一种双线双色温控制电路的制作方法

文档序号:31292982发布日期:2022-08-27 03:35阅读:937来源:国知局
一种双线双色温控制电路的制作方法

1.本实用新型涉及led灯控制电路技术领域,更为具体地说涉及一种双线双色温控制电路。


背景技术:

2.随着led灯具技术的成熟,对led灯具的调光调色要求也越来越高,同时led灯具内都会有对应的电路板,常规的电路板上的电路无法满足市场的需求,故而适用性和实用性受到限制。
3.目前,灯具色温的调节通过色温切换电路实现,现有的双色温切换电路主要通过两个控制芯片实现色温的切换,但采用两个控制芯片导致了成本的增加。


技术实现要素:

4.针对上述现有技术中存在的技术问题,本实用新型主要目的是通过采用双线双色温控制电路实现两线双色灯具的控制,且灯具接线不分正负极、节省板面布线空间而减小板面尺寸、简化接线及节省成本。
5.为了实现上述目的,本实用新型通过采用了如下技术方案实现:
6.一种双线双色温控制电路,包括led灯串电路、pwm信号生成单元、以及调光和调色的色温调节电路,其中,所述led灯串电路包括有第一组led灯串和第二组led灯串,所述pwm信号生成单元用于输出两路相位相反的脉宽调制信号,所述色温调节电路的输入端包括有第一输入端口和第二输入端口,所述pwm信号生成单元分别与第一输入端口和第二输入端口连接,两路相位相反的脉宽调制信号分别由第一输入端口或第二输入端口输入至色温调节电路,所述色温调节电路与led灯串电路连接,所述色温调节电路与电源连接,用于根据pwm信号生成单元所输出的两路相位相反的脉宽调制信号控制对led灯串电路进行调光和调色。
7.作为优选的,所述色温调节控制电路包括有三极管q1、q2、q7、q8,mos管q3、q4、q5、q6、电阻r1、r2、肖特基二极管d1、d2,所述第一输入端口与三极管q1的基极连接,所述三极管q1的发射极与mos管q4的源极连接,所述三极管q1的发射极与mos管q4的源极之间的公共连接点接地,所述三极管q1的集电极与电阻r1一端连接,所述mos管q4的栅极与肖特基二极管d1的一端连接,所述肖特基二极管d1的另一端与三极管q2的基极连接,所述三极管q2的发射极与mos管q4的栅极、肖特基二极管d1一端之间的公共连接点连接,所述三极管q2的发射极通过公共连接点连接有mos管q3的栅极,所述mos管q4的漏极与mos管q3的漏极连接,所述mos管q4的漏极与mos管q3的漏极之间的公共连接点与led灯串电路连接;所述第二输入端口与三极管q8的基极连接,所述三极管q8的发射极与mos管q6的源极连接,所述三极管q8的发射极与mos管q6的源极之间的公共连接点接地,所述三极管q8的集电极与电阻r2一端连接,所述mos管6的栅极与肖特基二极管d2的一端连接,所述肖特基二极管d2的另一端与三极管q7的基极连接,所述三极管q7的发射极与mos管q6的栅极、肖特基二极管d2一端之间
的公共连接点连接,所述三极管q7的发射极通过公共连接点连接有mos管q5的栅极,所述mos管q6的漏极与mos管q5的漏极连接,所述mos管q6的漏极与mos管q5的漏极之间的公共连接点与led灯串电路连接。
8.作为优选的,所述mos管q4、q6为n沟道mos管,所述mos管q3、q5为p沟道mos管。
9.作为优选的,所述三极管q1、q2、q7和q8均采用npn型三极管。
10.通过采用上述技术方案,与现有技术相比,具有如下有益效果:本实用新型结构设置合理,可采用双线双色温控制电路实现两线双色灯具的控制,且灯具接线不分正负极、节省板面布线空间而减小板面尺寸、简化接线及节省成本,应用场景广,适用性好且具有较好的实用性。
附图说明
11.图1为本实用新型的结构框图;
12.图2为本实用新型的电路原理图。
13.在附图中标号:100为pwm信号生成单元、200为色温调节电路、300为led灯串电路。
具体实施方式
14.为使本实用新型的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂,下面结合附图对本实用新型的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本实用新型。但是本实用新型能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施,本领域技术人员可以在不违背本实用新型内涵的情况下做类似改进,因此本实用新型不受下面公开的具体实施例的限制。
15.除非另有定义,本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本实用新型的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本实用新型的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施方式的目的,不是旨在于限制本实用新型。本文所使用的术语“和/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
