磁辐射数值，然后选取电场辐射最高的位置并记录下其数值为11.99ut，电场辐射值达到763v/m；紧接着将本实施例围蔽于平铺于该电磁辐射最高的位置上，同理地，通过电磁辐射检测仪检测得出磁场辐射数据为0.32ut，磁场辐射屏蔽率达到约99％，经过测试后可知，电场辐射屏蔽率亦同样地达到99％。

本具体实施例仅仅是对本实用新型的解释，其并不是对本实用新型的限制，本领域技术人员在阅读完本说明书后可以根据需要对本实施例做出没有创造性贡献的修改，但只要在本实用新型的权利要求范围内都受到专利法的保护。