发光器件及其制备方法和显示装置与流程

本技术涉及显示，尤其涉及一种发光器件及其制备和显示装置方法。

背景技术：

1、发光二极管具有在可见光范围内发射波长可调，半峰宽较窄，亮度高，可用溶液法制备等优点，应用场景十分广泛。

2、发光二极管的结构通常包括衬底、阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层、阴极等膜层；其中，空穴注入层的材料内部空穴浓度高，可作为空穴源提供空穴，但空穴在其内部迁移率非常低，故通常需要搭配空穴传输层的材料作为过渡，给有源层高效地提供空穴。

3、但在目前的发光器件中，空穴注入层和空穴传输层虽然都是有机材料，但分子组成不同，两者间存在界面势垒，从而降低空穴从空穴注入层传输到空穴传输层的效率，空穴的注入水平仍偏低，其制约了发光器件内部的空穴传输效率，进而影响了发光器件的显示效果。

技术实现思路

1、本技术提供一种发光器件及其制备方法和显示装置，以解决现有技术中发光器件的显示效果较差的技术问题。

2、一方面，本技术提供一种发光器件，包括：

3、依次层叠设置的阳极、至少两层空穴功能层、发光层，电子功能层和阴极；

4、所述空穴功能层包括空穴注入层。

5、在本技术一种可能的实现方式中，在本技术一种可能的实现方式中，多层所述空穴功能层的厚度之和为b，其中，b满足：80nm≤b≤150nm。

6、在本技术一种可能的实现方式中，所述空穴功能层还包括空穴传输层，所述空穴注入层和所述空穴传输层层叠设置。

7、在本技术一种可能的实现方式中，所述空穴注入层内含有p型掺杂物；

8、在所述阳极至所述阴极的方向上，各所述空穴注入层的p型掺杂物的掺杂浓度呈梯度增加。

9、在本技术一种可能的实现方式中，所述发光器件中所述空穴功能层的层数范围为3～8；和/或

10、所述空穴注入层和所述空穴传输层的厚度范围为6nm～16nm；和/或

11、在所述阳极至所述阴极的方向上，相邻两层所述空穴注入层的掺杂浓度差范围为0.5％～2.5％；和/或

12、所述p型掺杂物的材料包括s-moo3、mg、zn、ca、se、ba、卤化金属化合物、醌衍生物、金属氧化物和包含氰基基团的化合物中的一种或多种。

13、在本技术一种可能的实现方式中，所述发光器件包括4～6层所述空穴功能层，且所述空穴注入层和所述空穴传输层的厚度为8nm～14nm；和/或

14、在所述阳极至所述阴极的方向上，位于第一层的所述空穴注入层中所述p型掺杂物的掺杂浓度为0.5％～1.5％，且后续所述空穴注入层中所述p型掺杂物的掺杂浓度依次增加1％～2％。

15、在本技术一种可能的实现方式中，所述阳极和/或阴极的材料包括金属、碳材料以及金属氧化物中的一种或多种，所述金属包括al、ag、cu、mo、au、ba、ca、yb以及mg中的一种或多种；所述碳材料包括石墨、碳纳米管、石墨烯以及碳纤维中的一种或多种；所述金属氧化物包括掺杂或非掺杂金属氧化物，包括ito、fto、ato、azo、gzo、izo、mzo以及amo中的一种或多种，或者包括掺杂或非掺杂透明金属氧化物之间夹着金属的复合电极，所述复合电极包括azo/ag/azo、azo/al/azo、ito/ag/ito、ito/al/ito、zno/ag/zno、zno/al/zno、zns/ag/zns、zns/al/zns、tio2/ag/tio2以及tio2/al/tio2中的一种或多种；所述阴极的厚度为80～120nm；和/或

16、所述电子功能层的材料包括无机材料和/或有机材料；所述无机材料选自掺杂或非掺杂的氧化锌、氧化钡、氧化铝、氧化镍、氧化钛、氧化锡、氧化钽、氧化锆、氧化镍、氧化钛锂、氧化锌铝、氧化锌锰、氧化锌锡、氧化锌锂、氧化铟锡、硫化镉、硫化锌、硫化钼、硫化钨、硫化铜、锡化锌、磷化铟、磷化镓、硫化铜铟、硫化铜镓、钛酸钡中的一种或多种，掺杂的元素包括铝、镁、锂、锰、钇、镧、铜、镍、锆、铈、钆中的一种或多种；所述有机材料选自喹喔啉化合物、咪唑类化合物、三嗪类化合物，含芴类化合物、羟基喹啉化合物中的一种或多种；所述电子功能层的厚度为25～45nm；和/或

