集成电路基板的制作方法

1.本技术是有关一种装置，详细来说，是有关于一种集成电路基板。


背景技术：

2.在现有技术中，当要对一批次的第一件集成电路基板进行钻孔时，必须通过人工方式摆放集成电路基板，钻孔装置必须在产品成型区中通过对集成电路产品结构进行钻孔作为首次钻孔的校正，然而，此种方式费时费力，并且溶液导致钻孔位置偏移，严重将导致产品报废，降低产品良率。


技术实现要素：

3.有鉴于此，本技术的目的之一在于提供一种集成电路基板来解决上述问题。
4.依据本技术的一实施例，提供一种集成电路基板，包括：集成电路产品结构以及钻孔结构。所述集成电路产品结构设置在所述集成电路基板的第一区中。所述钻孔结构设置在所述集成电路基板的第二区。所述钻孔结构包括经配置以定位钻孔位置的定位件。
5.依据本技术的一实施例，所述集成电路产品结构限制在所述第一区中。
6.依据本技术的一实施例，所述第一区是矩形区域。
7.依据本技术的一实施例，所述第二区包围所述第一区。
8.依据本技术的一实施例，所述第二区是环形区域。
9.依据本技术的一实施例，所述钻孔结构包括多个所述定位件，所述多个定位件呈矩阵排列。
10.依据本技术的一实施例，所述多个定位件设置于所述第二区的四个角落。
11.依据本技术的一实施例，所述定位件包括内径为250微米，外径为450微米的环形结构。
12.依据本技术的一实施例，所述定位件包括内径为400微米，外径为600微米的环形结构。
13.本技术提出的集成电路基板在产品成型区外的板框区的角落添加钻孔结构。当要对集成电路基板进行钻孔时，钻孔装置会在加载相应的程序后对钻孔结构的位置进行钻孔。在钻孔后，使用者只需通过x光仪进行检查。由于钻孔结构的位置固定且数量有限，当集成电路基板作为一批次基板的第一件集成电路基板时，钻孔装置可以花费较少的作业时间即完成首次钻孔的校正。同时，由于不需要在产品成型区中通过对集成电路产品结构进行钻孔作为首次钻孔的校正，如此一来可以避免因钻孔作业疏失造成产品的报废，提升产品的良率。
附图说明
14.附图是用来提供对本技术的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与下面的具体实施方式一起用于解释本技术，但并不构成对本技术的限制。在附图中：
15.图1演示依据本技术一实施例的集成电路基板的方块示意图。
16.图2演示依据本技术一实施例的集成电路基板的俯视视图。
17.图3演示依据本技术一实施例的钻孔结构的俯视视图。
具体实施方式
18.以下揭示内容提供了多种实施方式或例示，其能用以实现本揭示内容的不同特征。下文所述之组件与配置的具体例子系用以简化本揭示内容。当可想见，这些叙述仅为例示，其本意并非用于限制本揭示内容。举例来说，在下文的描述中，将一第一特征形成于一第二特征上或之上，可能包括某些实施例其中所述的第一与第二特征彼此直接接触；且也可能包括某些实施例其中还有额外的组件形成于上述第一与第二特征之间，而使得第一与第二特征可能没有直接接触。此外，本揭示内容可能会在多个实施例中重复使用组件符号和/或标号。此种重复使用乃是基于简洁与清楚的目的，且其本身不代表所讨论的不同实施例和/或组态之间的关系。
19.再者，在此处使用空间上相对的词汇，譬如「之下」、「下方」、「低于」、「之上」、「上方」及与其相似者，可能是为了方便说明图中所绘示的一组件或特征相对于另一或多个组件或特征之间的关系。这些空间上相对的词汇其本意除了图中所绘示的方位之外，还涵盖了装置在使用或操作中所处的多种不同方位。可能将所述设备放置于其他方位(如，旋转90度或处于其他方位)，而这些空间上相对的描述词汇就应该做相应的解释。
20.虽然用以界定本技术较广范围的数值范围与参数皆是约略的数值，此处已尽可能精确地呈现具体实施例中的相关数值。然而，任何数值本质上不可避免地含有因个别测试方法所致的标准偏差。在此处，「约」通常系指实际数值在一特定数值或范围的正负10％、5％、1％或0.5％之内。或者是，「约」一词代表实际数值落在平均值的可接受标准误差之内，视本技术所属技术领域中具有通常知识者的考虑而定。当可理解，除了实验例之外，或除非另有明确的说明，此处所用的所有范围、数量、数值与百分比(例如用以描述材料用量、时间长短、温度、操作条件、数量比例及其他相似者)均经过「约」的修饰。因此，除非另有相反的说明，本说明书与附随权利要求书所揭示的数值参数皆为约略的数值，且可视需求而更动。至少应将这些数值参数理解为所指出的有效位数与套用一般进位法所得到的数值。在此处，将数值范围表示成由一端点至另一端点或介于二端点之间；除非另有说明，此处所述的数值范围皆包括端点。
