薄层电阻组件的制作方法

本发明涉及一种具有多个oled像素的有源oled显示器以及用于制造至少一个公共的层的方法。

背景技术：

1、自1987年以来，当tang等人(c.w.tang等人，appl.phys.lett.51(12)913(1987))已经展示低工作电压时，有机发光二极管已成为实现大面积显示器的有希望的候选者。它们由一系列有机材料的薄层(通常为1nm至1μm)组成，它们可以通过热真空蒸发或溶液处理来沉积，随后通过金属层形成电接触。有机电子器件提供多种电子或光电组件如二极管、发光二极管、光二极管和薄膜晶体管(tft)，就性质而言，它们可与基于无机材料的现有组件竞争。

2、在有机发光二极管(oled)的情况下，光通过发光二极管通过电荷载流子(来自一侧的电子，来自另一侧的空穴)从接触处注入相邻的有机层中来产生和发射，这是外部施加电压、随后在活性区中形成激子(电子-空穴对)以及这些激子辐射再结合的结果。

3、与常规无机组件(基于如硅或砷化镓的无机半导体)相比，这种有机组件的优势是可选择生产大面积元件，例如大型显示元件(视觉显示器、屏幕)或灯(用于照明应用)。与无机材料相比，有机材料相对便宜(材料和能源消耗较少)。此外，与无机材料相比，这些材料由于加工温度低而可以沉积在柔性基底上，从而在显示器和照明工程中开辟了完整系列的新应用。这种组件的基本构建包含一个或更多个如下层的设置：载体基底；空穴注入(正接触)基电极，其通常是透明的；空穴注入层(hil)；空穴传输层(htl)；发光层(el)；电子传输层(etl)；电子注入层(eil)；电子注入(负接触)覆盖电极，通常是低逸出功的金属；以及封装，以排除环境影响。

4、虽然上述代表了最典型的情况，但经常可以省略数层(htl和etl除外)，或者一层可以组合数种属性。

5、在文献us 5,093,698中描述了掺杂电荷载流子传输层的使用(通过混合类受体分子对htl进行p型掺杂，通过混合类供体分子对etl进行n型掺杂)。从这个意义上来讲，掺杂意味着与两种相关物质之一的纯层相比，将掺杂物质混合到层中增加了该层中的平衡电荷载流子浓度，这引起改善的电导率和更好的电荷载流子从相邻的接触层注入到该混合层中。电荷载流子的传输仍然发生在基质分子上。根据us 5,093,698，掺杂层用作接触材料界面处的注入层，发光层位于其间(或者，当仅使用一个掺杂层时，紧邻其它接触)。通过掺杂和相关的能带弯曲而增加的平衡电荷载流子密度会促进电荷载流子注入。根据us 5,093,698，应当获得有机层的能级(homo＝最高占据分子轨道或最高能量价带能量；lumo＝最低未占据分子轨道或最低能量传导带能量)，使得etl中的电子以及htl中的空穴可以在没有进一步势垒的情况下注入el(发射层)中，这需要htl材料非常高的电离能和etl材料非常低的电子亲和性。

6、关于有源oled显示器，显示器像素之间所谓的串扰一直是主要问题。像素或颜色串扰是指由像素产生的一种颜色的光子与从接近像素散射的另一种颜色的光子错误地混合。例如，文献gb 2 492 400 a和wo 2002/015292 a2提供了用于减少oled器件中颜色串扰的措施。此外，或作为替选方面，可能发生电串扰。在这种情况下，例如，施加到像素之一的驱动电流可能引起从接近被提供驱动电流的像素的另一像素的发光。两者都会对显示设备的性能产生负面冲击(参见yamazaki等人，a.(2013年)，33.2：spatial resolutioncharacteristics of organic light-emitting diode displays:a comparativeanalysis of mtf for handheld and workstation formats。sid symposium digest oftechnical papers，44:419-422.doi:10.1002/j.2168-0159.2013.tb06236.x)。

