1.一种改善频率温漂特性的振荡器电路结构，包括晶体管q，所述晶体管q的集电极c连接偏置电压vcc，基极b与发射极e通过电容c1连接，发射极e分别通过恒流源i、电容c2接地，基极b通过依次串联的电容c3、电感l接地；其特征在于：
所述晶体管q的基极b与集电极c之间通过补偿电容cco连接。
2.根据权利要求1所述的改善频率温漂特性的振荡器电路结构，其特征在于：所述晶体管q的发射极e连接有耦合电容cc，耦合电容cc另一端作为振荡器信号输出端。
3.根据权利要求2所述的改善频率温漂特性的振荡器电路结构，其特征在于：所述补偿电容cco的容值为晶体管q的集电结寄生电容cbc的10倍以上。
4.根据权利要求3所述的改善频率温漂特性的振荡器电路结构，其特征在于：所述电容c1、c2、c3与补偿电容cco的容值为同一量级。
5.根据权利要求1-4任意一项所述的改善频率温漂特性的振荡器电路结构，其特征在于：所述电感l两端并联有可调电容c4。