封装的表面声波装置的制作方法

优先权申请的交叉参考

根据37c.f.r.§1.57，与本申请一起申请的申请数据表中识别的任何及全部主张了外国或本国优先权的申请以引用的方式并入本文中。本申请根据35u.s.c.§119(e)主张2018年8月30日申请且名称为“packagedsurfaceacousticwavedevices”的美国临时申请第62/725,133号的优先权权，其公开内容全文以引用的方式并入本文中。

本申请的实施例是关于封装的表面声波装置。

背景技术：

表面声波滤波器可包括被配置为对射频信号进行滤波的多个表面声波谐振器。每个谐振器可包括表面声波装置。表面声波滤波器可实现于射频电子系统中。例如，移动电话的射频前端中的滤波器可包括表面声波滤波器。多个声波滤波器可被布置为复用器。例如，两个表面声波滤波器可被布置为双工器。

表面声波装置可封闭于封装内以保护表面声波装置。封装会增大经封装的表面声波装置的尺寸。期望得到更小且更薄的经封装的表面声波装置。

技术实现要素：

权利要求书中所描述的每个创新具有多个方面，其中的单个不单独负责其期望属性。现将在不限制权利要求书的范围的情况下简要描述本申请的一些显著特征。

本申请的一个方面是一种封装的表面声波装置。该封装的表面声波装置包括表面声波装置的叉指换能器电极上的腔体顶、该腔体顶上方的导电结构及该导电结构上方的光敏缓冲涂层，该封装的表面声波装置具有220微米或更小的高度。

该封装的表面声波装置可具有200微米或更小的高度。该光敏缓冲涂层可具有15微米或更小的高度。

该封装的表面声波装置可进一步包括：压电基板，其具有第一侧，该叉指换能器电极设置于该第一侧上；及腔体壁，其位于该压电基板的该第一侧上且支撑该腔体顶。该压电基板的该第一侧的边缘部分可以没有该光敏缓冲涂层。

该封装的表面声波装置可进一步包括具有第一侧及与该第一侧对置的第二侧的压电基板，该叉指换能器电极位于该第一侧上，且标记延伸至该第二侧中，该标记延伸至该压电基板中1微米或更小。如权利要求1的封装的表面声波装置可进一步包括通过该光敏缓冲涂层中的开口而与该导电结构物理接触的端子。

该光敏缓冲涂层可包括酚醛树脂。该光敏缓冲涂层可具有负光敏性。

该表面声波装置可包括被配置成对射频信号滤波的多个表面声波谐振器。

本申请的另一方面是一种封装的表面声波装置，其包括：腔体结构，其由晶片(die)支撑且与该晶片合作以包封表面声波装置的叉指换能器电极；导电结构，其延伸于该腔体结构的外表面的一部分上；及绝缘层，其延伸于该导电结构上，该绝缘层的一部分置于该导电结构的一部分上，具有小于15微米的厚度。

该腔体结构可包括由该晶片的第一表面支撑的腔体壁及延伸于该叉指换能器电极上且由该腔体壁支撑的腔体顶。该封装的表面声波装置可进一步包括多个端子，各端子中的每一个延伸穿过该绝缘层的一部分且接触该导电结构的一部分。

该绝缘层可包括光刻胶材料。该绝缘层可包括负向光刻胶。

该晶片可包括具有第一侧及第二侧的激光标记压电基板，该第一侧支撑该腔体结构，该激光标记压电基板的该第二侧具有激光标记区段。

本申请的另一方面是一种封装的表面声波装置，其包括：压电基板；封装结构，其由该压电基板的第一表面支撑且界定腔体，该封装结构包括外层，该外层包括光敏树脂；及多个叉指换能器电极，其由该压电基板支撑且位于该腔体内。

该封装结构可包括腔体顶及腔体壁，该腔体顶及该腔体壁两者都位于该外层的一部分与该多个叉指换能器电极之间。

该封装结构可包括与该多个叉指换能器电极的至少一个电连通的导电结构。该封装结构可包括置于该外层的一部分上且延伸穿过该外层的一部分以接触该导电结构的至少一个端子。

本申请的另一方面是一种制造封装的表面声波装置的方法，该方法包括：使光敏树脂形成于导电结构上方，该导电结构的一部分位于该表面声波装置的叉指换能器电极上方的腔体顶上；以及形成与该导电结构接触的导电端子，该导电端子的至少一部分延伸穿过孔隙，该孔隙延伸穿过该光敏树脂。

该方法可另外包括将该光敏树脂的各部分曝露于光以使该光敏树脂的各部分显影以及去除该光敏树脂的未曝光部分。该方法可额外地包括在去除该光敏树脂的未曝光部分之后固化该光敏树脂。将该光敏树脂的各部分曝露于光可包括掩蔽延伸于该导电结构的一部分上方的该光敏树脂的一部分以形成延伸穿过该光敏树脂的该孔隙。

形成该端子可额外地包括形成在延伸穿过该光敏树脂的该孔隙上方延伸的导电层。该孔隙可延伸穿过具有15微米或更小的厚度的该光敏树脂的一部分。

该光敏树脂可包括酚醛树脂。该光敏树脂可具有负光敏性。

该方法可额外地包括激光标记该叉指换能器电极被设置于其上的压电基板。

该封装的表面声波装置可具有小于220微米的高度。

本申请的另一方面是一种制造封装的表面声波装置的方法，该方法包括：形成包封表面声波装置的叉指换能器电极的腔体结构，所述各叉指换能器电极由压电基板支撑；形成延伸于该腔体结构的外表面的各部分上方的导电结构；以及使光刻胶层形成于该导电结构上方，该光刻胶层的一部分延伸于该导电结构的一部分上方，具有小于15微米的厚度。

该方法可额外地包括图案化该光刻胶层以形成延伸于该导电结构及该腔体结构上方的光刻胶缓冲涂层，并固化该光刻胶层。该光刻胶缓冲涂层可包括与该压电基板接触且围着该腔体结构的侧壁部分。该导电结构的一部分可与该压电基板接触。

使该光刻胶层形成于该导电结构上方可包括使用旋涂(spin-on)工艺来平坦化该光刻胶层。该方法可额外地包括去除该光刻胶层在晶片的边缘的10微米内的部分。

本申请的另一方面是一种制造封装的表面声波装置的方法，该方法包括：形成延伸于该表面声波装置的叉指换能器电极上方的腔体结构；以及形成延伸于该腔体结构的外表面的各部分上方的导电结构；以及在该导电结构上形成光敏树脂层，该光敏树脂层的一部分具有延伸穿过其且露出该导电结构的一部分的孔隙。