7、在常规商用有源矩阵oled显示器中，电像素串扰可能是由于在由更多oled像素共享的空穴传输层(htl)中应用氧化还原p型掺杂引起的(从这个意义上来讲，共享的htl是电连接到存在于显示器中的多个像素的阳极)。使用氧化还原p型掺杂剂，通过将电子从掺杂基质的分子转移到掺杂剂分子来产生新的电荷载流子(空穴)而增加电荷载流子密度，有利于低工作电压、高运行稳定性和高产率。另一方面，氧化还原p型掺杂使空穴传输层的电导率从没有p型掺杂剂的情况下的小于10-8s/cm(通常从小于10-10s/cm)增加到大于10-6s/cm(通常，p型掺杂剂的浓度在1和5重量％之间的范围内)。因此，氧化还原掺杂的htl通常是造成包含由多个像素共享的htl的有源矩阵显示器中的任何电像素串扰的原因。如果用氧化还原n型掺杂剂来进行n型掺杂，etl也可能显示如氧化还原掺杂htl相似的高导电性，然而，由于具有公共的阴极的显示器布局，etl不会引起电像素串扰。

技术实现思路

1、一个目的是提供用于有源矩阵oled显示器的改进技术，特别是应当减少有源oled显示器的邻近像素之间的串扰。

2、在一个方面中，提供了一种有源矩阵oled显示器，所述有源矩阵oled显示器包含多个oled像素，其中各像素本身包含有机层的叠层，并且有机层的叠层的各层可形成公共的半导体层，其中

3、-至少第一oled像素和第二oled像素包含

4、-阳极层，

5、-公共的阴极层，

6、-至少一个发射层，所述发射层为任选的公共的发射层，

7、-至少有机层的叠层，其中有机层的叠层设置在阳极层与阴极层之间，所述有机层的叠层包含

8、-多个半导体层，并且多个半导体层包含至少两个或更多个公共的半导体层，其中多个半导体层包含

9、-至少公共的第一半导体层，所述公共的第一半导体层包含至少一种空穴注入金属化合物或由至少一种空穴注入金属化合物组成，

10、-至少公共的第二半导体层，

11、-至少一个发射层，并且

12、其中公共的第一半导体层包含至少一种空穴注入金属化合物，并且与公共的第二半导体层一起的薄层电阻≥50吉欧姆每平方。

13、根据一个实施方式，提供了一种有源矩阵oled显示器，所述有源矩阵oled显示器包含多个oled像素，其中各像素本身包含有机层的叠层，并且有机层的叠层的各层可形成公共的半导体层，其中

14、-至少第一oled像素和第二oled像素包含

15、-阳极层，

16、-公共的阴极层，

17、-至少一个发射层，其为任选的公共的发射层，

18、-至少有机层的叠层，其中有机层的叠层设置在阳极层与阴极层之间，所述有机层的叠层包含

19、-多个半导体层，并且多个半导体层包含至少两个或更多个公共的半导体层，并且其中公共的第一半导体层在oled显示器中在多个像素的所有像素上延伸或在多个像素的至少两个像素上延伸，其中多个半导体层包含

20、-至少公共的第一半导体层，所述公共的第一半导体层包含至少一种空穴注入金属化合物或由至少一种空穴注入金属化合物组成，

21、-至少公共的第二半导体层

22、-至少一个发射层，并且

23、其中公共的第一半导体层包含至少一种空穴注入金属化合物，并且与公共的第二半导体层一起的薄层电阻≥50吉欧姆每平方，其中为了测量薄层电阻，将公共的第二半导体层直接沉积在公共的第一半导体层上，并且将公共的第一半导体层直接沉积在测量电极、优选ito电极上。

24、根据一个实施方式，其中公共的第一半导体层和公共的第二半导体层的薄层电阻单独一起测量。

25、根据一个实施方式，其中公共的第一半导体层和公共的第二半导体层的薄层电阻单独一起测量，其中为了测量薄层电阻，将公共的第二半导体层直接沉积在公共的第一半导体层上，并且将公共的第一半导体层直接沉积在测量电极、优选ito电极上。

26、根据一个实施方式，提供了一种有源矩阵oled显示器，其包含多个oled像素，其中各像素本身包含有机层的叠层，并且有机层的叠层的各层可形成公共的半导体层，其中

27、-至少第一oled像素和第二oled像素包含

28、-阳极层，

29、-公共的阴极层，

30、-至少一个发射层，其为任选的公共的发射层，

31、-至少有机层的叠层，其中有机层的叠层设置在阳极层与阴极层之间，其包含

32、-多个半导体层，并且多个半导体层包含至少两个或更多个公共的半导体层，其中多个半导体层包含

33、-至少公共的第一半导体层，其包含至少一种空穴注入金属化合物或由至少一种空穴注入金属化合物组成，

34、-至少公共的第二半导体层

35、-至少一个发射层，并且

36、其中公共的第一半导体层包含至少一种空穴注入金属化合物，并且与公共的第二半导体层一起的薄层电阻≥50吉欧姆每平方，其中公共的第一半导体层和公共的第二半导体层的薄层电阻单独一起测量，其中为了测量薄层电阻，将公共的第二半导体层直接沉积在公共的第一半导体层上，并且将公共的第一半导体层直接沉积在测量电极、优选ito电极上。