21.图1演示依据本技术一实施例的集成电路基板1的方块示意图。在某些实施例中，集成电路基板1可以是一种多层图案化导电板。在某些实施例中，集成电路基板1包括集成电路产品结构11以及钻孔结构12。在某些实施例中，集成电路产品结构11设置在集成电路基板1的第一区中。在某些实施例中，钻孔结构12设置在集成电路基板1的第二区。在某些实施例中，钻孔结构12包括经配置以定位钻孔位置的定位件。
22.图2演示依据本技术一实施例的集成电路基板2的俯视视图。在某些实施例中，集成电路基板2可以是一种多层图案化导电板。在某些实施例中，集成电路基板2可以是多层图案化导电板的内层板，使用者通过扫描装置(如x光仪)从多层图案化导电板的俯视视角观察图2所示的集成电路基板2架构。在某些实施例中，集成电路基板2可以用以实现图1实施例的集成电路基板1。
23.在某些实施例中，集成电路基板2包括集成电路产品结构21以及钻孔结构22。在某些实施例中，集成电路基板2划分为第一区q1和第二区q2。在某些实施例中第一区q1作为成型区，集成电路产品结构21限制在第一区q1之中。在某些实施例中，第一区q1是矩形区域，集成电路产品结构21限制在第一区q1的矩形面积中。
24.需说明的是，图2以虚线框代表集成电路产品结构21，然而，图2所示的集成电路产品结构21的数量、形状等仅为范例说明。图2仅为表达集成电路产品结构21实质上仅会存在于第一区q1中。
25.在某些实施例中，第二区q2包围第一区q1。在某些实施例中，第二区q2是环形区域，包围第一区q1的矩形区域。在某些实施例中，第二区q2是板框区，第二区q2不包括任何集成电路产品结构21。在某些实施例中，钻孔结构22设置在第二区q2。在某些实施例中，钻孔结构22包括经配置以定位钻孔位置的定位件。在某些实施例中，每个钻孔结构22包括多个定位件。在某些实施例中，多个钻孔结构22(如图示中的4个)分别设置于第二区q2的四个角落。然而，此并非本技术的一限制。在某些实施例中，多个钻孔结构22也可以设置在第二区q2的其他位置。
26.图3演示依据本技术一实施例的钻孔结构22的俯视视图。在某些实施例中，钻孔结构22包括多个定位件221a和多个定位件221b。在某些实施例中，多个定位件221a和多个定位件221b呈现矩阵排列。然而，定位件221a和定位件221b的排列方式并非本技术一限制。在某些实施例中，定位件221a和定位件221b经配置以定义钻孔位置。在某些实施例中，定位件221a和定位件221b包括环形结构。在某些实施例中，定位件221a和定位件221b分别包括不同尺寸的环形结构。在某些实施例中，定位件221a包括的内径为250微米，外径为450微米的环形结构。在某些实施例中，定位件221b包括内径为400微米，外径为600微米的环形结构。
27.本技术提出的集成电路基板2在产品成型区(即第一区q1)外的板框区(即第二区q2)的角落添加钻孔结构22。当要对集成电路基板2进行钻孔时，钻孔装置会在加载相应的程序后对集成电路基板2的钻孔结构22的位置进行钻孔。在钻孔后，使用者只需通过x光仪进行检查。由于钻孔结构22的在第二区q2的位置固定且数量有限，当集成电路基板2作为一批次基板的第一件集成电路基板时，钻孔装置可以花费较少的作业时间即完成首次钻孔的校正。同时，由于不需要在产品成型区中通过对集成电路产品结构21进行钻孔作为首次钻孔的校正，如此一来可以避免因钻孔作业疏失造成产品的报废，提升产品的良率。
28.如本文中所使用，术语“近似地”、“基本上”、“基本”及“约”用于描述并考虑小变化。当与事件或情况结合使用时，所述术语可指事件或情况精确地发生的例子以及事件或情况极近似地发生的例子。如本文中相对于给定值或范围所使用，术语“约”大体上意味着在给定值或范围的
±
10％、
±
5％、
±
1％或
±
