发光器件、发光器件的制备方法与显示装置与流程

本技术涉及光电，具体涉及一种发光器件、发光器件的制备方法与显示装置。

背景技术：

1、发光器件是指一类利用半导体的光电效应制成的一类器件，发光器件包括但不限于是有机发光二极管(organic light-emitting diode,oled)和量子点发光二极管(quantum dot light emitting diodes,qled)。oled或qled具有类似“三明治”的结构，即包括阳极、阴极以及发光层，其中，阳极与阴极相对设置，发光层设置于阳极与阴极之间。光电器件的发光原理是：电子从器件的阴极注入至发光区，空穴从器件的阳极注入至发光区，电子和空穴在发光区复合形成激子，复合后的激子通过辐射跃迁的形式释放光子，从而发光。

2、发光器件技术经过多年的发展，性能指标方面取得了巨大的进步，也展现出巨大的应用发展潜力，但是发光器件的载流子注入水平有待进一步地提高，尤其是qled，发光器件的载流子注入水平是发光器件的发光效率和使用寿命的关键影响因素之一。

3、因此，如何提高发光器件的载流子注入水平对发光器件的应用与发展具有重要意义。

技术实现思路

1、本技术提供了一种发光器件、发光器件的制备方法与显示装置，以提高发光器件的载流子注入水平。

2、本技术的技术方案如下：

3、第一方面，本技术提供了一种发光器件，包括：

4、阳极；

5、阴极，与所述阳极相对设置；以及

6、发光层，设置于所述阳极与所述阴极之间；

7、所述发光器件还包括：

8、第一载流子传输辅助层，设置于所述阳极与所述发光层之间，所述第一载流子传输辅助层的材料包括第一量子点，所述第一量子点的带隙能量小于所述发光层的材料的带隙能量；和/或

9、第二载流子传输辅助层，设置于所述阴极与所述发光层之间，所述第二载流子传输辅助层的材料包括第二量子点，所述第二量子点的带隙能量小于所述发光层的材料的带隙能量。

10、进一步地，所述第一量子点的带隙能量与所述发光层的材料的带隙能量之间的差值的绝对值不高于0.6ev；

11、和/或，所述第二量子点的带隙能量与所述发光层的材料的带隙能量之间的差值的绝对值不高于0.6ev。

12、进一步地，所述发光器件在运作状态下，所述第一载流子传输辅助层不发光，和/或所述第二载流子传输辅助层不发光。

13、进一步地，所述第一量子点为第一发光量子点经白光照射处理后获得的量子点；

14、和/或，所述第二量子点为第二发光量子点经白光照射处理后获得的量子点。

15、进一步地，所述第一载流子传输辅助层的厚度为3nm至8nm，和/或所述第二载流子传输辅助层的厚度为3nm至8nm。

16、进一步地，所述发光层的材料选自有机发光材料或第三量子点；

17、所述有机发光材料选自二芳香基蒽衍生物、二苯乙烯芳香族衍生物、芘衍生物或芴衍生物、tbpe荧光材料、ttpa荧光材料、tbrb荧光材料或dbp荧光材料中的至少一种

18、所述第三量子点、所述第一量子点和/或所述第二量子点彼此独立地选自单一组分量子点、核壳结构量子点、无机钙钛矿量子点或有机-无机杂化钙钛矿量子点的至少一种；

19、所述单一组分量子点的材料、所述核壳结构量子点的核的材料以及所述核壳结构量子点的壳的材料彼此独立地选自ii-vi族化合物、iii-v族化合物、iv-vi族化合物或i-iii-vi族化合物中的至少一种，其中，所述ii-vi族化合物选自cds、cdse、cdte、zns、znse、znte、zno、hgs、hgse、hgte、cdses、cdsete、cdste、znses、znsete、znste、hgses、hgsete、hgste、cdzns、cdznse、cdznte、cdhgs、cdhgse、cdhgte、hgzns、hgznse、hgznte、cdznses、cdznsete、cdznste、cdhgses、cdhgsete、cdhgste、hgznses、hgznsete或hgznste中的至少一种，所述iii-v族化合物选自gan、gap、gaas、gasb、aln、alp、alas、alsb、inn、inp、inas、insb、ganp、ganas、gansb、gapas、gapsb、alnp、alnas、alnsb、alpas、alpsb、innp、innas、innsb、inpas、inpsb、gaalnp、gaalnas、gaalnsb、gaalpas、gaalpsb、gainnp、gainnas、gainnsb、gainpas、gainpsb、inalnp、inalnas、inalnsb、inalpas或inalpsb中的至少一种，所述iv-vi族化合物选自sns、snse、snte、pbs、pbse、pbte、snses、snsete、snste、pbses、pbsete、pbste、snpbs、snpbse、snpbte、snpbsse、snpbsete或snpbste中的至少一种，所述i-iii-vi族化合物选自cuins2、cuinse2或agins2中的至少一种。