形成该导电结构可包括将晶种层沉积于该腔体结构上及将该导电结构电镀至该晶种层上。形成该导电结构可进一步包括在将该导电结构电镀至该晶种层上之前掩蔽该晶种层的各部分。

该导电结构可包括延伸穿过其一部分且露出该腔体结构的一部分的间隙，且该光敏树脂层可填充该间隙。该方法可额外地包括形成延伸穿过该光敏树脂层中的孔隙且与该导电结构电连通的导电端子。

本申请的另一方面是一种封装的表面声波装置，其包括：压电基板，其具有第一侧及第二侧；叉指换能器电极，其包封于封装结构内且由该压电基板的该第一侧支撑；及标记，其形成于该压电基板的该第二侧中。

该标记可延伸至该压电基板的该第二侧中小于1微米。该标记可延伸至该压电基板的小于1％的厚度中。该标记可由激光形成。

该压电基板可包括铌酸锂。该压电基板可包括钽酸锂。

该封装结构可包括包封该叉指换能器电极的腔体结构及包括光敏树脂的外涂层。该封装的表面声波装置的总厚度可小于220微米。

该封装结构可包括光敏树脂缓冲涂层。该光敏树脂缓冲涂层可包括酚醛树脂。该光敏树脂缓冲涂层可包括负性光刻胶。该封装的表面声波装置可额外地包括延伸穿过该光敏树脂缓冲涂层中的各孔隙的多个端子。

本申请的另一方面是一种封装的表面声波装置，其包括：激光标记压电基板，其具有第一侧及第二侧，该激光标记压电基板的该第二侧具有激光标记区段；叉指换能器电极，其由该激光标记压电基板的该第一侧支撑；及由该激光标记压电基板的该第一侧支撑的结构，其界定围封该叉指换能器电极的腔体。

该激光标记区段可已曝光于深紫外线激光。该激光标记区段可包括延伸至该压电基板的该第二侧中小于1微米的激光标记。

该激光标记压电基板可包括铌酸锂。该激光压电基板可包括钽酸锂。

该封装结构可包括光敏树脂缓冲涂层。该光敏树脂缓冲涂层可包括酚醛树脂。该光敏树脂缓冲涂层可包括负性光刻胶。本申请的另一方面是一种标记封装的表面声波装置的方法，该方法包括：研磨压电基板的背侧，该背侧与在其上设置有该表面声波装置的叉指换能器电极的该压电基板的前侧对置；以及激光标记该压电基板。

激光标记可形成延伸至该压电基板中小于1微米的标记。该激光标记可包括允许该压电基板维持结构完整性的激光的波长。

该激光标记可包括使用深紫外线激光。该激光标记可包括使用具有约266纳米的波长的激光。

研磨该压电基板的该背侧可包括研磨该压电基板的该背侧直至该压电基板的厚度为约130微米。

该压电基板可包括铌酸锂。如权利要求62的方法，其中该压电基板可包括钽酸锂。

该方法可另外包括形成由该压电基板的该前侧支撑且界定围封该叉指换能器电极的腔体的结构。可在研磨该压电基板的该背侧之前形成由该压电基板的该前侧支撑的该结构。形成由该压电基板的该前侧支撑的该结构可包括形成光敏树脂缓冲涂层。

本申请的另一方面是一种标记封装的表面声波装置的方法，该方法包括：在压电基板的第一表面上形成封装结构，该表面声波装置的叉指换能器电极设置于该压电基板的该第一表面上，该封装结构将该叉指换能器电极包封于腔体中；以及直接标记该压电基板的第二表面以形成该压电基板的标记部分。

直接标记该压电基板的该第二表面可包括将该压电基板的该第二表面的该标记部分曝露于激光。该激光可包括深紫外光。该激光可具有约266纳米的波长。

形成封装结构可包括形成光敏树脂层及图案化该光敏树脂层。该光敏树脂可包括酚醛树脂。形成封装结构可包括形成延伸穿过该光敏树脂层的导电端子。

该标记可延伸至该压电基板中小于1微米。该封装的表面声波装置可具有小于220微米的厚度。

本申请的另一方面是一种封装的表面声波装置，其包括表面声波装置的叉指换能器上的腔体顶、该腔体顶上方的板及该板上的光敏缓冲涂层，该封装的表面声波装置具有220微米或更小的高度。

该封装的表面声波装置可具有200微米或更小的高度。该光敏缓冲涂层可具有15微米或更小的高度。

该封装的表面声波装置可额外地包括压电基板，其具有第一侧，所述各叉指换能器设置于该第一侧上，该压电基板的该第一侧的边缘部分可以没有该光敏缓冲涂层。

该封装的表面声波装置可额外地包括具有第一侧及与该第一侧对置的第二侧的压电基板，该等叉指换能器可位于该第一侧上，且标记可延伸至该第二侧中。该标记可延伸至该压电基板中1微米或更小。

该封装的表面声波装置可额外地包括通过该光敏缓冲涂层中的开口来与该板物理接触的端子。

该光敏缓冲涂层可包括酚醛树脂。该光敏缓冲涂层可具有负光敏性。

该封装的表面声波装置可包括被配置为对射频信号进行滤波的表面声波装置。

本申请的另一方面是一种封装的表面声波装置，其包括：压电基板，其具有第一侧及与该第一侧对置的第二侧，该第二侧具有延伸至其中的标记；腔体顶，其位于该压电基板的该第一侧上的该表面声波装置的叉指换能器上；板，其位于该腔体顶上方；及绝缘层，其位于该板上方。

本申请的另一方面是一种封装的表面声波装置，其包括：压电基板；腔体顶，其位于该表面声波装置的叉指换能器上，所述各叉指换能器设置于该压电基板上方；板，其位于该腔体顶上方；以及绝缘层，其位于该板上方，该压电基板的边缘部分无该绝缘层。

本申请的另一方面是一种封装的表面声波装置，其包括：腔体顶，其位于表面声波装置的叉指换能器上方；板，其位于该腔体顶上；及绝缘层，其位于该板上方，该绝缘层具有10微米或更小的厚度，且该经封装的表面声波装置具有200微米或更小的高度。

本申请的另一方面是一种制造封装的表面声波装置的方法，该方法包括：在板上方形成光敏树脂，该板置于围封该表面声波装置的叉指换能器的腔体顶上方；以及在该光敏树脂上方形成该表面声波装置端子，使得该端子与该板接触。