37、根据一个实施方式，提供了一种有源矩阵oled显示器，其包含多个oled像素，其中各像素本身包含有机层的叠层，并且有机层的叠层的各层可形成公共的半导体层，其中

38、-至少第一oled像素和第二oled像素包含

39、-阳极层，

40、-公共的阴极层，

41、-至少一个发射层，其为任选的公共的发射层，

42、-至少有机层的叠层，其中有机层的叠层设置在阳极层与阴极层之间，其包含

43、-多个半导体层，并且多个半导体层包含至少两个或更多个公共的半导体层，并且其中公共的第一半导体层在oled显示器中在多个像素的所有像素上延伸或在多个像素的至少两个像素上延伸，其中多个半导体层包含

44、-至少公共的第一半导体层，其包含至少一种空穴注入金属化合物或由至少一种空穴注入金属化合物组成，

45、-至少公共的第二半导体层

46、-至少一个发射层，并且

47、其中公共的第一半导体层包含至少一种空穴注入金属化合物，并且与公共的第二半导体层一起的薄层电阻≥50吉欧姆每平方，其中公共的第一半导体层和公共的第二半导体层的薄层电阻单独一起测量，其中为了测量薄层电阻，将公共的第二半导体层直接沉积在公共的第一半导体层上，并且将公共的第一半导体层直接沉积在测量电极、优选ito电极上。

48、根据一个实施方式，提供了一种有源矩阵oled显示器，其包含多个oled像素，其中各像素本身包含有机层的叠层，并且有机层的叠层的各层可形成公共的半导体层，其中

49、-至少第一oled像素和第二oled像素包含

50、-阳极层，

51、-公共的阴极层，

52、-至少一个发射层，其为任选的公共的发射层，

53、-至少有机层的叠层，其中有机层的叠层设置在阳极层与阴极层之间，其包含

54、-多个半导体层，并且多个半导体层包含至少两个或更多个公共的半导体层，其中多个半导体层包含

55、-至少公共的第一半导体层，其包含至少一种空穴注入金属化合物或由至少一种空穴注入金属化合物组成，

56、-至少公共的第二半导体层

57、-至少一个发射层，并且

58、其中公共的第一半导体层包含至少一种空穴注入金属化合物，并且与公共的第二半导体层一起的薄层电阻≥50吉欧姆每平方，其中公共的第一半导体层和公共的第二半导体层的薄层电阻单独一起测量，其中为了测量薄层电阻，将公共的第二半导体层直接沉积在公共的第一半导体层上，并且将公共的第一半导体层直接沉积在测量电极、优选ito电极上。

59、根据一个实施方式，提供了一种有源矩阵oled显示器，其包含多个oled像素，其中各像素本身包含有机层的叠层，并且有机层的叠层的各层可形成公共的半导体层，其中

60、-至少第一oled像素和第二oled像素包含

61、-阳极层，

62、-公共的阴极层，

63、-至少一个发射层，其为任选的公共的发射层，

64、-至少有机层的叠层，其中有机层的叠层设置在阳极层与阴极层之间，其包含

65、-多个半导体层，并且多个半导体层包含至少两个或更多个公共的半导体层，并且其中公共的第一半导体层在oled显示器中在多个像素的所有像素上延伸或在多个像素的至少两个像素上延伸，其中多个半导体层包含

66、-至少公共的第一半导体层，其包含至少一种空穴注入金属化合物或由至少一种空穴注入金属化合物组成，

67、-至少公共的第二半导体层

68、-至少一个发射层，并且

69、其中公共的第一半导体层包含至少一种空穴注入金属化合物，并且与公共的第二半导体层一起的薄层电阻≥50吉欧姆每平方，其中公共的第一半导体层和公共的第二半导体层的薄层电阻单独一起测量，其中为了测量薄层电阻，将公共的第二半导体层直接沉积在公共的第一半导体层上，并且将公共的第一半导体层直接沉积在测量电极、优选ito电极上。

