技术特征：
1.一种半导体装置间隔件，包括：框架，所述框架具有与第二表面相对的第一表面，所述框架进一步包括：框架材料，所述框架材料包括具有球形陶瓷填料的聚合物基介电材料；以及通孔，所述通孔包括限定穿过所述框架从所述第一表面延伸到所述第二表面的开口的通孔表面，所述通孔的直径在约10μm与约150μm之间；以及电互连，所述电互连设置在所述通孔内，所述电互连设置在所述通孔表面上。2.如权利要求1所述的半导体装置间隔件，其中所述陶瓷填料包括最大直径为约0.6μm的二氧化硅颗粒。3.如权利要求2所述的半导体装置间隔件，其中所述二氧化硅颗粒的装填密度在约0.5与约0.95之间。4.如权利要求1所述的半导体装置间隔件，其中所述框架的厚度在约400μm与约1600μm之间。5.如权利要求1所述的半导体装置间隔件，其中所述通孔从第一直径渐缩到第二直径。6.如权利要求5所述的半导体装置间隔件，其中所述第一直径在约10μm与约100μm之间，并且所述第二直径在约10μm与约150μm之间。7.如权利要求1所述的半导体装置间隔件，进一步包括通孔阵列，所述通孔阵列限定穿过所述框架从所述第一表面延伸到所述第二表面的开口。8.如权利要求7所述的半导体装置间隔件，其中在所述通孔阵列的每个通孔之间的间距在约150μm与约600μm之间。9.一种半导体装置组件，包括：第一印刷电路板(pcb)，所述第一印刷电路板(pcb)包括：第一玻璃纤维增强的环氧树脂材料；以及第一电分布层，所述第一电分布层形成在所述玻璃纤维增强的环氧树脂材料上；第二pcb，所述第二pcb包括：第二玻璃纤维增强的环氧树脂材料；以及第二电分布层，所述第二电分布层形成在所述玻璃纤维增强的环氧树脂材料上；以及装置间隔件，所述装置间隔件插置在所述第一pcb与所述第二pcb之间以促成在所述第一pcb与所述第二pcb之间的物理空间，所述装置间隔件进一步包括：框架，所述框架具有与第二表面相对的第一表面，所述框架进一步包括：框架材料，所述框架材料包括具有球形陶瓷填料的聚合物基介电材料；以及通孔，所述通孔包括限定穿过所述框架从所述第一表面延伸到所述第二表面的开口的通孔表面，所述通孔的直径在约10μm与约150μm之间；以及电互连，所述电互连在所述通孔内设置在所述通孔表面上，以形成在所述第一电分布层和所述第二电分布层的至少一部分之间延伸的导电路径的至少部分。10.如权利要求9所述的半导体装置组件，其中所述陶瓷填料包括最大直径为约0.6μm的二氧化硅颗粒。11.如权利要求10所述的半导体装置组件，其中所述二氧化硅颗粒的装填密度在约0.5与约0.95之间。12.如权利要求9所述的半导体装置组件，其中所述框架的厚度在约400μm与约1600μm
之间。13.如权利要求12所述的半导体装置组件，其中所述物理空间的高度基本上类似于所述框架的所述厚度。14.如权利要求9所述的半导体装置组件，进一步包括焊料凸块，所述焊料凸块将所述电互连与所述第一电分布层和所述第二电分布层导电地耦接，所述焊料凸块的最大高度为约50μm。15.如权利要求14所述的半导体装置组件，进一步包括包封材料，所述包封材料基本上包围所述焊料凸块。16.如权利要求9所述的半导体装置组件，其中所述装置间隔件的面积相对于所述第一pcb或所述第二pcb的表面的面积的比率在约0.15与约0.85之间。17.一种半导体装置组件，包括：印刷电路板(pcb)，所述印刷电路板(pcb)包括：第一玻璃纤维增强的环氧树脂材料；以及第一电分布层，所述第一电分布层形成在所述玻璃纤维增强的环氧树脂材料上；硅基板，所述硅基板包括：硅芯部结构，所述硅芯部结构的厚度小于1000μm；以及第二电分布层，所述第二电分布层形成在所述硅芯部结构上，所述第二电分布层基本上包围所述硅芯部结构；以及装置间隔件，所述装置间隔件插置在所述pcb与所述硅基板之间以促成在所述pcb与所述硅基板之间的物理空间，所述装置间隔件进一步包括：框架，所述框架具有与第二表面相对的第一表面，所述框架的厚度在约400μm与约1600μm之间并且基本上类似于所述物理空间的高度，所述框架进一步包括：框架材料，所述框架材料包括具有球形陶瓷填料的聚合物基介电材料；以及通孔，所述通孔包括限定穿过所述框架从所述第一表面延伸到所述第二表面的开口的通孔表面，所述通孔的直径在约10μm与约150μm之间；以及电互连，所述电互连在所述通孔内设置在所述通孔的所述表面上以形成在所述第一电分布层和所述第二电分布层的至少一部分之间延伸的导电路径的至少部分，其中所述装置间隔件的面积相对于所述pcb或所述硅基板的表面的面积的比率在约0.15与约0.85之间。18.如权利要求17所述的半导体装置组件，其中所述陶瓷填料包括最大直径为约0.6μm的二氧化硅颗粒。19.如权利要求18所述的半导体装置组件，其中所述二氧化硅颗粒的装填密度在约0.5与约0.95之间。20.如权利要求17所述的半导体装置组件，进一步包括：焊料凸块，所述焊料凸块将所述电互连与所述第一电分布层和所述第二电分布层导电地耦接；以及包封材料，所述包封材料基本上包围所述焊料凸块，所述焊料凸块的最大高度为约50μm。
技术总结
本公开内容总体上涉及堆叠的小型化电子装置及其形成方法。更具体地，本文描述的实施例涉及半导体装置间隔件及其形成方法。本文描述的半导体装置间隔件可以用于形成堆叠的半导体封装组件、堆叠的PCB组件等等。堆叠的PCB组件等等。堆叠的PCB组件等等。
技术研发人员：K
受保护的技术使用者：应用材料公司
技术研发日：2021.03.09
技术公布日：2021/9/9