该方法可额外地包括将该光敏树脂的各部分曝露于光及使该光敏树脂的其他部分提供通过该光敏树脂的开口，其中形成该端子可包括用该端子的材料填充该开口。

该方法可额外地包括将该光敏树脂曝露于光及使该光敏树脂的其他部分提供没有该光敏树脂的压电基板的边缘，且所述各叉指换能器电极可置于该压电基板上。

该光敏树脂可具有15微米或更小的厚度。该光敏树脂可包括酚醛树脂。

该方法可额外地包括激光标记设其上设置有叉指换能器的压电基板。

本申请的另一方面是一种标记封装的表面声波装置的方法，该方法包括：研磨压电基板的背侧，该背侧与其上设置有该表面声波装置的叉指换能器的该压电基板的前侧对置；以及激光标记该压电基板。

该标记可延伸至该压电基板中小于1微米。

该激光标记可包括施加允许该压电基板维持结构完整性的激光的波长。该激光标记可包括使用深紫外线激光。

为概述本申请，本文中已描述本申请的特定方面、优点及新颖特征。应理解，不必根据任何特定实施例来实现所有这样的优点。因此，可依达成或优化本文中所教导的一个优点或一组优点而不必实现本文中可教导或暗示的其他优点的方式实现或执行本申请。

附图说明

参考附图，现将借由非限制性实例来描述本申请的实施例。

图1是根据一个实施例的封装的表面声波装置的横截面图。

图2a是根据另一个实施例的经封装的表面声波装置的另一横截面图。图2b是图2a的区段b的详图。

图3a至图3j是根据一个实施例的制造过程的各个阶段中的封装的表面声波装置的一部分的横截面。

图4a至图4f是根据另一个实施例的包括多次光刻胶曝光的制造过程的各个阶段中的一部分封装的表面声波装置的一部分的横截面。

图5a至图5e是根据另一个实施例的包括电镀工艺的制造过程的各个阶段中的一部分经封装的表面声波装置的一部分的横截面。

图6a至图6c是根据另一个实施例的包括旋涂程序的制造过程的各个阶段中的一部分封装的表面声波装置的一部分的横截面。

图7是根据一个实施例的制造包括光敏缓冲涂层的封装的表面声波装置的工艺的流程图。

图8是根据一个实施例的制造包括压电层的激光标记的封装的表面声波装置的工艺的流程图。

图9是根据一个实施例的包括具有saw谐振器的滤波器的射频模块的示意图。

图10是根据一个实施例的包括具有表面声波谐振器的双工器的射频模块的示意图。

图11是根据一个实施例的包括功率放大器、射频开关及双工器(其包括一个或多个表面声波谐振器)的模块的示意框图。

图12是根据一个实施例的包括低噪声放大器、射频开关及表面声波滤波器的模块的示意框图。

图13是根据一个实施例的包括天线开关及双工器(其包括一个或多个表面声波谐振器)的模块的示意框图。

图14是根据一个或多个实施例的包括表面声波滤波器的无线通信装置的示意框图。

图15是根据一个或多个实施例的包括表面声波滤波器的另一无线通信装置的示意框图。

具体实施方式

特定实施例的以下描述呈现具体实施例的各种描述。然而，可依多种不同方式实现本文中所描述的，例如由权利要求书所界定及涵盖的，创新。在“说明书”中，参考图式，其中相同附图标记可指示相同或功能类似的元件。应理解，图中所示的元件不必按比例绘制。此外，应理解，特定实施例可包括比附图中所示的元件更多的元件和/或附图中所绘制的元件的子集。此外，一些实施例可并入来自两个或更多个图式的特征的任何合适的组合。

随着半导体市场的竞争变得越来越激烈，越来越需要更小及更薄的封装的表面声波装置。例如，在特定应用中，规格要求200微米或更小的表面声波装置封装高度，使得封装的表面声波装置可适配至模块中。公开可实现表面声波装置的封装的更小尺寸及更低成本的封装方法。公开表面声波装置，其具有用于具有更薄封装的表面声波滤波器的晶圆级芯片尺寸封装(wl-csp)。

公开减小封装高度和/或降低封装成本的封装表面声波装置的方法。本文中所公开的封装结构包括光敏缓冲涂层，其充当覆盖铜(cu)镀覆的保护层。采用薄光敏缓冲涂层，可形成不具有将端子连接至封装的内部导电结构的柱结构的封装结构。本文中所公开的封装结构包括表面声波装置的压电基板上的标记。激光可在不损坏压电基板的功能的情况下标记压电基板。本文中所公开的封装结构可满足电性能及造模性强度规格。本文中所公开的经封装的表面声波装置可包括配置为对射频信号进行滤波的表面声波滤波器。

图1是根据一个实施例的封装的表面声波装置的横截面图。封装的表面声波装置100的某些方面允许减小封装的厚度。例如，封装的表面声波装置100可具有小于220微米(μm)的封装高度h1。在某些实施例中，封装高度h1可小于200μm。在一个例示性实施例中，封装的表面声波装置100具有约190μm的封装高度h1。

如图1中所示，封装的表面声波装置100包括晶片102及晶片102上的叉指换能器电极104。晶片102是压电基板。晶片102可包括含锂压电材料，诸如例如铌酸锂或钽酸锂。在一些例项中，晶片102包括多层压电基板。在某些实例中，晶片102可约130μm高。其他合适的厚度也可用于其他实施例中。

晶片102可包括与叉指换能器电极104对置的晶片102的一侧上的标记区段108。与晶片102的总厚度相比，标记区段108可相对较浅。在一些实施例中，标记区段108的标记可延伸至晶片中小于1μm。通过直接标记至晶片102中，没有额外标记膜被包括于图1的封装的表面声波装置100中。这可相对于包括标记膜的封装的表面声波装置减小封装的表面声波装置100的总高度。

表面声波谐振器的叉指换能器电极104被设置于晶片102上。表面声波谐振器可布置为滤波器，该滤波器配置为对射频信号进行滤波。任何合适数目的表面声波谐振器和/或表面声波滤波器可包括于封装的表面声波装置100中。

叉指换能器电极104可被设置于腔体116内。腔体116的各个侧由晶片102支撑的腔体壁112形成。腔体116的顶由腔体壁112支撑且延伸于叉指换能器电极104上方的腔体顶114形成。腔体116可为空气腔体。在一些实施例中，腔体116可约25μm高，但也可使用其他合适的腔体高度。