70、有机半导体器件的性质是它们的导电性。通过使用空穴注入金属化合物，可以显著增加有机半导体器件的层的电导率。薄层电阻例如通过所谓的“传输线法”测定。在此，对薄层施加电压并测量流过该层的电流。薄层电阻，分别是电导率是通过考虑接触的几何形状和样品的层的厚度而得到的。

71、薄层电阻通过传输线法测定。

72、根据一个实施方式，提供了一种有源矩阵oled显示器，其包含多个oled像素，其中各像素本身包含有机层的叠层，并且有机层的叠层的各层可形成公共的半导体层，其中

73、-至少第一oled像素和第二oled像素包含

74、-阳极层，

75、-公共的阴极层，

76、-至少一个发射层，其为任选的公共的发射层，

77、-至少有机层的叠层，其中有机层的叠层设置在阳极层与阴极层之间，其包含

78、-多个半导体层，并且多个半导体层包含至少两个或更多个公共的半导体层，其中任选公共的第一半导体层在oled显示器中在多个像素的所有像素上延伸或在多个像素的至少两个像素上延伸，并且

79、其中多个半导体层包含

80、-至少公共的第一半导体层，其为包含至少一种空穴注入金属化合物或由至少一种空穴注入金属化合物组成的公共的空穴注入层，

81、-至少公共的第二半导体层

82、-至少一个发射层，并且

83、其中公共的第一半导体层包含至少一种空穴注入金属化合物，并且与公共的第二半导体层一起的薄层电阻≥50吉欧姆每平方，其中任选公共的第一半导体层和公共的第二半导体层的薄层电阻单独一起测量，其中为了测量薄层电阻，将公共的第二半导体层直接沉积在公共的第一半导体层上，并且将公共的第一半导体层直接沉积在测量电极、优选ito电极上。

84、根据一个实施方式，提供了一种有源矩阵oled显示器，其包含多个oled像素，其中各像素本身包含有机层的叠层，并且有机层的叠层的各层可形成公共的半导体层，其中

85、-至少第一oled像素和第二oled像素包含

86、-阳极层，

87、-公共的阴极层，

88、-至少一个发射层，其为任选的公共的发射层，

89、-至少有机层的叠层，其中有机层的叠层设置在阳极层与阴极层之间，其包含

90、-多个半导体层，并且多个半导体层包含至少两个或更多个公共的半导体层，其中任选公共的第一半导体层在oled显示器中在多个像素的所有像素上延伸或在多个像素的至少两个像素上延伸，并且

91、其中多个半导体层包含

92、-至少公共的第一半导体层，其为包含至少一种空穴注入金属化合物或由至少一种空穴注入金属化合物组成的公共的空穴注入层，

93、-至少公共的第二半导体层，

94、-至少一个发射层，并且

95、其中公共的第一半导体层包含至少一种空穴注入金属化合物，并且与公共的第二半导体层一起的薄层电阻≥50吉欧姆每平方，其中任选公共的第一半导体层和公共的第二半导体层的薄层电阻单独一起测量，其中为了测量薄层电阻，将公共的第二半导体层直接沉积在公共的第一半导体层上，并且将公共的第一半导体层直接沉积在测量电极、优选ito电极上。

96、根据一个实施方式，提供了一种有源矩阵oled显示器，其包含多个oled像素，其中各像素本身包含有机层的叠层，并且有机层的叠层的各层可形成公共的半导体层，其中

97、-至少第一oled像素和第二oled像素包含

98、-阳极层，

99、-公共的阴极层，

100、-至少一个发射层，其为任选的公共的发射层，

101、-至少有机层的叠层，其中有机层的叠层设置在阳极层与阴极层之间，其包含

102、-多个半导体层，并且多个半导体层包含至少两个或更多个公共的半导体层，其中任选公共的第一半导体层在oled显示器中在多个像素的所有像素上延伸或在多个像素的至少两个像素上延伸，并且

103、其中多个半导体层包含

104、-至少公共的第一半导体层，其为包含至少一种空穴注入金属化合物或由至少一种空穴注入金属化合物组成的公共的空穴注入层，

105、-至少公共的第二半导体层，

106、-至少一个发射层，并且

107、其中公共的第一半导体层包含至少一种空穴注入金属化合物，并且与公共的第二半导体层一起的薄层电阻≥50吉欧姆每平方，其中公共的第一半导体层和公共的第二半导体层的薄层电阻单独一起测量，其中为了测量薄层电阻，将公共的第二半导体层直接沉积在公共的第一半导体层上，并且将公共的第一半导体层直接沉积在测量电极、优选ito电极上。

