本实用新型涉及芯片封装技术领域,尤其涉及一种芯片封装结构。
背景技术:
传统封装结构是在pcb基板上制作多个通孔,该基板一侧的每个通孔处设有多个不同区域且互为开路的导电材质,并且该导电材质是平铺于基板表面上,有多个led芯片放置于导电材质一侧的每个通孔处,led芯片的正、负极接点利用导电线材与基板表面上的导电材质连接,且在led芯片面封装保护胶体。最后通过切割工艺把整版排布的led分割为单颗led。
对于微尺寸led,pcb基板结构多采用油墨半塞孔工艺。油墨半塞孔工艺,即孔内半塞油墨,其油墨不能完全塞饱满,塞孔的背面焊盘开窗,且有深度要求。如果孔内油墨过多,或者孔壁被油墨污染,容易造成假性开路,影响产品性能;如果塞孔油墨量过少,led压膜成型时极易被胶体压力冲开,造成封装胶溢出影响底部吃锡部分,易造成假性开路。因此,油墨半塞孔工艺制作的基板其质量不易管控,生产良率低,且成本高。
技术实现要素:
本实用新型所要解决的技术问题是:提供一种芯片封装结构,易于制作,且质量易于管控。
为了解决上述技术问题,本实用新型采用的技术方案为:
一种芯片封装结构,包括第一基板和led芯片,所述led芯片设置于所述第一基板上,还包括第二基板,所述第二基板设置于所述第一基板远离led芯片的一侧面上,所述第一基板上设有第一通孔,所述第二基板上设有第二通孔,所述第二通孔相对于所述第一通孔错位设置,且所述第一通孔与所述第二通孔电气导通。
进一步的,所述第一通孔的内侧壁上设有第一导电层,所述第二通孔的内侧壁上设有第二导电层,所述第一导电层与所述第二导电层连接。
进一步的,所述第一基板靠近led芯片的一侧面上设有封装胶体层。
进一步的,所述第一基板的材质为bt或fr4,所述第二基板的材质为bt或fr4。
进一步的,所述第一基板和第二基板上设有电镀层,所述电镀层的材质为银和金中的至少一种。
本实用新型的有益效果在于:第一基板和第二基板通过错位设置的第一通孔和第二通孔进行电气导通,避免使用油墨半塞孔工艺,不会造成假性开路,本实用新型的芯片封装结构易于制作,其质量易于管控,生产良率高,且成本低。
附图说明
图1为本实用新型实施例一的芯片封装结构的部分结构示意图;
图2为本实用新型实施例一的芯片封装结构的剖视图;
图3为现有技术的油墨半塞孔工艺制作得到的芯片封装结构的示意图。
标号说明:
1、第一基板;11、第一通孔;12、第一导电层;2、led芯片;3、第二基板;31、第二通孔;32、第二导电层;4、封装胶体层。
具体实施方式
为详细说明本实用新型的技术内容、所实现目的及效果,以下结合实施方式并配合附图予以说明。
本实用新型最关键的构思在于:第一基板和第二基板通过错位设置的第一通孔和第二通孔进行电气导通,避免使用油墨半塞孔工艺,不会造成假性开路,易于制作。
请参照图1以及图2,一种芯片封装结构,包括第一基板1和led芯片2,所述led芯片2设置于所述第一基板1上,还包括第二基板3,所述第二基板3设置于所述第一基板1远离led芯片2的一侧面上,所述第一基板1上设有第一通孔11,所述第二基板3上设有第二通孔31,所述第二通孔31相对于所述第一通孔11错位设置,且所述第一通孔11与所述第二通孔31电气导通。
从上述描述可知,本实用新型的有益效果在于:第一基板和第二基板通过错位设置的第一通孔和第二通孔进行电气导通,避免使用油墨半塞孔工艺,不会造成假性开路,本实用新型的芯片封装结构易于制作,其质量易于管控,生产良率高,且成本低。
进一步的,所述第一通孔11的内侧壁上设有第一导电层12,所述第二通孔31的内侧壁上设有第二导电层32,所述第一导电层12与所述第二导电层32连接。
进一步的,所述第一基板1靠近led芯片2的一侧面上设有封装胶体层4。
进一步的,所述第一基板1的材质为bt或fr4,所述第二基板3的材质为bt或fr4。
由上述描述可知,基板的材质可以根据需要进行选择。
进一步的,所述第一基板1和第二基板3上设有电镀层,所述电镀层的材质为银和金中的至少一种。
请参照图1及图2,本实用新型的实施例一为:
一种芯片封装结构,包括第一基板1和led芯片2,所述led芯片2设置于所述第一基板1上,led芯片2的数目可以根据需要进行设置,led芯片2可以通过导电线材与第一基板1导通,也可以倒装led芯片2于第一基板1的表面线路上,形成线路导通。所述第一基板1靠近led芯片2的一侧面上设有封装胶体层4。所述芯片封装结构还包括第二基板3,所述第二基板3设置于所述第一基板1远离led芯片2的一侧面上,所述第一基板1上设有第一通孔11,所述第二基板3上设有第二通孔31,所述第二通孔31相对于所述第一通孔11错位设置,且所述第一通孔11与所述第二通孔31电气导通。本实施例中,所述第一通孔11的内侧壁上设有第一导电层12,所述第二通孔31的内侧壁上设有第二导电层32,所述第一导电层12与所述第二导电层32连接。第一通孔11和第二通孔31的数目可以根据需要进行设置,只要相互错位即可。所述第一基板1的材质为bt或fr4,所述第二基板3的材质为bt或fr4。本实施例中,所述第一基板1和第二基板3上设有电镀层,所述电镀层的材质为银和金中的至少一种。
图3为采用油墨半塞孔工艺制作得到的芯片封装结构,其导通孔位于四个角,将其切成单个led封装结构时,导通孔背面连接处铜箔(图中虚线处)无法避免与切割刀接触,会产生切割毛刺,对产品焊锡性能有影响。而本实施例的导通孔位于中部(如图1所示),背面铜箔设计完全避开切割刀线路,可完全杜绝铜箔毛刺产生。
综上所述,本实用新型提供的一种芯片封装结构,不会造成假性开路,易于制作,其质量易于管控,生产良率高,且成本低。
以上所述仅为本实用新型的实施例,并非因此限制本实用新型的专利范围,凡是利用本实用新型说明书及附图内容所作的等同变换,或直接或间接运用在相关的技术领域,均同理包括在本实用新型的专利保护范围内。
1.一种芯片封装结构,包括第一基板和led芯片,所述led芯片设置于所述第一基板上,其特征在于,还包括第二基板,所述第二基板设置于所述第一基板远离led芯片的一侧面上,所述第一基板上设有第一通孔,所述第二基板上设有第二通孔,所述第二通孔相对于所述第一通孔错位设置,且所述第一通孔与所述第二通孔电气导通。
2.根据权利要求1所述的芯片封装结构,其特征在于,所述第一通孔的内侧壁上设有第一导电层,所述第二通孔的内侧壁上设有第二导电层,所述第一导电层与所述第二导电层连接。
3.根据权利要求1所述的芯片封装结构,其特征在于,所述第一基板靠近led芯片的一侧面上设有封装胶体层。
4.根据权利要求1所述的芯片封装结构,其特征在于,所述第一基板的材质为bt或fr4,所述第二基板的材质为bt或fr4。
5.根据权利要求1所述的芯片封装结构,其特征在于,所述第一基板和第二基板上设有电镀层,所述电镀层的材质为银和金中的至少一种。