17、所述发光层为量子点发光层或有机发光层；所述量子点发光层的材料包括单一结构量子点及核壳结构量子点中的至少一种，所述单一结构量子点的材料选自ii-vi族化合物、iv-vi族化合物、iii-v族化合物和i-iii-vi族化合物中的至少一种，其中，所述ii-vi族化合物选自cds、cdse、cdte、zns、znse、znte、zno、hgs、hgse、hgte、cdses、cdsete、cdste、znses、znsete、znste、hgses、hgsete、hgste、cdzns、cdznse、cdznte、cdhgs、cdhgse、cdhgte、hgzns、hgznse、hgznte、cdznses、cdznsete、cdznste、cdhgses、cdhgsete、cdhgste、hgznses、hgznsete及hgznste中的至少一种，所述iv-vi族化合物选自sns、snse、snte、pbs、pbse、pbte、snses、snsete、snste、pbses、pbsete、pbste、snpbs、snpbse、snpbte、snpbsse、snpbsete及snpbste中的至少一种，所述iii-v族化合物选自gan、gap、gaas、gasb、aln、alp、alas、alsb、inn、inp、inas、insb、ganp、ganas、gansb、gapas、gapsb、alnp、alnas、alnsb、alpas、alpsb、innp、innas、innsb、inpas、inpsb、gaalnp、gaalnas、gaalnsb、gaalpas、gaalpsb、gainnp、gainnas、gainnsb、gainpas、gainpsb、inalnp、inalnas、inalnsb、inalpas或inalpsb中的至少一种，所述i-iii-vi族化合物选自cuins2、cuinse2及agins2中的至少一种；和/或

18、所述核壳结构的量子点的核包括上述单一结构量子点中的任意一种，所述核壳结构的量子点的壳层材料包括cds、cdte、cdsete、cdznse、cdzns、cdses、znse、znses、zns和上述单一结构量子点中的至少一种；所述有机发光层的材料包括4,4'-双(n-咔唑)-1,1'-联苯:三[2-(对甲苯基)吡啶-c2,n)合铱(iii)、4,4',4”-三(咔唑-9-基)三苯胺:三[2-(对甲苯基)吡啶-c2,n)合铱、二芳香基蒽衍生物、二苯乙烯芳香族衍生物、芘衍生物、芴衍生物、tbpe荧光材料、ttpx荧光材料、tbrb荧光材料及dbp荧光材料、聚乙炔及其衍生物、聚对苯及其衍生物、聚噻吩及其衍生物、聚芴及其衍生物中的至少一种；和/或

19、所述空穴传输层和/或所述空穴注入层的材料包括tfb、cupc、pvk、poly-tpd、dntpd、tcata、tcca、cbp、tpd、npb、npd、pedot:pss、tapc、mcc、f4-tcnq、hatcn、4,4',4'-三(n-3-甲基苯基-n苯基氨基)三苯胺、聚噻吩、聚苯胺、聚三苯胺、聚3，4-乙烯二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸盐、2，3，6，7，10，11-六氰基-1，4，5，8，9，12-六氮杂苯并菲、9，9-二辛基芴/n-(4-仲丁基苯基)-二苯胺交替共聚物或n，n′-二(1-萘基)-n，n′-二苯基-(1，1′-联苯)-4，4′-二胺、过渡金属氧化物、过渡金属硫化物、过渡金属锡化物、掺杂石墨烯、非掺杂石墨烯以及c60中的至少一种。

20、另一方面，本技术还提供一衬底，并在所述衬底上沉积阳极；

21、在所述阳极上依次设置空穴注入层和空穴传输层，以形成至少两层空穴功能层；

22、在所述空穴功能层上设置发光层；

23、在所述发光层上设置电子功能层；

24、在所述电子功能层上沉积阴极。

25、在本技术一种可能的实现方式中，在所述阳极上依次设置空穴注入层和空穴传输层的步骤中，包括：

26、分别对所述空穴注入层和所述空穴传输层进行界面处理，其中，所述界面处理采用kbr溶液对所述空穴注入层和所述空穴传输层进行表面处理；和/或

27、在所述发光层上设置电子功能层的步骤中，包括：

28、制备所述发光层所用的溶液浓度为10～30mg/ml；

29、涂覆所述发光层的速度为1500～2500r/min，涂覆所述发光层的时间为10～20s；和/或

30、在所述发光层上涂覆电子功能层的步骤之后，包括：

31、将所述发光层烘烤3～10mins，烘烤温度为50～100℃。

32、另一方面，本技术还提供一种显示装置，所述显示装置包括上文所述的发光器件或利用上文所述的方法制备得到的发光器件。

33、本技术提供的一种发光器件及其制备方法和显示装置，包括依次层叠设置的阳极、至少两层空穴功能层、发光层，电子功能层和阴极；空穴功能层包括空穴注入层。通过在发光器件中层叠至少两层空穴注入层，相对于现有技术中仅设有一层空穴注入层和一层空穴传输层的发光器件，减小了空穴注入层的厚度。使得其提高了载流子隧穿通过空穴注入层和空穴传输层的几率，从而弱化空穴注入层和空穴传输层之间的界面势垒对载流子传输的阻碍作用，提高了发光器件的空穴传输效率，从而提高了发光器件的显示效果。