20、进一步地，所述第一载流子传输辅助层的材料为第一量子点，和/或所述第二载流子传输辅助层的材料为第二量子点；

21、并且，所述发光层的材料为第三量子点。

22、进一步地，所述第三量子点的带隙能量为2.7ev至2.9ev；

23、并且，所述第一量子点的带隙能量为2.3ev至2.5ev，和/或所述第二量子点的带隙能量为2.3ev至2.5ev。

24、进一步地，对于包括所述第一载流子传输辅助层和所述第二载流子传输辅助层的所述发光器件，相较于所述第二量子点的带隙能量与所述第三量子点的带隙能量之间的差值的绝对值，所述第一量子点的带隙能量与所述第三量子点的带隙能量之间的差值的绝对值更小。

25、进一步地，所述第一载流子传输辅助层与所述发光层层叠设置，且所述第一载流子传输辅助层与所述发光层之间相接触；

26、和/或，所述第二载流子传输辅助层与所述发光层层叠设置，且所述第二载流子传输辅助层与所述发光层之间相接触。

27、进一步地，所述发光器件还包括：空穴功能层，设置于所述阳极与所述发光层之间；

28、当所述发光器件包括所述第一载流子传输辅助层时，所述空穴功能层设置于所述阳极与所述第一载流子传输辅助层之间；

29、所述空穴功能层包括空穴注入层和/或空穴传输层，对于包括所述空穴注入层和所述空穴传输层的所述空穴功能层，所述空穴注入层较所述空穴传输层更靠近所述阳极，所述空穴传输层较所述空穴注入层更靠近所述发光层。

30、进一步地，所述空穴传输层的材料选自niox、wox、moox、cuo、聚(9,9-二辛基芴-co-n-(4-丁基苯基)二苯胺)、3-己基取代聚噻吩、聚(9-乙烯咔唑)、聚[双(4-苯基)(4-丁基苯基)胺]、聚(n,n'-二(4-丁基苯基)-n,n'-二苯基-1,4-苯二胺-co-9,9-二辛基芴)、4,4',4″-三(咔唑-9-基)三苯胺、4,4'-二(9-咔唑)联苯、n,n'-二苯基-n,n'-二(3-甲基苯基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺或n,n'-二苯基-n,n'-(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺的至少一种；

31、和/或，所述空穴注入层的材料选自聚(3,4-乙烯二氧基噻吩)：聚(苯乙烯磺酸)、酞菁铜、2,3,5,6-四氟-7,7',8,8'-四氰二甲基对苯醌、2,3,6,7,10,11-六氰基-1,4,5,8,9,12-六氮杂苯并菲、crox、mosx、mosex、wsx、wsex或cus中的至少一种。

32、进一步地地，所述发光器件还包括：电子功能层，设置于所述阴极与所述发光层之间；

33、当所述发光器件包括所述第二载流子传输辅助层时，所述电子功能层设置于所述阴极与所述第二载流子传输辅助层之间；

34、所述电子功能层包括电子注入层和/或电子传输层，对于包括所述电子注入层和所述电子传输层的所述电子功能层，所述电子注入层较所述电子传输层更靠近所述阴极，所述电子传输层较所述电子注入层更靠近所述发光层。

35、进一步地，所述电子传输层的材料包括金属氧化物，所述金属氧化物选自zno、tio2、sno2、bao、ta2o3、zro2、tilio、zngao、znalo、znmgo、znsno、znlio、insno、alzno、znocl、znof或znmglio中的至少一种；

36、和/或，所述电子注入层的材料包括碱金属卤化物、碱金属有机络合物或有机膦化合物中的至少一种。

37、第二方面，本技术提供了一种发光器件的制备方法，所述发光器件为正置型结构，包括如下步骤：

38、提供阳极；

39、在所述阳极的一侧形成发光层；以及

40、在所述发光层远离所述阳极的一侧形成阴极；

41、其中，所述在所述阳极的一侧形成发光层的步骤之前，所述制备方法还包括步骤：提供第一量子点溶液，在所述阳极的一侧施加所述第一量子点溶液，然后干燥处理以获得第一载流子传输辅助层，所述第一载流子传输辅助层的材料包括第一量子点，并且所述发光层形成于所述第一载流子传输辅助层远离所述阳极的一侧，所述第一量子点的带隙能量小于所述发光层的材料的带隙能量；

42、和/或，所述在所述发光层远离所述阳极的一侧形成阴极的步骤之前，所述制备方法还包括步骤：提供第二量子点溶液，在所述发光层远离所述阳极的一侧施加所述第二量子点溶液，然后干燥处理以获得第二载流子传输辅助层，所述第二载流子传输辅助层的材料包括第二量子点，并且所述阴极形成于所述第二载流子传输辅助层远离所述发光层的一侧，所述第二量子点的带隙能量小于所述发光层的材料的带隙能量。