108、根据一个实施方式，提供了一种有源矩阵oled显示器，其包含多个oled像素，其中各像素本身包含有机层的叠层，并且有机层的叠层的各层可形成公共的半导体层，其中

109、-至少第一oled像素和第二oled像素包含

110、-阳极层，

111、-公共的阴极层，

112、-至少一个发射层，其为任选的公共的发射层，

113、-至少有机层的叠层，其中有机层的叠层设置在阳极层与阴极层之间，其包含

114、-多个半导体层，并且多个半导体层包含至少两个或更多个公共的半导体层，其中任选公共的第一半导体层在oled显示器中在多个像素的所有像素上延伸或在多个像素的至少两个像素上延伸，并且

115、其中多个半导体层包含

116、-至少公共的第一半导体层，其为包含至少一种空穴注入金属化合物或由至少一种空穴注入金属化合物组成的公共的空穴注入层，

117、-至少公共的第二半导体层，

118、-至少一个发射层，并且

119、其中公共的第一半导体层包含至少一种空穴注入金属化合物，并且与公共的第二半导体层一起的薄层电阻≥50吉欧姆每平方，其中公共的第一半导体层和公共的第二半导体层的薄层电阻单独一起测量，其中为了测量薄层电阻，将公共的第二半导体层直接沉积在公共的第一半导体层上，并且将公共的第一半导体层直接沉积在测量电极、优选ito电极上。

120、在本说明书中，当不另外提供定义时，“空穴注入金属化合物”是指能够促进空穴注入的材料，即将正电荷从阳极注入优选有机层、特别是空穴传输层中，并且其中如果存在，则所述材料能够在特定电流密度下降低工作电压。

121、当添加到半导体中时，空穴注入金属化合物可以提供从阳极到空穴传输基质中的空穴注入，而基本上不增加自由电荷载流子的浓度到高于对应于在纯基质中观察到的电导率的水平，或者可能能够增加空穴传输材料或空穴传输层中正电荷载流子的密度。空穴注入金属化合物可以在层内单独使用或与空穴传输材料或空穴传输层结合使用。

122、空穴注入金属化合物包含金属和至少一种配体。

123、根据一个实施方式，第一半导体层的本征层由空穴注入金属化合物组成或基本上由空穴注入金属化合物组成。空穴注入金属化合物不同于空穴传输材料或空穴传输基质化合物。

124、术语“单独一起测量”是指在没有oled显示器的其它层或公共的层的情况下测量相应层的薄层电阻。

125、因此，术语“单独一起测量”是指测量相应公共的层的组合的薄层电阻，其中所述公共的层在没有oled显示器的其它层或公共的层的情况下彼此叠置。

126、例如，在其中公共的第一半导体层和公共的第二半导体层的薄层电阻单独一起测量的情况下，公共的第一半导体层和公共的第二半导体层彼此叠置，并且不存在用于测量薄层电阻的其它层。

127、在另一个实例中，在其中公共的空穴注入层和公共的第二半导体层的薄层电阻单独一起测量的情况下，公共的空穴注入层和公共的第二半导体层彼此叠置，并且不存在用于测量薄层电阻的其它层。

128、在另一个实例中，在其中公共的空穴半导体层和公共的空穴传输层的薄层电阻单独一起测量的情况下，公共的空穴注入层和公共的空穴传输层彼此叠置，并且不存在用于测量薄层电阻的其它层。

129、在另一个实例中，在其中公共的第一半导体层、公共的第二半导体层和公共的第三半导体层的薄层电阻单独一起测量的情况下，公共的第一半导体层、公共的第二半导体层和公共的第三半导体层彼此叠置，并且不存在用于测量薄层电阻的其它层。

130、在另一个实例中，在其中公共的第一半导体层、公共的第二半导体层、公共的第三半导体层和公共的发射层的薄层电阻单独一起测量的情况下，公共的第一半导体层、公共的第二半导体层、公共的第三半导体层和公共的发射层彼此叠置，并且不存在用于测量薄层电阻的其它层。

131、在另一个实例中，在其中公共的第一半导体层、公共的第二半导体层、公共的第三半导体层和发射层的薄层电阻单独一起测量的情况下，公共的第一半导体层、公共的第二半导体层、公共的第三半导体层和发射层彼此叠置，并且不存在用于测量薄层电阻的其它层。