0.5％内。范围可在本文中表示为自一个端点至另一端点或在两个端点之间。除非另外规定，否则本文中所公开的所有范围包括端点。术语“基本上共面”可指沿同一平面定位的在数微米(μm)内的两个表面，例如，沿着同一平面定位的在10μm内、5μm内、1μm内或0.5μm内。当参考“基本上”相同的数值或特性时，术语可指处于所述值的平均值的
±
10％、
±
5％、
±
1％或
±
0.5％内的值。
29.如本文中所使用，术语“近似地”、“基本上”、“基本”和“约”用于描述和解释小的变化。当与事件或情况结合使用时，所述术语可指事件或情况精确地发生的例子以及事件或情况极近似地发生的例子。举例来说，当与数值结合使用时，术语可指小于或等于所述数值
的
±
10％的变化范围，例如，小于或等于
±
5％、小于或等于
±
4％、小于或等于
±
3％、小于或等于
±
2％、小于或等于
±
1％、小于或等于
±
0.5％、小于或等于
±
0.1％，或小于或等于
±
0.05％。举例来说，如果两个数值之间的差小于或等于所述值的平均值的
±
10％(例如，小于或等于
±
5％、小于或等于
±
4％、小于或等于
±
3％、小于或等于
±
2％、小于或等于
±
1％、小于或等于
±
0.5％、小于或等于
±
0.1％，或小于或等于
±
0.05％)，那么可认为所述两个数值“基本上”或“约”相同。举例来说，“基本上”平行可以指相对于0
°
的小于或等于
±
10
°
的角度变化范围，例如，小于或等于
±5°
、小于或等于
±4°
、小于或等于
±3°
、小于或等于
±2°
、小于或等于
±1°
、小于或等于
±
0.5
°
、小于或等于
±
0.1
°
，或小于或等于
±
0.05
°
。举例来说，“基本上”垂直可以指相对于90
°
的小于或等于
±
10
°
的角度变化范围，例如，小于或等于
±5°
、小于或等于
±4°
、小于或等于
±3°
、小于或等于
±2°
、小于或等于
±1°
、小于或等于
±
0.5
°
、小于或等于
±
0.1
°
，或小于或等于
±
0.05
°
。
30.举例来说，如果两个表面之间的位移等于或小于5μm、等于或小于2μm、等于或小于1μm或等于或小于0.5μm，那么两个表面可以被认为是共面的或基本上共面的。如果表面相对于平面在表面上的任何两个点之间的位移等于或小于5μm、等于或小于2μm、等于或小于1μm或等于或小于0.5μm，那么可以认为表面是平面的或基本上平面的。
31.如本文中所使用，术语“导电(conductive)”、“导电(electrically conductive)”和“电导率”是指转移电流的能力。导电材料通常指示对电流流动为极少或零对抗的那些材料。电导率的一个量度是西门子/米(s/m)。通常，导电材料是电导率大于近似地104s/m(例如，至少105s/m或至少106s/m)的一种材料。材料的电导率有时可以随温度而变化。除非另外规定，否则材料的电导率是在室温下测量的。
32.如本文中所使用，除非上下文另外明确规定，否则单数术语“一(a/an)”和“所述”可包含复数指示物。在一些实施例的描述中，提供于另一组件“上”或“上方”的组件可涵盖前一组件直接在后一组件上(例如，与后一组件物理接触)的情况，以及一或多个中间组件位于前一组件与后一组件之间的情况。
33.如本文中所使用，为易于描述可在本文中使用空间相对术语例如“下面”、“下方”、“下部”、“上方”、“上部”、“下部”、“左侧”、“右侧”等描述如图中所说明的一个组件或特征与另一组件或特征的关系。除图中所描绘的定向之外，空间相对术语意图涵盖在使用或操作中的装置的不同定向。设备可以其它方式定向(旋转90度或处于其它定向)，且本文中所使用的空间相对描述词同样可相应地进行解释。应理解，当一组件被称为“连接到”或“耦合到”另一组件时，其可直接连接或耦合到所述另一组件，或可存在中间组件。
34.前文概述本公开的若干实施例和细节方面的特征。本公开中描述的实施例可容易地用作用于设计或修改其它过程的基础以及用于执行相同或相似目的和/或获得引入本文中的实施例的相同或相似优点的结构。这些等效构造不脱离本公开的精神和范围并且可在不脱离本公开的精神和范围的情况下作出不同变化、替代和改变。