43、第三方面，本技术提供了一种发光器件的制备方法，所述发光器件为倒置型结构，包括如下步骤：

44、提供阴极；

45、在所述阴极的一侧形成发光层；以及

46、在所述发光层远离所述阴极的一侧形成阳极；

47、其中，所述在所述阴极的一侧形成发光层的步骤之前，所述制备方法还包括步骤：提供第二量子点溶液，在所述阴极的一侧施加所述第二量子点溶液，然后干燥处理以获得第二载流子传输辅助层，所述第二载流子传输辅助层的材料包括第二量子点，并且所述发光层形成于所述第二载流子传输辅助层远离所述阴极的一侧，所述第二量子点的带隙能量小于所述发光层的材料的带隙能量；

48、和/或，所述在所述发光层远离所述阴极的一侧形成阳极的步骤之前，所述制备方法还包括步骤：提供第一量子点溶液，在所述发光层远离所述阴极的一侧施加所述第一量子点溶液，然后干燥处理以获得第一载流子传输辅助层，所述第一载流子传输辅助层的材料包括第一量子点，并且所述阳极形成于所述第一载流子传输辅助层远离所述发光层的一侧，所述第一量子点的带隙能量小于所述发光层的材料的带隙能量。

49、进一步地，所述第一量子点的带隙能量与所述发光层的材料的带隙能量之间的差值的绝对值不高于0.6ev；

50、和/或，所述第二量子点的带隙能量与所述发光层的材料的带隙能量之间的差值的绝对值不高于0.6ev；

51、和/或，所述第一载流子传输辅助层的厚度为3nm至8nm；

52、和/或，所述第二载流子传输辅助层的厚度为3nm至8nm；

53、和/或，所述发光层的材料为第三量子点。

54、进一步地，所述第三量子点的发光波长为400nm至480nm，和/或所述第三量子点的带隙能量为2.7ev至2.9ev；

55、和/或，所述第一量子点的带隙能量为2.3ev至2.5ev；

56、和/或，所述第二量子点的带隙能量为2.3ev至2.5ev。

57、进一步地，所述第一量子点溶液的制备方法，包括步骤：提供第一发光量子点溶液，所述第一发光量子点溶液的溶质为第一发光量子点，对所述第一发光量子点溶液进行白光照射处理以使所述第一发光量子点转变为所述第一量子点，获得所述第一量子点溶液；

58、和/或，所述第二量子点溶液的制备方法，包括步骤：提供第二发光量子点溶液，所述第二发光量子点溶液的溶质为第二发光量子点，对所述第二发光量子点溶液进行白光照射处理以使所述第二发光量子点转变为所述第二量子点，获得所述第二量子点溶液。

59、进一步地，所述第一发光量子点的发光波长为500nm至560nm；

60、和/或，所述第二发光量子点的发光波长为500nm至560nm。

61、进一步地，所述白光照射处理是在空气湿度为30％至80％且温度为5℃至40℃的条件下进行；

62、和/或，所述白光照射处理的光照强度为100lx至5000lx；

63、和/或，所述白光照射处理的光照时间为1h至10h；

64、和/或，所述白光照射处理的光照波长为400nm至760nm。

65、第四方面，本技术提供了一种显示装置，所述显示装置包括如第一方面中任意一种所述的发光器件、或者如第二方面中任意一种所述的制备方法制得的发光器件、或者如第三方面中任意一种所述的制备方法制得的发光器件。

66、本技术提供了一种发光器件、发光器件的制备方法及显示装置，具有如下技术效果：

67、在本技术的发光器件中，通过在阳极与发光层之间设置第一载流子传输辅助层，且第一载流子传输辅助层的材料包括第一量子点，第一量子点的带隙能量小于发光层的材料的带隙能量，以相较于阳极与发光层之间的空穴注入势垒，阳极与第一载流子传输辅助层之间的空穴注入势垒更低，使得空穴更易注入，从而提高了空穴从阳极注入至发光层的水平，有效地提升了发光器件的空穴注入水平；和/或，在阴极与发光层之间设置第二载流子传输辅助层，且第二载流子传输辅助层的材料包括第二量子点，第二量子点的带隙能量小于发光层的材料的带隙能量，以相较于阴极与发光层之间的电子注入势垒，阴极与第二载流子传输辅助层之间的电子注入势垒更低，使得电子更易注入，从而提高了电子从阴极注入至发光层的水平，有效地提升了发光器件的电子注入水平，从而提升发光器件的发光效率和使用寿命。

68、在本技术的发光器件制备方法中，采用溶液法第一载流子传输辅助层和/或第二载流子传输辅助层，具有制备工序简单、操作工艺条件可控以及满足大规模工业化生产需求的优点。

69、将本技术的发光器件或所述制备方法制得的发光器件应用于显示装置中，有利于提高显示装置的显示效果和延长显示装置的使用寿命。