132、传输线法

133、薄层电阻rs是针对由称为通道的测试元件组成的测试元件组(参见图2)上的给定沉积层叠层来测量，提供两个高导电性电极，彼此之间具有间隙“l”，并且各自的宽度为“w”(参见图1)。为了改善噪声水平，可以使用大“w”，并且电极形成为用于减少面积需求的叉指指状结构(参见图3)。为了可靠的rs计算需要至少三个具有不同通道长度“l”的这种通道。

134、测量按如下方式进行：

135、第一电压以小于1v的步长在-5v至+5v之间扫描并测量电流。该测量期间的基底温度优选为23+/-2℃。使用x轴上的电流值和y轴上的电压值线性拟合，拟合斜率给出通道电阻“r”。对各通道“n”重复此过程，引起具有间隙“ln”和宽度“w”的通道“n”的“rn”。对于rs计算，在所有通道上宽度“w”必须是恒定的。为了可靠的电阻值，拟合质量指数r2必须大于0.9。

136、在第二步中，在具有间隙“ln”的通道上绘制电阻“rn”并进行线性拟合。该拟合的斜率乘以通道宽度“w”给出沉积层叠层的薄层电阻rs。该计算消除了来自测量设置的接触电阻和串联电阻的影响。电极间隙应接近目标应用间隙，例如20μm、40μm、60μm。低导电层的通道宽度可为100000μm。

137、测量在具有ito电极的玻璃基底(corning eagle xg)上进行。用水基表面活性剂溶液湿式清洁并通过吹氮气来干燥，随后在200℃下在氮气气氛中烘烤120分钟之后，用氮气等离子体调节基底。在有机层沉积之后，在电测量之前，使用包含干燥剂的封装玻璃盖来封装样品。

138、传输线法是测量薄层电阻的常用方法，特别是描述于：

139、-williams，ralph(1990年)。modern gaas processing methods，artechhouse.isbn 0890063435。

140、-schroder，dieter k.(2006年)。semiconductor material and devicecharacterization.john wiley&sons，isbn 0471739065。

141、-reeves,g.k.，ieee electron device letters(卷：3，期：5，1982年5月)，第113-133页(https://ieeexplore.ieee.org/document/1482607)。

142、优选的薄层电阻测量

143、在接触电阻远低于电极之间通道区域的电阻的情况下，可以使用简化的薄层电阻测量方法。在具有通道宽度w为例如103500μm且通道长度l为80μm的电极对上施加5v的电压v并使用keithley sm2635源测量单元测量电流i。通道电阻r由式r＝v/i计算。在随后的步骤中，薄层电阻rs通过rs＝r*w/l计算。薄层电阻在23+/-2℃下测量。采用图6中在5v下的通道电流形成实例数据，给出r＝5v/1.33e.7a＝3.76e7ω和rs＝r*w/l＝3.76e7ω*103500μm/80μm＝48.6gω/sq。

144、替选薄层电阻测量

145、作为替选，可以如下测量薄层电阻：

146、根据图4，具有90nm ito和10ω/sq薄层电阻的ito涂覆基底图案化为叉指指状结构。两个电极上的12个ito指状形成总共23个导电区域：n＝23。叉指长度we为4.5mm。因此总通道宽度为103.5mm。通道长度在20至80μm之间以步长20μm变化。具有4种不同通道长度的电极对组合在一个尺寸为25×25mm2的基底上，如图5中所示。有机层沉积在基底上，覆盖完整的叉指图案。在基底上，第一公共的半导体层包含至少一种空穴注入金属化合物，厚度为10nm，例如，第一公共的半导体层(为由掺杂的共价的基质化合物组成的空穴注入层，合适的共价的基质化合物在本说明书中描述)通过共蒸发沉积。温度范围取决于材料，并受蒸发开始处的蒸发温度和分解温度的限制。这些值是材料参数，并且对于每种材料都是不同的。这些值通常在50℃和500℃之间，大部分在150℃和350℃之间。例如，共价的基质化合物沉积以(埃每秒)的恒定速率进行，蒸发源温度为272℃。空穴注入金属化合物例如在174℃下以运行。在该层上以的沉积速率和280℃的温度沉积厚度为128nm的第二公共的半导体层，其为例如公共的空穴传输层或公共的电子阻挡层，其中优选空穴传输层。在整个沉积过程期间，室压为3e-7毫巴。然而，如上所解释，所使用的蒸发温度取决于蒸发开始处的蒸发温度和分解温度。有机材料的蒸发温度取决于材料，并且通常在80℃和500℃之间。在有机层沉积之后，使用具有集成干燥剂的玻璃盖将所获得的基底层器件封装在充氮的手套箱中，以防止样品降解。

