1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，两个所述存储结构沿所述第一方向排布，且沿所述第一方向排布的两个所述存储结构共用一个所述第一源漏区，且两个所述沟道区位于共用的所述第一源漏区的相对两侧；沿所述第一方向排布的两个所述存储结构中共用的所述第一源漏区环绕所述位线主体部的外周。
3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述存储结构包括沿所述第二方向间隔排布的多个所述晶体管；
4.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述存储结构还包括电容器，所述电容器包括：
5.根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，还包括：
6.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，多个所述存储结构沿第三方向间隔排布，所述第三方向与所述衬底的顶面平行，且所述第一方向与所述第三方向相交；
7.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述位线还包括：
8.根据权利要求7所述的半导体结构，其特征在于，所述位线还包括：
9.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述沟道区、所述第一源漏区和所述第二源漏区中包括相同类型的掺杂离子，且所述第一源漏区的离子掺杂浓度和所述第二源漏区的离子掺杂浓度均大于所述沟道区的离子掺杂浓度。
10.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括如下步骤：
11.根据权利要求10所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，多个所述半导体层沿所述第二方向间隔排布；于所述衬底上形成栅极结构、字线和位线的步骤包括：
12.根据权利要求11所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述半导体层中包括沿第三方向间隔排布的多个有源区，多个所述字线主体部沿所述第二方向一一贯穿多个所述有源区中的所述沟道区；所述第三方向与所述衬底的顶面平行，且所述第一方向与所述第三方向相交；于所述第二沟槽内形成所述字线主体部和所述栅极结构之后，还包括如下步骤：
13.根据权利要求12所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，于所述衬底上形成栅极结构、字线和位线的步骤还包括：
14.根据权利要求13所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，于所述位线主体部上方形成与所述位线主体部电连接的位线延伸部的步骤包括：
15.根据权利要求11所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，于所述衬底上形成栅极结构、字线和位线之后，还包括：