一种贴片温补晶体振荡电路的制作方法

1.本实用新型涉及晶体振荡电路技术领域，具体为一种贴片温补晶体振荡电路。


背景技术：

2.目前数字温补电路，其采用的温补晶振电路复杂，晶体振荡器整体体积膨胀较大，相位噪声底，而且晶体振荡器的抗震能力低下，无法满足电路稳定需求。


技术实现要素：

3.本实用新型的目的在于提供一种贴片温补晶体振荡电路，采用贴片温补晶振可简化电路，进一步压缩晶体振荡器整体体积，提高相位噪声，而且采用贴振可进一步提高晶体振荡器的抗震能力，可以解决现有技术中的问题。
4.为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种贴片温补晶体振荡电路，包括20mhz压控温补基准源电路、电压调节控制电路、100mhz压控晶体振荡电路、信号放大整形电路、选频滤波电路、锁相环电路和ldo稳压供电电路，所述20mhz压控温补基准源电路由贴片温补晶振u1组成，贴片温补晶振u1的1脚连接串联的电容c69、电阻r22，同时电阻r22分别连接电阻r19、电阻r21与并联的电容c50、电阻r20，电阻r19连接4v电压，电阻r21连接vc端口，贴片温补晶振u1的4脚连接并联电容c58、电容c15与电阻r28后，接4v电压；
5.所述电压调节控制电路由电阻r31、电容c61、电阻r32、电容c67、电容c15、电阻r29、电容c62、电阻r11、电容c46、电阻r15、二极管d1和二极管d2组成，电阻r31分别连接电阻r29、电阻r32与电容c61，电阻r29分别连接电容c62与电阻r11，电阻r32连接并联的电容c67、电容c68，电阻r11分别连接电容c46与电阻r15，同时电阻r15分别连接二极管d1与并联的二极管d2、电阻r18；
6.所述100mhz压控晶体振荡电路由集成芯片ic1组成，集成芯片ic1的2脚连接电容c28，电容c28分别连接电容c36与串联的电感l11、电感l8，集成芯片ic1的4脚分别连接串联的电容c35、电感l9与电容c7，同时电感l9分别连接高稳晶体j1与并联的电感l6、电容c17、电容c18，且高稳晶体j1与电感l8连接；
7.所述信号放大整形电路由集成芯片ic4组成，集成芯片ic4的5脚连接串联的电阻r8、电阻r13后，连接+3.6v电压，集成芯片ic4的4脚连接电容c37后，输出100mhz振荡信号；
8.所述选频滤波电路由电容c34、电阻r25、电感l1、电感l2、电容c38和电容c41组成，电容c34连接串联的电阻r25、电感l1，同时电感l1分别连接串联的电感l2、电容c41与电容c38；
9.所述锁相环电路由锁相环ic2和单片机ic3组成，锁相环ic2的5脚连接电容c76，同时电容c76连接电感l5，锁相环ic2的7脚连接并联的电容c63、电容c64、电容c65、电容c66后，连接+3v电压，同时电容c66连接电感l5，锁相环ic2的9脚连接电感l5并接地，集成芯片ic2的10脚、13脚、12脚、11脚分别连接集成芯片ic3的1脚、2脚、3脚、5脚；
10.所述ldo稳压供电电路由集成芯片ic5和集成芯片ic6组成，集成芯片ic6的1脚连
接电容c2并接地，集成芯片ic6的4脚电容c8并接地，集成芯片ic6的5脚连接并联的电容c51、电容c1后，输出4v电压，集成芯片ic5的1脚分别连接集成芯片ic6的3脚、二极管d3与并联的电容c53、电容c54、电容c56后，连接5v电压，集成芯片ic5的5脚输出4v电压。
11.优选的，所述电容c36分别连接二极管d1与并联的二极管d2、电阻r18。
12.优选的，所述电容c7连接集成芯片ic4的2脚，集成芯片ic4的4脚还连接电容c34。
13.优选的，所述锁相环ic2的6脚与电容c41连接，锁相环ic2的8脚连接电容c60后，与贴片温补晶振u1的3脚连接。
14.优选的，所述集成芯片ic2的15脚、10脚连接电阻r10，电阻r10连接并联电容c22与电容c33后，连接集成芯片ic5的5脚。
15.与现有技术相比，本实用新型的有益效果如下：
16.本贴片温补晶体振荡电路，利用20mhz的贴片温补晶振u1经过锁相环电路，锁住100mhz压控晶体振荡电路输出100mhz高稳定的高频振荡信号，可提高晶体振荡器的温度特性及频率稳定度，因此与数字温补相比，采用贴片温补晶振可简化电路，进一步压缩晶体振荡器整体体积，提高相位噪声，而且采用贴振可进一步提高晶体振荡器的抗震能力。
附图说明
17.图1为本实用新型的20mhz压控温补基准源电路图；
18.图2为本实用新型的电压调节控制电路图；
19.图3为本实用新型的100mhz压控晶体振荡电路图；
20.图4为本实用新型的信号放大整形电路图；
21.图5为本实用新型的选频滤波电路图；
22.图6为本实用新型的锁相环电路图；
23.图7为本实用新型的ldo稳压供电电路图；
24.图8为本实用新型的整体电路原理图；
25.图中：1、20mhz压控温补基准源电路；2、电压调节控制电路；3、100mhz压控晶体振荡电路；4、信号放大整形电路；5、选频滤波电路；6、锁相环电路；7、ldo稳压供电电路。
具体实施方式