16.参考如图1-图2所示,在本实施例中,包括led灯串电路300、pwm信号生成单元100、以及调光和调色的色温调节电路200,其中,所述led灯串电路300包括有第一组led灯串和第二组led灯串,所述pwm信号生成单元100用于输出两路相位相反的脉宽调制信号,需要说明的是,此处pwm信号生成单元100所采用的是输出两路相位相反的脉宽调制信号的mcu芯片,为了便于理解,在后续将两路脉宽调制信号分别定义为pwm1和pwm2,mcu芯片为现有技术,因此不对其进行赘述。
17.进一步地,其中led灯串电路300包括有第一组led灯串和第二组led灯串,led灯串电路300中设置有a端和b端用于连接至第一组led灯串和第二组led灯串,为了便于理解,在图2中将led1定义为第一组led灯串,将led2定义为第二组led灯串。色温调节电路300的输入端包括有第一输入端口和第二输入端口,pwm信号生成单元100分别与第一输入端口和第二输入端口连接,两路相位相反的脉宽调制信号分别由第一输入端口或第二输入端口输入至色温调节电路300,色温调节电路300与led灯串电路300连接,色温调节电路300与电源连接,通过采用电源电压(单极器件)提供电能,用于根据pwm信号生成单元100所输出的两路相位相反的脉宽调制信号控制对led灯串电路300进行调光和调色。
18.具体地,色温调节控制电路包括有三极管q1、q2、q7、q8,mos管q3、q4、q5、q6、电阻r1、r2、肖特基二极管d1、d2,第一输入端口与三极管q1的基极连接,三极管q1的发射极与mos管q4的源极连接,三极管q1的发射极与mos管q4的源极之间的公共连接点接地,三极管q1的集电极与电阻r1一端连接,mos管q4的栅极与肖特基二极管d1的一端连接,肖特基二极管d1的另一端与三极管q2的基极连接,三极管q2的发射极与mos管q4的栅极、肖特基二极管d1一端之间的公共连接点连接,三极管q2的发射极通过公共连接点连接有mos管q3的栅极,mos管q4的漏极与mos管q3的漏极连接,mos管q4的漏极与mos管q3的漏极之间的公共连接点与led灯串电路300的a端连接;第二输入端口与三极管q8的基极连接,三极管q8的发射极与mos管q6的源极连接,三极管q8的发射极与mos管q6的源极之间的公共连接点接地,三极管q8的集电极与电阻r2一端连接,mos管6的栅极与肖特基二极管d2的一端连接,肖特基二极管d2的另一端与三极管q7的基极连接,三极管q7的发射极与mos管q6的栅极、肖特基二极管d2一端之间的公共连接点连接,三极管q7的发射极通过公共连接点连接有mos管q5的栅极,mos管q6的漏极与mos管q5的漏极连接,mos管q6的漏极与mos管q5的漏极之间的公共连接点与led灯串电路300的b端连接。
19.亮度调节:由pwm信号生成单元100根据调制的脉宽调制信号的占空比输出对应的占空比,色温调节电路200按照根据pwm信号生成单元100生成两路相位相反的脉宽调制信号的占空比对led灯串电路300进行相应亮度的调节。
20.亮起第一组led灯串回路灯:由pwm信号生产单元100生成两路相位相反的脉宽调制信号,分别由第一输入端口和第二输入端口输入,当pwm1由第一输入端口输入,使三极管q1导通时,三极管q2则截止,同时mos管q4截止、mos管q3导通,使a端电压为高,接近vdd;因两路pwm为相反相位的信号,则同一时刻pwm2由第二输入端口输入,使三极管q8截止,三极管q7导通,同时mos管q5截止、mos管q6导通,这样b端电压为低,接近gnd,此时电路输出状态即为led灯串电路300的a端高、b端低,第一组led灯串回路亮灯。
21.亮起第二组led灯串回路灯:由pwm信号生产单元100生成两路相位相反的脉宽调制信号,分别由第一输入端口和第二输入端口输入,当pwm2由第二输入端口输入,使三极管q8导通时,三极管q7则截止,同时mos管q6截止、mos管q5导通,使b端电压为高,接近vdd;因两路pwm为相反相位的信号,则同一时刻pwm1由第一输入端口输入,使三极管q1截止,三极管q2导通,同时mos管q3截止、mos管q4导通,这样a端电压为低,接近gnd,此时电路输出状态即为led灯串电路300的b端高、a端低,第二组led灯串回路灯。
22.进一步地,mos管q4、q6为n沟道mos管,mos管q3、q5为p沟道mos管。
23.进一步地,三极管q1、q2、q7和q8均采用npn型三极管。
24.在本实用新型的各种实施例中,应理解,上述各过程的序号的大小并不意味着执行顺序的必然先后,各过程的执行顺序应以其功能和内在逻辑确定,而不应对本实用新型实施例的实施过程构成任何限定。
25.以上所述,仅为本实用新型的具体实施方式,但本实用新型的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本实用新型揭露的技术范围内,可轻易想到变化或替换,都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。因此,本实用新型的保护范围应与权利要求的保护范围为准。
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