在一些实施例中，腔体顶114及腔体壁112中的一个或两者可包括光刻胶材料，如下文将更详细讨论的。

腔体顶114及腔体壁112的外表面的各部分由导电层122覆盖。在一些实施例中，可借由采用晶种层覆盖腔体顶114及腔体壁112的外表面且然后使用电镀工艺来使导电层122形成于晶种层上来形成导电层122。导电层122可包括超过一个区段，其可通过导电层122中的至少一个间隙124来彼此电隔离。在某些实施例中，导电层122可为约25μm厚，但也可使用其他合适的厚度。

在一些实施例中，导电层122包括铜层，其被镀覆到包括铜和/或钛的晶种层上。

导电层122可沿腔体壁112的各侧延伸且向下延伸至晶片102，其中导电层122可接触晶片102上的互连结构(诸如电子迹线)，这允许与封装的表面声波装置100内的表面声波谐振器结构的叉指换能器电极104电连通。在某些应用中，导电层122可被称电镀层。

绝缘层132延伸于导电层122的外表面上方且填充导电层122中的间隙124。绝缘层132的各个侧部分136沿导电层122的各侧126向下延伸至晶片102。在特定实施例中，绝缘层132是光敏树脂。在一些实施例中，导电层122可为负性光刻胶。在一些实施例中，光敏树脂可为具有橡胶填料的酚醛树脂。这样的树脂可具有约700厘泊(cp)的黏度，且可具有5℃处约9个月的存放期及约4个月的车间寿命。固化树脂可具有约2.2千兆帕斯卡(gpa)的杨氏(young)弹性模量及约55/℃的热膨胀系数。

可使绝缘层132相对较薄。在一些实施例中，绝缘层可约15μm厚或更小。在一些实施例中，包括具有橡胶填料的酚醛树脂的绝缘层132的厚度范围可为约6μm至约14μm。在一些特定实施例中，包括具有橡胶填料的酚醛树脂的绝缘层132的厚度可为约10μm。使用诸如光敏树脂这样的材料来形成绝缘层132可相对于具有较厚绝缘层的其他装置减小封装的表面声波装置100的总高度。

除厚度减小之外，也可去除作为绝缘层132的光敏缓冲涂层以使晶片102的其他部分(诸如开口及其中切割及单粒化晶片的切割道区域)上无明显残留物。使用光敏缓冲涂层也可提供铜导电层的表面上的良好覆盖，且在缓冲涂层固化之后无明显铜氧化。光敏缓冲涂层也可通过滚珠剪切(ballshear)及可靠性测试。

绝缘层132可为光敏缓冲涂层。在一些实施例中，负型光敏材料可被用作光敏缓冲涂层。由于由腔体壁、腔体顶及导电层的高度制成的沟渠，光敏缓冲涂层可在装置的边缘处的切割道处较厚。对于正型光敏材料，当将待去除的光敏材料的区域曝露于光时，曝光能量可为去除残留物的重要因素。可施加相对较高的曝光剂量以使正型光敏材料显影以穿透装置的边缘处的相对较厚缓冲涂层。这会使在曝光能量不够高时使正型材料显影变困难。使用相对较高曝光能量，可以使边缘薄化至接近切割道。

相比而言，对于负型光敏材料，将想要保留在完成装置(finisheddevice)中的光敏缓冲区域曝露于光。显影速率可取决于光敏材料的性质。在封装的表面声波装置的侧处的切割道区域处可容易使负型光敏材料显影。

封装的表面声波装置100还包括端子142a及142b，其位于导电层122的各自部分上方且通过绝缘层132中的孔隙134与导电层122物理接触。端子142a及142b的部分144a及144b分别延伸穿过绝缘层132中的孔隙。焊料层146a及146b分别覆于端子142a及142b上。

覆于图案化绝缘层132上的保形层可形成连接部分144a及144b及端子142a及142b的剩余部分两者。在这样的实施例中，可形成端子及下设导电层且两者之间无连接它们的单独柱。端子可包括铜或另一合适的材料。在一些实施例中，端子可具有约10μm的厚度。焊料层146a及146b可包括锡。

图2a是根据一个实施例的封装的表面声波装置200的图。图2b是图2a的区段b的详图，其示出封装的表面声波装置200的边缘部分。如图2b中可见，腔体壁212具有厚度tw，沿装置的边缘的导电材料222的侧壁226具有厚度tc，且从导电材料232的侧壁236的外边缘到晶片202的边缘的距离具有厚度te。在一些实施例中，腔体壁212的厚度tw为约30μm，与晶片202接触的导电材料222的侧壁226的部分的厚度tc为约15μm，且从导电材料232的侧壁236的外边缘到晶片202的边缘的厚度te为约30μm。

图2b示出晶片基板的边缘部分206没有形成绝缘层232的光敏树脂，使得绝缘层232的侧236从晶片202的外边缘后移。边缘部分可从绝缘层232的边缘到晶片202的边缘延伸约10μm至约20μm的范围的距离。这允许其中切割及单粒化晶片的切割道区域没有绝缘层的包封。这进而允许使用相对较薄刀片来单粒化晶片。这可促进相邻晶片之间的较小间距和给定尺寸的晶圆上的更多晶片。此外，用于单粒化的较薄刀片可通过减少碎屑来提高可靠性。

图3a至图3j是根据一个实施例的制造过程的各个阶段中的封装的表面声波装置的一部分的横截面。在图3a所展示的阶段中，提供晶片(die)302，其包括一个或多个表面声波谐振器的叉指换能器电极304。在一些实施例中，晶片302可为具有多个离散区域的晶圆(wafer)，多个离散区域含有叉指换能器电极，其将封装至分离的封装的表面声波装置中且然后在单粒化工序中分离。晶片302可为单压电层，如图中所示。在其他实施例中，晶片302可为多层压电基板，其包括支撑基板及压电基板。多层压电基板可包括一个或多个额外层及支撑基板及压电基板。作为一个示例，支撑基板可为硅基板。除叉指换能器电极304之外，延伸远离叉指换能器电极304的互连结构也可被提供于晶片302上。

在图3b中，已形成围着叉指换能器电极304的腔体壁312。腔体壁312可为具有弯曲区段的单一壁，或可包括彼此成角度交接以形成所要求形状(诸如一矩形)的多个壁段。腔体壁312可包括光刻胶或其他光敏材料。腔体壁312的高度可对应于所得腔体的所要求高度。腔体壁312可延伸于由晶片302支撑的互连结构上，使得互连结构的一部分位于腔体壁312外。各腔体壁312可跨包括压电材料的晶圆形成于多个位置处，各在形成封装的位置处。