147、在对应于给定通道长度的各电极对上，以0.5v的步长施加-5v和+5v之间的电压并测量电流。这是使用keithley sm2635源测量单元进行的。图6显示了这种测量的示意图。计算对于对应于给定通道长度的每次测量的斜率给出该通道长度的电阻rn。在对应的通道长度上绘制rn，计算该斜率并将其乘以通道宽度103500μm，给出所测量的层叠层的薄层电阻rs。在给出的实例中，斜率470199ω/μm乘以通道宽度103500μm。结果是薄层电阻为48.7gω/平方。薄层电阻在23℃和1013毫巴下测量。

148、公共的层

149、公共的层是指在一个处理步骤中通过一个大掩膜开口沉积在完整显示区域或至少两个像素的区域上的层和/或由在数个连续步骤中沉积的数个重叠区域组成的层(即使重叠层由不同材料组成)。

150、根据有源矩阵oled显示器的一个实施方式，至少一个公共的第一半导体层为公共的空穴注入层。

151、根据有源矩阵oled显示器的另一个实施方式，其中至少一个公共的第一半导体层、优选公共的空穴注入层包含至少一种空穴注入金属化合物，其中至少一种空穴注入金属化合物选自包含至少一种金属阳离子和至少一种配体的化合物，其中至少一种配体为至少一种阴离子配体，优选至少一种配体为单阴离子配体，进一步优选至少一种配体为另外含有中性配体的单阴离子配体。

152、根据有源矩阵oled显示器的另一个实施方式，其中空穴注入金属化合物包含至少一种配体，其中配体由式(i)表示：

153、其中

154、m、n、p和q独立地选自0或1；

155、r、s、t和u独立地选自0或1；

156、r、s、t和u中的至少一个为1；

157、z选自cr1、o、n、b；如果z选o，则n、p和选自0，并且s、t和u选自0；

158、a1、a2、a3和a4独立地选自c＝o、c-o、c＝nr2、c-nr3、so、so2或p(＝o)r4；

159、r1、r2、r3和r4独立地选自h、d、吸电子基团、卤素、取代或未取代的芳基、取代或未取代的烷基、取代或未取代的碳环基、取代或未取代的杂环基，优选f、cl、cn、cf3、取代或未取代的c6至c24芳基、取代或未取代的c2至c24杂芳基、取代或未取代的c1至c12烷基、取代或未取代的c3至c24碳环基、取代或未取代的c2至c24杂环基；

160、其中r1、r2、r3和r4上的取代基独立地选自吸电子基团、卤素、f、cn、cf3、全氟化的c1至c8烷基；

161、其中a1、a2、a3和a4中的两个一起任选地与z形成取代或未取代的环，其中

162、环上的取代基独立地选自h、d、吸电子基团、cn、cf3、取代或未取代的芳基、取代或未取代的杂芳基、取代或未取代的烷基、取代或未取代的碳环基或者取代或未取代的杂环基；

163、ra、rb、rc和rd独立地选自h、d、吸电子基团、卤素、取代或未取代的芳基、取代或未取代的烷基、取代或未取代的碳环基、取代或未取代的杂环基，优选f、cl、cn、cf3、取代或未取代的c6至c24芳基、取代或未取代的c2至c24杂芳基、取代或未取代的c1至c12烷基、取代或未取代的c3至c24碳环基、取代或未取代的c2至c24杂环基，

164、其中ra、rb、rc和rd上的取代基独立地选自吸电子基团、卤素、f、cn、cf3、全氟化的c1至c8烷基；

165、其中

166、ra、rb、rc和rd中的至少一个选自取代或未取代的芳基、取代或未取代的c6至c24芳基、取代或未取代的c2至c24杂芳基、取代或未取代的烷基、取代或未取代的c1至c12烷基、取代或未取代的碳环基、取代或未取代的c3至c24碳环基、取代或未取代的杂环基、取代或未取代的c2至c24杂环基；

