一种双通道滤波器的制作方法

本技术涉及滤波器，特别涉及一种双通道滤波器。

背景技术：

1、带通滤波器是一个允许特定频段的波通过同时屏蔽其他频段的器件，而双通道滤波器可以允许两个特定频段的波通过同时屏蔽其他频段。常规的双通道滤波器通过单一的lc滤波电路或者单一的介质滤波电路实现，但这会产生许多问题，例如双通道频率分别为600mhz和1200mhz，当采用单一的lc滤波电路来实现时，频率1200mhz的lc滤波带窄，并不适用。当采用单一的介质滤波电路来实现时，频率600mhz的介质滤波中，介质谐振器的尺寸很大，而滤波器内的尺寸有限，同样很不适用，会增大滤波器的整体体积。

技术实现思路

1、为了解决上述问题，本实用新型提供了一种双通道滤波器，集lc滤波电路和介质滤波电路为一体，满足双通道波段的滤波需求。

2、为此，本实用新型的技术方案是：一种双通道滤波器，包括输入端和输出端，输入端和输出端之间设有并联设置的lc滤波电路和介质滤波电路，lc滤波电路和介质滤波电路同端输入且同端输出；所述lc滤波电路的频率为600mhz，介质滤波电路的频率为1200mhz。

3、优选地，所述lc滤波电路的主路上设有交替设置的主路电感和主路电容，主路电感和主路电容互相串联，主路上连接有多个对地电容。

4、优选地，所述lc滤波电路中，输入端和输出端之间的主路上串联设置有主路电感l1、主路电容c1、主路电感l2、主路电容c2和主路电感l3，输入端与主路电感l1之间设有对地电容c3，主路电感l1、主路电容c1之间设有对地电容c4；主路电容c1、主路电感l2之间连接旁路电感l4，旁路电感l4与对地电容c5；主路电感l2、主路电容c2之间连接旁路电感l5，旁路电感l5与对地电容c6；主路电容c2、主路电感l3之间连接旁路电容c7，主路电感l3和输出端之间设有对地电容c8。

5、优选地，所述介质滤波电路包括多个并联设置的介质谐振器，介质谐振器与输入端之间设有输入电容，与输出端之间设有输出电容，且相邻介质谐振器之间设有耦合电容。

6、优选地，所述介质滤波电路包括并联设置的介质谐振器f11、介质谐振器f12、介质谐振器f13，介质谐振器f11与输入端之间设有输入电容c11，介质谐振器f11和介质谐振器f12之间设有耦合电容c12，介质谐振器f12和介质谐振器f13之间设有耦合电容c13，介质谐振器f13与输出端之间设有输出电容c14。

7、与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：低频波段采用lc滤波电路，高频段采用介质滤波电路，既能实现双通道滤波作用，又不会使得滤波器整体体积变大，保证滤波器的性能和适用性。

技术特征：

1.一种双通道滤波器，包括输入端和输出端，其特征在于：输入端和输出端之间设有并联设置的lc滤波电路和介质滤波电路，lc滤波电路和介质滤波电路同端输入且同端输出；所述lc滤波电路的频率为600mhz，介质滤波电路的频率为1200mhz。

2.如权利要求1所述的一种双通道滤波器，其特征在于：所述lc滤波电路的主路上设有交替设置的主路电感和主路电容，主路电感和主路电容互相串联，主路上连接有多个对地电容。

3.如权利要求2所述的一种双通道滤波器，其特征在于：所述lc滤波电路中，输入端和输出端之间的主路上串联设置有主路电感l1、主路电容c1、主路电感l2、主路电容c2和主路电感l3，输入端与主路电感l1之间设有对地电容c3，主路电感l1、主路电容c1之间设有对地电容c4；主路电容c1、主路电感l2之间连接旁路电感l4，旁路电感l4与对地电容c5；主路电感l2、主路电容c2之间连接旁路电感l5，旁路电感l5与对地电容c6；主路电容c2、主路电感l3之间连接旁路电容c7，主路电感l3和输出端之间设有对地电容c8。

4.如权利要求1所述的一种双通道滤波器，其特征在于：所述介质滤波电路包括多个并联设置的介质谐振器，介质谐振器与输入端之间设有输入电容，与输出端之间设有输出电容，且相邻介质谐振器之间设有耦合电容。

5.如权利要求4所述的一种双通道滤波器，其特征在于：所述介质滤波电路包括并联设置的介质谐振器f11、介质谐振器f12、介质谐振器f13，介质谐振器f11与输入端之间设有输入电容c11，介质谐振器f11和介质谐振器f12之间设有耦合电容c12，介质谐振器f12和介质谐振器f13之间设有耦合电容c13，介质谐振器f13与输出端之间设有输出电容c14。

技术总结
本技术公开了一种双通道滤波器，包括输入端和输出端，输入端和输出端之间设有并联设置的LC滤波电路和介质滤波电路，LC滤波电路和介质滤波电路同端输入且同端输出；所述LC滤波电路的频率为600MHz，介质滤波电路的频率为1200MHz。本技术的低频波段采用LC滤波电路，高频段采用介质滤波电路，既能实现双通道滤波作用，又不会使得滤波器整体体积变大，保证滤波器的性能和适用性。

技术研发人员：苗青雷
受保护的技术使用者：嘉兴润捷电子有限公司
技术研发日：20221026
技术公布日：2024/1/11