在图3c中，已形成腔体顶314，其从腔体壁312的一侧延伸到另一侧。在所示的实施例中，腔体顶314是平坦结构，其具有大体上彼此平行延伸且平行于晶片302的下层表面延伸的一上表面及一下表面。在一些其他实施例中，可形成腔体顶的其他形状，其包括具有在腔体顶的下表面中面向叉指换能器电极304的凹槽的形状。在所示的实施例中，腔体顶314的边缘不向外延伸超过腔体壁312的边缘。此形状可促进后续材料沉积于腔体限定结构上。

在图3d中，已将晶种层沉积于腔体顶314及腔体壁312的外表面上，且已使导电层322形成于覆于晶种层上的某些位置处。导电层322包括导电层322的两个部分之间的间隙324。导电层322也包括侧壁部分326，其沿腔体顶314及腔体壁312的侧面延伸且向下延伸至晶片302。

在图3e中，已去除晶种层的曝光部分，且已使缓冲绝缘涂层332形成于导电层322上方。绝缘层332具有露出导电层322的下设区段的孔隙334。绝缘层332也包括侧壁部分336，其沿导电层322的侧面延伸且向下延伸至晶片302。绝缘层332可包括负型光敏材料。绝缘层332可包括光敏树脂。绝缘层332可包括具有橡胶填料的酚醛树脂。

在图3f中，已形成覆于绝缘层332的孔隙334上的端子340a及340b。端子340a及340b填充孔隙334的至少一部分且延伸于相邻于孔隙334的绝缘层332的各部分上。在一些实施例中，端子340a及340b可包括铜或另一合适的导电材料。端子340a及340b可包括沉积于孔隙334及相邻于孔隙334的绝缘层332的各部分上方的保形材料层，使得端子340a及340b包括孔隙334内的各自连接部分344a及344b及连接部分344a及344b上方的较宽上区段342a及342b。

在图3g中，已使焊料部分346a及346b分别形成于端子340a及340b的上表面上。在一些实施例中，焊料可包括锡，但也可使用其他合适的焊料材料。焊料部分346a及346b可促使端子340a及340b接合至外部装置以实现通过导电材料322来与腔体316内的表面声波谐振器连接。

在图3h中，回磨(background)与叉指换能器电极304对置的晶片302的侧面以去除晶片302的一部分309以将晶片302的厚度减小至一所要求的最终厚度。在一些实施例中，所得经修整晶片302'可具有约130μm的一最终厚度，但也可使用其他晶片厚度。

在图3i中，将与叉指换能器电极304对置的经修整晶片302'的侧面307曝露于来自标记激光的照光390以形成具有标记部分308的经标记及修整晶片302"。激光标记可被用于对准模块和/或用于识别晶圆及模块的批次。可直接对经修整晶片302'的压电材料执行激光标记，如图中所示。通过直接标记经修整晶片302'而非形成待标记的额外膜或层，可以减小所得封装的表面声波装置300的总厚度。

此直接标记可使用来自深紫外线激光的照光390。在一个实施例中，这样的激光可发射具有这样的波长的光，该波长可标记锂基基板而不损坏表面声波装置的锂基基板的功能。作为示例，激光可具有266纳米(nm)的波长。此激光波长或类似波长可将锂基基板(诸如铌酸锂基板或钽酸锂基板)标记至相对较浅的深度，诸如小于1微米的深度。此浅标记深度可防止经修整及标记晶片302"的强度显著降低。此外，此激光波长不应穿透铌酸锂基板。可使用合适的激光波长来类似地标记多层压电基板。

图3j示出经标记的封装的表面声波装置300，其包括与叉指换能器电极304对置的经修整晶片302'的侧面307的标记部分308的详图。详图示出晶片302"的底侧307的标记部分308中的标记392。可形成任何合适的标记，其包括文字数字标记或其他符号。标记部分308的位置可在晶片302"上的任何一个或若干合适位置处。

所得封装的表面声波装置300可具有小于220μm的一总封装高度h1，且在某些实施例中可小于200μm或约190μm。减小装置300的总封装高度h1的特征包括使用缓冲涂层来形成绝缘层332及直接标记晶片302"而非形成及标记单独层。此外，在图3a至图3j所示的过程中，可使用比某些先前方法更少(例如更少约25个)的处理步骤来封装表面声波装置。

尽管图3b及图3c大致示出腔体壁312及腔体顶314的形成，但图4a至图4f更详细示出用于形成腔体壁及腔体顶的制造过程的具体实施例。特别地，图4a至图4f示出包括多次光刻胶曝光的制造过程的各个阶段的部分经封装的表面声波装置的一部分的横截面。

图4a示出使光敏层450形成于晶片402及由晶片402支撑的叉指换能器电极404上方。晶片402及叉指换能器电极404可类似于图3a的晶片302及叉指换能器电极304。光敏层450可包括光敏材料，且可形成为具有等于腔体壁的所要求的厚度的厚度。因为叉指换能器电极404及由晶片402支撑的其他部件可提供光敏层450形成于其上的不规则上表面，所以可通过使用液体类型光敏材料(诸如液体光树脂)来形成光敏层450。使用液体光敏材料允许跨晶片402及在叉指换能器电极404上方形成实质上恒定厚度的光敏层450。

图4b示出使用掩模452来将光敏层450的部分选择性曝露于照光490。在所示的实施例中，光敏层450包括正型光敏材料，其中使待保留于装置中的光敏层450的各部分屏蔽于光且将待去除的光敏层450的各部分454曝露于光。光敏层450的掩模部分可保持不溶于光刻胶显影剂，且曝露于光的光敏层450的未掩模部分454可变成可溶于光刻胶显影剂。

图4c示出图4b的光敏层450的掩模部分，其在去除光敏层的未掩模部分之后留作腔体壁412。此去除可包括例如将光敏层450曝露于光刻胶显影剂以去除光敏层的可溶部分。

在图4d中，已使光刻胶层460形成于腔体壁412上方。与可包括液体类型光树脂以提供不规则表面上方的恒定厚度的光刻胶材料450不同，光刻胶层460可沉积为由腔体壁支撑的膜，使得可形成大体上平坦结构，该平坦结构覆于叉指换能器电极404及由晶片402支撑的其他部件上。

在图4e中，使用掩模462来将光敏层460选择性曝露于照光490。在所示的实施例中，光敏层460包括负型光敏材料，其中将待保留于装置中的光敏层460的各部分曝露于光，且使待去除的光敏层460的各部分464屏蔽于光。光敏层460的掩模部分464可保持可溶于光刻胶显影剂，且曝露于光的光敏层460的未掩模部分可保持不可溶于光刻胶显影剂。

