1.一种pcb桥，用于两个或更多个半导体芯片的互连以在所述半导体芯片之间进行数据通信，包括：
2.根据权利要求1所述的pcb桥，其中，所述多个金属带由铜制成，所述介电材料为预浸料，并且所述pcb桥的垂直布置提供了无限的迹线宽度，所述无限的迹线宽度进一步提高了所述阻抗匹配的灵活性。
3.根据权利要求2所述的pcb桥，其中，所述介电材料具有范围为2-5的介电常数。
4.根据权利要求2所述的pcb桥，其中，所述pcb桥使用激光切割技术切割所述金属带的腿部或连接器制造，以通过改变激光切割图案来提供规则的或不规则的形状和尺寸。
5.根据权利要求4所述的pcb桥，其中，具有所述金属带的所述腿部或连接器的灵活形状和尺寸的所述pcb桥通过使所述金属带的一个腿部或连接器长于所述金属带的其它腿部或连接器，来补偿半导体模块中的段差问题。
6.根据权利要求4所述的pcb桥，其中，具有所述金属带的所述腿部或连接器的灵活形状和尺寸的所述pcb桥通过在所述激光切割技术期间制作所述激光切割图案的同时使pcb面板倾斜，来补偿半导体模块中的倾斜问题。
7.根据权利要求4所述的pcb桥，其中，所述pcb桥被制造为全屏蔽带状线pcb桥结构，其中除了包括所述多个金属带和设置在所述多个金属带之间的所述介电材料之外，所述全屏蔽带状线pcb桥结构进一步包括在全屏蔽带状线pcb桥结构的顶部和底部的一个或多个金属沉积层；并且
8.根据权利要求4所述的pcb桥，其中，所述pcb桥被制造为在顶部具有外部组件的带状线pcb桥结构，其中除了包括所述多个金属带和设置在所述多个金属带之间的所述介电材料之外，在顶部具有外部组件的所述带状线pcb桥结构还包括在所述pcb桥的顶部的外部组件，并且
9.根据权利要求4所述的pcb桥，其中，所述pcb桥被制造为带状线扇出型pcb桥结构，其中除了包括所述多个金属带和设置在所述多个金属带之间的所述介电材料之外，所述带状线扇出型pcb桥结构还包括在所述多个金属带之间的连接所述多个金属带中每两个金属带的导电材料，并且
10.根据权利要求4所述的pcb桥，其中，所述pcb桥被制造为具有嵌入式单层电容器的带状线扇出型pcb桥结构，其中除了包括所述多个金属带和设置在所述多个金属带之间的所述介电材料之外，所述具有嵌入式单层电容器的带状线扇出型pcb桥结构还包括在所述多个金属带之间的连接所述多个金属带中每两个金属带的导电材料，以及嵌入在两个金属带之间的单层电容器。
11.根据权利要求4所述的pcb桥，其中，所述pcb桥被制造为具有嵌入式多层电容器的带状线扇出型pcb桥结构并作为接地层，其中除了包括所述多个金属带和设置在所述多个金属带之间的所述介电材料之外，所述具有嵌入式多层电容器的带状线扇出型pcb桥结构还包括将所有所述多个金属带在其端部连接在一起的导电材料。
12.根据权利要求4所述的pcb桥，其中，所述pcb桥被制造为具有嵌入式多层电容器的带状线扇出型pcb桥结构并作为信号层，其中除了包括所述多个金属带和设置在所述多个金属带之间的所述介电材料之外，所述具有嵌入式多层电容器的带状线扇出型pcb桥结构还包括将所述多个金属带中的交替的金属带在其端部连接的导电材料。
13.根据权利要求1所述的pcb桥，其中，除了2d布置之外，在单个半导体模块中，所述pcb桥以3d布置互连两个以上半导体芯片，其中在3d布置中所述pcb桥中的所述多个金属带包括成对金属带，其中所述成对金属带一个接一个地对齐，所述成对金属带中的每个金属带堆叠在另一个之上，并且所述成对金属带中的每个金属带具有两个腿部或连接器以与所述3d布置中的所述半导体芯片接触和连接；并且
14.一种3d扇出交叉结构，所述3d扇出交叉结构通过在单个半导体模块中使用至少两个根据权利要求1所述的pcb桥互连两个以上半导体芯片而构造，其中，所述3d扇出交叉结构用于将芯片信号扇出成三路，
15.一种制造pcb桥的方法，所述pcb桥用于两个或更多个半导体芯片的互连以在所述半导体芯片之间进行数据通信，包括：
16.根据权利要求15所述的方法，其中，所述多个金属带由铜制成，所述介电材料为预浸料，并且所述pcb桥的垂直布置提供了无限的迹线宽度，所述无限的迹线宽度进一步提高了所述阻抗匹配的灵活性。
17.根据权利要求16所述的方法，其中，所述pcb桥被制造为全屏蔽带状线pcb桥结构，除了包括所述多个金属带和设置在所述多个金属带之间的所述介电材料之外，所述全屏蔽带状线pcb桥结构进一步包括在所述全屏蔽带状线pcb桥结构的顶部和底部的一个或多个金属沉积层；并且
18.根据权利要求16所述的方法，其中，所述pcb桥被制造为在顶部具有外部组件的带状线pcb桥结构，除了包括所述多个金属带和设置在所述多个金属带之间的所述介电材料之外，在顶部具有所述外部组件的所述带状线pcb桥结构还包括在所述pcb桥的顶部的外部组件，并且
19.根据权利要求16所述的方法，其中，所述pcb桥被制造为带状线扇出型pcb桥结构，除了包括所述多个金属带和设置在所述多个金属带之间的所述介电材料之外，所述带状线扇出型pcb桥结构还包括在所述多个金属带之间的连接所述多个金属带中的每两个金属带的导电材料，并且
20.根据权利要求16所述的方法，其中，所述pcb桥被制造为具有嵌入式单层电容器的带状线扇出型pcb桥结构，除了包括所述多个金属带和设置在所述多个金属带之间的所述介电材料之外，所述具有嵌入式单层电容器的带状线扇出型pcb桥结构还包括在所述多个金属带之间的连接所述多个金属带中的每两个金属带的导电材料以及嵌入在两个金属带之间的单层电容器；