26.下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
27.请参阅图1-8，一种贴片温补晶体振荡电路，包括20mhz压控温补基准源电路1、电压调节控制电路2、100mhz压控晶体振荡电路3、信号放大整形电路4、选频滤波电路5、锁相环电路6和ldo稳压供电电路7，20mhz压控温补基准源电路1由贴片温补晶振u1组成，贴片温补晶振u1的1脚连接串联的电容c69、电阻r22，同时电阻r22分别连接电阻r19、电阻r21与并联的电容c50、电阻r20，电阻r19连接4v电压，电阻r21连接vc端口，贴片温补晶振u1的4脚连接并联电容c58、电容c15与电阻r28后，接4v电压。
28.电压调节控制电路2由电阻r31、电容c61、电阻r32、电容c67、电容c15、电阻r29、电
容c62、电阻r11、电容c46、电阻r15、二极管d1和二极管d2组成，电阻r31分别连接电阻r29、电阻r32与电容c61，电阻r29分别连接电容c62与电阻r11，电阻r32连接并联的电容c67、电容c68，电阻r11分别连接电容c46与电阻r15，同时电阻r15分别连接二极管d1与并联的二极管d2、电阻r18。
29.100mhz压控晶体振荡电路3由集成芯片ic1组成，集成芯片ic1的2脚连接电容c28，电容c28分别连接电容c36与串联的电感l11、电感l8，集成芯片ic1的4脚分别连接串联的电容c35、电感l9与电容c7，同时电感l9分别连接高稳晶体j1与并联的电感l6、电容c17、电容c18，且高稳晶体j1与电感l8连接。
30.信号放大整形电路4由集成芯片ic4组成，集成芯片ic4的5脚连接串联的电阻r8、电阻r13后，连接+3.6v电压，集成芯片ic4的4脚连接电容c37后，输出100mhz振荡信号。
31.选频滤波电路5由电容c34、电阻r25、电感l1、电感l2、电容c38和电容c41组成，电容c34连接串联的电阻r25、电感l1，同时电感l1分别连接串联的电感l2、电容c41与电容c38。
32.锁相环电路6由锁相环ic2和单片机ic3组成，锁相环ic2的5脚连接电容c76，同时电容c76连接电感l5，锁相环ic2的7脚连接并联的电容c63、电容c64、电容c65、电容c66后，连接+3v电压，同时电容c66连接电感l5，锁相环ic2的9脚连接电感l5并接地，集成芯片ic2的10脚、13脚、12脚、11脚分别连接集成芯片ic3的1脚、2脚、3脚、5脚。
33.ldo稳压供电电路7由集成芯片ic5和集成芯片ic6组成，集成芯片ic6的1脚连接电容c2并接地，集成芯片ic6的4脚电容c8并接地，集成芯片ic6的5脚连接并联的电容c51、电容c1后，输出4v电压，集成芯片ic5的1脚分别连接集成芯片ic6的3脚、二极管d3与并联的电容c53、电容c54、电容c56后，连接5v电压，集成芯片ic5的5脚输出4v电压。
34.上述中，电容c36分别连接二极管d1与并联的二极管d2、电阻r18，电容c7连接集成芯片ic4的2脚，集成芯片ic4的4脚还连接电容c34，锁相环ic2的6脚与电容c41连接，锁相环ic2的8脚连接电容c60后，与贴片温补晶振u1的3脚连接，集成芯片ic2的15脚、10脚连接电阻r10，电阻r10连接并联电容c22与电容c33后，连接集成芯片ic5的5脚。
35.电路原理：电阻r19、电阻r20、电阻r21、电阻r22、电容c50组成的压控电路，通过vc端口外加直流电压可调节晶振频率范围，贴片温补晶振u1、电容c58、电容c15、电容c60、电阻r28组成的温补晶体振荡电路，提供20mhz基准信号源输入到锁相环ic2做相位参考用，贴片温补晶振u1内置温度补偿电路，可补偿温度漂移特性，减小晶体振荡器的频率随温度变化而变化。
36.100mhz振荡信号经过选频滤波电路5选频滤波后，输入到锁相环ic2与20mhz基准信号源做相位比较，稳定100mhz振荡信号，当输入100mhz振荡信号变化时锁相环ic2输出相位差信号，通过电压调节控制电路2，变成直流调节电压控制二极管d1、二极管d2容量，从而改变100mhz压控晶体振荡电路3的振荡频率大小，锁定在100mhz振荡信号通过信号放大整形电路4对100mhz振荡信号放大整形并经电容c37耦合输出。
37.综上：本贴片温补晶体振荡电路，利用20mhz的贴片温补晶振u1经过锁相环电路6，锁住100mhz压控晶体振荡电路3输出100mhz高稳定的高频振荡信号，可提高晶体振荡器的温度特性及频率稳定度，因此与数字温补相比，采用贴片温补晶振可简化电路，进一步压缩晶体振荡器整体体积，提高相位噪声，而且采用贴振可进一步提高晶体振荡器的抗震能力，
因而可有效解决现有技术问题。
38.需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。
39.尽管已经示出和描述了本实用新型的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本实用新型的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本实用新型的范围由所附权利要求及其等同物限定。