图4f示出在去除光敏层的掩模部分之后留作腔体顶414的图4e的光敏层460的未掩模部分。此去除可包括例如将光敏层460曝露于光刻胶显影剂以去除光敏层的可溶部分。

尽管图3d大致示出导电层322的形成，但图5a至图5e更详细绘示使用电镀程序来形成导电层的制造过程的具体实施例。特别地，图5a至图5e是部分封装的表面声波装置的一部分在包括电镀程序的制造过程的各个阶段中的横截面。

图5a示出已使晶种层520形成于腔体壁512及腔体顶514的外表面上方。如同图4f的部分封装的装置，腔体壁512及腔体顶514由晶片502支撑且界定围封由晶片502支撑的叉指换能器电极504的腔体516。形成晶种层520可包括对腔体顶514的曝露表面或其他表面执行表面修改，其包括清洁这些表面。然后，可将金属溅镀于腔体顶514及腔体壁512的曝露表面上以形成晶种层520。在一些实施例中，可溅镀钛及铜以形成用于电镀的基底金属。晶种层520可延伸至相邻于腔体壁512的晶片502的曝露部分上。

在图5b中，已使光敏层570形成于晶种层520上方。如图中所展示，光敏层570可大体保形于下设结构上，但在其他实施例中，在腔体顶514上方可薄于侧面上的晶片上方。光敏层570可使覆于腔体顶514上的区域中的厚度至少与电镀至晶种层上的最终导电层一样厚，使得光敏层570可被用于界定电镀至晶种层520上的导电层的形状。

在图5c中，已经通过将光敏层570选择性曝露于照光且随后去除光敏层570的可溶部分来图案化光敏层570。光敏层的各部分的这种去除曝露下设晶种层520的各部分。

剩余光敏层部分包括界定待形成的导电层的边缘的侧部分574。这些侧部分574可仅覆于远离腔体壁512的下设晶片502上的晶种层520的各部分上。剩余光敏层部分还包括延伸于腔体顶514的一部分上方的间隙界定部分572。在一些实施例中，间隙界定部分572可自一侧部分574延伸至另一侧部分574以使晶种层520的两个曝光部分彼此完全分离。在一些实施例中，可包括额外间隙界定部分，其将晶种层530的各曝光部分分离成多个分离区段。

在图5d中，已将较厚导电层522电镀至晶种层520的曝光部分上。较厚导电层522的形状由光敏层的剩余部分界定，该剩余部分包括侧部分574及间隙界定部分572。导电层522可包括铜或任何其他合适的材料。

在图5e中，已去除包括侧部分574及间隙界定部分572的光敏层的剩余部分。额外地，已去除光敏层的这些部分下方的晶种层520的曝光部分。所得导电层522可包括由间隙524分离的覆于腔体顶514上的离散区段及沿腔体顶514及腔体壁512的各侧向下延伸至晶片502的侧壁区段526。

尽管图3e大致示出绝缘层332的形成，但图6a至图6c更详细示出用于形成绝缘层的制造过程的具体实施例。特别是，图6a至图6c示出一部分封装的表面声波装置在包括旋涂程序的制造过程的各个阶段的一部分的横截面。

图6a示出已使缓冲涂层680形成于导电层622的外表面上方，导电层622形成于腔体壁612及腔体顶614上方。如同图5e的部分封装装置，腔体壁612及腔体顶614由晶片602支撑且界定围封由晶片602支撑的叉指换能器电极604的腔体616。在一些实施例中，缓冲涂层可包括光敏树脂，诸如酚醛树脂。缓冲涂层也可包括橡胶填料。

在所示的实施例中，覆于导电层622上的缓冲涂层680的厚度比覆于远离导电层622的晶片602上的缓冲涂层680的厚度薄。缓冲涂层680的上表面可大体上平坦。在一些实施例中，可使用旋涂工艺来沉积缓冲涂层680。尽管下设导电层622及晶片602的轮廓不规则，但使用旋涂工艺可提供大体上平坦的上表面。在一些实施例中，覆于腔体顶614上的区域中的缓冲涂层680的厚度可小于约10μm，但也可使用其他合适的厚度。

在图6b中，使用掩模682来将缓冲涂层680选择性曝露于照光690。在所示的实施例中，缓冲涂层680包括负型光敏材料，其中将待保留于装置中的缓冲涂层680的各部分曝露于光，且使待去除的缓冲涂层680的各部分684屏蔽于光。缓冲涂层680的掩模部分684可保持可溶于光刻胶显影剂，且曝露于光的缓冲涂层680的未掩模部分可变成不可溶于光刻胶显影剂。可使用宽带光来曝光缓冲涂层680。

在图6c中，已去除缓冲涂层680的掩模部分，且已固化剩余部分以形成延伸于导电层622上方的绝缘层632。绝缘层632具有露出导电层622的下设区段的孔隙634。绝缘层632还包括沿导电层622的各侧向下延伸至晶片602的侧壁部分636。

图7是根据一个实施例的制造包括光敏缓冲涂层的封装的表面声波装置的过程的流程图。过程700开始于一阶段705，其中使腔体结构形成于支撑至少一个叉指换能器电极的晶片上。腔体结构包封至少一个叉指换能器电极。形成腔体结构可包括形成包围至少一个叉指换能器电极的一个或若干腔体壁及形成由腔体壁支撑且延伸于至少一个叉指换能器电极上的腔体顶。

过程700进行至阶段710，其中使导电层形成于包括腔体顶及腔体壁的腔体结构上。可通过电镀工艺来形成导电层。电镀工艺可包括：诸如经由溅镀来沉积晶种层，接着将导电层电镀至晶种层上。导电层可包括与晶片接触的侧壁部分。导电层可包括彼此电分离的区段。

过程700进行至阶段715，其中使用旋涂工艺来使绝缘层形成于导电层上方。绝缘层可包括缓冲涂层。缓冲涂层可包括酚醛树脂，且可包括橡胶填料。绝缘层可包括负性光刻胶材料。绝缘层可包括露出导电层的不同部分的多个孔隙。绝缘层可包括与晶片接触的侧壁部分。

过程700进行至阶段720，其中形成多个端子，该多个端子各覆于绝缘层中的孔隙上且延伸至孔隙中以接触导电层。端子可包括铜。端子可包括端子的顶部上的焊料层。

图8是根据一个实施例的制造包括压电层的激光标记的封装的表面声波装置的过程的流程图。在某些应用中，可结合过程700来执行过程800。过程800开始于阶段805，其中提供支撑封装的表面声波装置的压电基板。封装的表面声波装置可包括包封于腔体结构内的至少一个叉指换能器电极。封装的表面声波装置可包括通过旋涂工艺所形成的绝缘层。绝缘层可包括可为酚醛树脂的负性光刻胶，且可包括橡胶填料。封装的表面声波装置

过程800进行至阶段810，其中直接激光标记压电基板。标记过程不增加封装的表面声波装置的厚度，因为不包括离散标记层。激光标记可包括使用深uv激光来标记压电基板。在某些示例中，激光标记可涉及施加具有266nm波长的激光。这样的波长适合于标记铌酸锂和/或钽酸锂基板。压电基板的标记部分可延伸至压电基板中小于1μm。

本文中所公开的封装的表面声波装置可实施于各种应用中，诸如射频模块中的独立表面声波滤波器等。包括根据本文中所公开的任何合适的原理及优点的经封装的表面声波装置的射频模块也可包括功率放大器、射频开关、低噪声放大器、电感器等的一个或多个。这样的射频模块可受益于经封装的表面声波装置的减小的高度和/或尺寸。

图9是根据一个实施例的包括表面声波部件1076的射频模块900的示意图。所示的射频模块1200包括saw部件1076及其他电路1077。saw部件1076可包括具有本文中所公开的saw封装的特征的任何合适的组合的一个或多个经封装的saw滤波器。

图9中所示出的saw部件1076包括滤波器1078和端子1079a及1079b。滤波器1078包括saw谐振器，且可根据本文中所公开的任何合适的原理及优点来封装。端子1079a及1079b可充当例如输入接触点及输出接触点，且可延伸穿过缓冲树脂绝缘涂层。在图9中，saw部件1076及其他电路1077位于共同封装基板1080上或由共同封装基板1080支撑。封装基板1080可为层压基板。端子1079a及1079b可分别通过电连接器1082a及1082b来电连接至封装基板1080上或由封装基板1080支撑的各自接触点1081a及1081b。电连接器1082a及1082b可为例如凸块或引线键合。其他电路1077可包括任何合适的附加电路。例如，其他电路可包括一个或多个功率放大器、一个或多个射频开关、一个或多个附加滤波器、一个或多个低噪声放大器等，或其任何合适的组合。射频模块1200可包括一个或多个封装结构以例如提供保护和/或促使射频模块1200易于处置。这样的封装结构可包括形成于封装基板1200上方的包覆模制结构。包覆模制结构可包封射频模块900的一些或所有元件。

图10是根据一个实施例的包括经封装的表面声波部件的射频模块1000的示意图。如图所示，射频模块1300包括具有各自的发射滤波器1186a1至1186n1及各自的接收滤波器1186a2至1186n2双工器的1185a至1185n、功率放大器1187、选择开关1188及天线开关1189。射频模块1000可包括包封所示元件的封装。所示元件可被设置于共同封装基板1180上。封装基板可为例如层压基板。

双工器1185a至1185n可各包括耦接至共同节点的两个声波滤波器。两个声波滤波器可为发射滤波器及接收滤波器，且可如本文中所讨论的，彼此封装。如图所示，发射滤波器及接收滤波器可各为经配置以对射频信号进行滤波的带通滤波器。根据本文中所公开的任何合适的原理及优点的经封装的saw装置可包括一个或多个发射滤波器1186a1至1186n1和/或一个或多个接收滤波器1186a2至1186n2的一个或多个saw谐振器。尽管图10示出双工器，但本文中所公开的任何合适的原理及优点可在其他复用器(例如四工器、六工器、八工器等等)和/或天线收发开关中实现。

功率放大器1187可放大射频信号。所示的开关1188是多掷射频开关。开关1188可将功率放大器1187的输出电耦接至发射滤波器1186a1至1186n1的选定发射滤波器。在一些例项中，开关1188可将功率放大器1187的输出电连接至超过一个的发射滤波器1186a1至1186n1。天线开关1189可将来自一个或多个双工器1185a至1185n的信号选择性耦接至天线端口ant。双工器1185a至1185n可与不同频带和/或不同操作模式(例如不同功率模式、不同信令模式等)相关联。

图11是根据一个或多个实施例的包括功率放大器1212、射频开关1214及双工器1291a至1291n的模块1210的示意框图。功率放大器1212可放大射频信号。射频开关1214可为多掷射频开关。射频开关1214可将功率放大器1212的输出电耦接至双工器1291a至1291n的选定发射滤波器。根据本文中所公开的任何合适的原理及优点的封装的saw装置可包括双工器1291a至1291n的一个或多个滤波器和/或一个或多个双工器1291a至1291n的一个或多个saw谐振器。

图12是根据一个实施例的包括滤波器1271a至1271n、射频开关1274及低噪声放大器1272的模块1270的示意框图。根据本文中所公开的任何合适的原理及优点的封装的saw装置可包括滤波器1271a至1271n的一个或多个滤波器的一个或多个saw谐振器。一些或所有滤波器可如本文中所讨论那样被封装。可实现任何合适数目的滤波器1271a至1271n。所示的滤波器1271a至1271n是接收滤波器。在一些实施例(图中未示出)中，滤波器1271a至1271n的一个或多个可包括于被包括在发射滤波器中的复用器中。射频开关1274可为多掷射频开关。射频开关1274可将滤波器1271a至1271n的选定滤波器的输出电耦接至低噪声放大器1272。在一些实施例(图中未示出)中，可实现多个低噪声放大器。在某些应用中，模块1270可包括分集接收特征。

图13是包括双工器1391a至1391n及天线开关1394的模块1395的示意框图。根据本文中所讨论的任何合适的原理及优点，双工器1391a至1391b的一个或多个滤波器可如本文中所描述那样被封装且可包括任何合适数目的表面声波谐振器。可实现任何合适数目的双工器1391a至1391n。天线开关1394可具有对应于双工器1391a至1391n的数目的掷数。天线开关1394可将选定双工器电耦接至模块1395的天线端口。

图14是根据一个实施例的包括射频前端1402中的滤波器1403的无线通信装置1400的示意图。滤波器1403可包括根据本文中所讨论的任何合适的原理及优点的一个或多个saw谐振器。无线通信装置1400可为任何合适的无线通信装置。例如，无线通信装置1400可为移动电话，诸如智能电话。如图中所示，无线通信装置1400可包括天线1401、rf前端1402、一收发器1404、处理器1405、存储器1406及用户接口1407。天线1401可发射由rf前端1402提供的rf信号。这样的rf信号可包括载波聚合信号。尽管未图示，但在某些应用中，无线通信装置1400可包括麦克风及扬声器。

rf前端1402可包括一个或多个功率放大器、一个或多个低噪声放大器、一个或多个rf开关、一个或多个接收滤波器、一个或多个发射滤波器、一个或多个双工滤波器、一个或多个复用器、一个或多个频率复用电路等，或其等任何合适的组合。rf前端1402可发射及接收与任何合适的通信标准相关联的rf信号。滤波器1403可彼此封装或与滤波器1403的子集封装，且可包括经封装的saw装置，其包括参考本文中所讨论的任何实施例所讨论的特征的任何合适的组合。

收发器1404可提供rf信号至rf前端1402用于放大和/或其他处理。收发器1404也可处理由rf前端1402的低噪声放大器提供的rf信号。收发器1404与处理器1405通信。处理器1405可为基带处理器。处理器1405可提供适合于无线通信装置1400的任何基频处理功能。存储器1406可由处理器1405存取。存储器1406可储存适合于无线通信装置1400的任何数据。用户接口1407可为任何合适的用户接口，诸如具有触控屏幕能力的显示器。

图15是包括射频前端1502中的滤波器1503及分集接收模块1512中的第二滤波器1513的无线通信装置1510的示意图。除无线通信装置1520还包括分集接收特征之外，无线通信装置1510相同于图14的无线通信装置1500。如图15中所示，无线通信装置1520包括：分集天线1511；分集模块1512，其被配置为处理由分集天线1511接收的信号且包括滤波器1513；及收发器1504，其与射频前端1502及分集接收模块1512两者通信。滤波器1513可彼此封装或与滤波器1513的子集封装，且可包括经封装的saw装置，其包括参考本文中所讨论的任何实施例所讨论的特征的任何合适的组合。

可采用一个或多个温度补偿saw谐振器来实现本文中所公开的表面声波装置的任何合适的原理及优点。温度补偿saw谐振器包括叉指换能器电极上方的温度补偿层(例如二氧化硅层)，以使频率温度系数较接近于0。

本文中所公开的封装的表面声波装置可包括一个或多个表面声波谐振器，其被包括于经布置以对第四代(4g)长期演进(lte)操作频带中的射频信号滤波的滤波器中。本文中所公开的封装的表面声波装置可包括一个或多个表面声波谐振器，其被包括于被布置为对频率范围1(fr1)内的第五代(5g)新无线电(nr)操作频带内的射频信号滤波的滤波器中。fr1可为(例如)自410兆赫(mhz)至7.125吉赫(ghz)，如当前5gnr规格中所指定的。本文中所公开的封装的表面声波装置可包括一个或多个表面声波谐振器，其被包括于具有对应于4glte操作频带及fr1内的5gnr操作频带两者的通带的滤波器中。

可结合射频系统和/或诸如蜂窝式手机的移动装置来实现上文所描述的任何实施例。实施例的原理及优点可被用于可受益于本文中所描述的任何实施例的任何系统或设备。本文中的教导可应用于各种系统。尽管本申请包括实例实施例，但本文中所描述的教导可应用于各种结构。可结合被布置为处理从约30khz至约300ghz的频率范围内--诸如从约450mhz至约8.5ghz的频率范围--的信号的rf电路来实施本文中所讨论的任何原理及优点。

本申请的各方面可实现于各种电子装置中。电子装置的实例可包括但不限于消费性电子产品、消费性电子产品的部分(诸如半导体晶片和/或经封装的射频模块)、电子测试设备、上行链路无线通信装置、个人局域网络通信装置等。消费性电子产品的实例可包括但不限于移动电话，诸如智能电话；可穿戴运算装置，诸如智能手表或耳机；电话；电视；计算机监视器、计算机、路由器、调制解调器、手持计算机、膝上型计算机、平板计算机、个人数字助理(pda)、微波炉、冰箱、车辆电子系统，诸如汽车电子系统；立体声系统、dvd播放器、cd播放器、数字音乐播放器，诸如mp3播放器；收音机、摄录像机、摄像机，诸如数字相机；便携式存储器芯片、洗衣机、干衣机、洗衣机/干衣机、外围装置、钟表等。此外，电子装置可包括未完成产品。

除非上下文另有明确要求，否则在整个说明书及权利要求书中，用词“包含”、“包含了”、“包括”、“包括了”等应被解释为包括意义，而非排他或穷举意义，即，在“包括(但不限于)”的意义中。本文中一般所使用的用词“耦接”是指可直接连接或通过一个或多个中间元件来连接的两个或更多个元件。同样地，本文中一般所使用的用词“连接”是指可直接连接或通过一个或多个中间元件来连接的两个或更多个元件。额外地，本申请中所使用的用词“本文中”」、“上文”、“下文”及类似含义用语应指本申请作为整体而非本申请的任何特定部分。在上下文容许的情况下，具体实施方式中使用单数或复数的用词也可分别包括复数或单数。涉及两个或更多个项目的列表的用词“或”涵盖用词的以下所有解译：列表中的任何项目、列表中的所有项目或列表中项目的任何组合。

此外，除非另有明确规定或上下文另有理解，否则本文中所使用的条件用语诸如“可”、“可以”、“可能”“等”、“例如”、“诸如”等通常意在传达某些实施例而其他实施例不包括某些特征、元件和/或状态。因此，这样的条件用语通常不意在暗示一个或多个实施例以任何方式需要特征、元件和/或状态或一个或多个实施例必需包括逻辑，该逻辑用于在具有或不具有作者输入或提示的情况下决定这样的特征、元件和/或状态是否被包括或被执行于任何特定实施例中。

尽管已描述某些实施例，但这样的实施例仅供例示且不意在限制本申请的范畴。其实，本文中所描述的新颖设备、方法及系统可以以各种其他形式体现；此外，可在不背离本申请的精神的情况下对本文中所描述的方法及系统作出各种省略、替换及改变。例如，尽管在给定布置中呈现区块，但替代实施例可使用不同元件和/或电路拓扑来执行类似功能，且可删除、移动、添加、细分、组合和/或修改一些框。以各种不同方式实现这样的区块的每一个。上述各种实施例的元件及动作的任何合适的组合可经组合以提供进一步的实施例。所附权利要求书及其等价物意在涵盖会落于本申请的范畴及精神内的这样的形式或修改。