167、其中ra、rb、rc和rd上的取代基独立地选自吸电子基团、卤素、f、cn、cf3、全氟化的c1至c8烷基；

168、其中

169、ra、rb、rc和rd中的两个可彼此独立地与z形成环，

170、其中环上的取代基独立地选自h、d、吸电子基团、cn、cf3、取代或未取代的芳基、取代或未取代的杂芳基、取代或未取代的烷基、取代或未取代的碳环基或者取代或未取代的杂环基；

171、其中

172、配体为单阴离子配体。

173、根据有源矩阵oled显示器的另一个实施方式，其中z选自cr1、o、n、b；优选z选自cr1、n、o；更优选z选自cr1或n；最优选z选自cr1。

174、根据有源矩阵oled显示器的另一个实施方式，其中a1、a2、a3和a4独立地选自c＝o、c-o、so或so2；优选a1、a2、a3和a4独立地选自c＝o、c-o或so2。

175、根据有源矩阵oled显示器的另一个实施方式，其中

176、-如果ra、rb、rc和rd独立地或相同地选自芳基、烷基或碳环基，则芳基、烷基、碳环基、杂环基或杂芳基中的至少一个是被取代的；或

177、-如果ra、rb、rc和rd独立地或相同地选自芳基、烷基、碳环基、杂环基或杂芳基，则芳基、烷基、碳环基、杂环基或杂芳基中的至少一个是被取代的。

178、根据有源矩阵oled显示器的另一个实施方式，其中

179、-至少一个ra、rb、rc和rd独立地选自吸电子基团、卤素、f、cl、cn、cf3、取代的芳基、取代的c6至c24芳基、取代的c2至c24杂芳基、取代的烷基、取代的c1至c12烷基、取代的碳环基、取代的c3至c24碳环基、取代的杂环基、取代的c2至c24杂环基；并且ra、rb、rc和rd中其余的独立地选自h、d、吸电子基团、卤素、f、cl、cn、cf3、取代或未取代的芳基、取代或未取代的c6至c24芳基、取代或未取代的c2至c24杂芳基、取代或未取代的烷基、取代或未取代的c1至c12烷基、取代或未取代的碳环基、取代或未取代的c3至c24碳环基、取代或未取代的杂环基、取代或未取代的c2至c24杂环基；或

180、-ra、rb、rc和rd独立地选自吸电子基团、卤素、f、cl、cn、cf3、取代的芳基、取代的c6至c24芳基、取代的c2至c24杂芳基、取代的烷基、取代的c1至c12烷基、取代的碳环基、取代的c3至c24碳环基、取代的杂环基、取代的c2至c24杂环基；或

181、-ra、rb、rc和rd中的至少一个独立地选自吸电子基团、f、cn、cf3、取代的芳基、取代的c6至c24芳基、取代的c2至c24杂芳基、取代的烷基、取代的c1至c12烷基、取代的碳环基、取代的c3至c24碳环基、取代的杂环基、取代的c2至c24杂环基；或

182、-如果z是cr1或n，则ra、rb、rc和rd中的至少一个选自取代或未取代的芳基以及取代或未取代的杂芳基；或

183、-如果z为cr1或n，则ra、rb、rc和rd中的至少一个选自取代的芳基以及取代或未取代的杂芳基；或

184、-如果z为cr1或n，则ra、rb、rc和rd中的至少一个选自取代的芳基以及取代的杂芳基。

185、根据有源矩阵oled显示器的另一个实施方式，其中空穴注入金属化合物包含至少一种配体，其中配体由式(i)表示：

186、其中

187、m为1，n选自0或1，q为0且p为0；

188、r为1，s选自0或1，t为0且u为0；

189、z选自cr1、o、n；

190、如果z为o，则n为0且s为0；

191、其中

192、a1和a2独立地选自c＝o、c-o、so2，

193、r1独立地选自h、d、吸电子基团、卤素、取代或未取代的芳基、取代或未取代的烷基、取代或未取代的碳环基、取代或未取代的杂环基，优选h、d、f、cl、cn、cf3、取代或未取代的c6至c24芳基、取代或未取代的c2至c24杂芳基、取代或未取代的c1至c12烷基、取代或未取代的c3至c24碳环基、取代或未取代的c2至c24杂环基；其中

194、r1上的取代基独立地选自吸电子基团、卤素、f、cn、cf3、全氟化的c1至c8烷基；

195、其中

196、a1和a2中的两个一起任选地彼此独立地与z形成取代或未取代的环；

197、其中环上的取代基独立地选自h、d、吸电子基团、cn、cf3、取代或未取代的芳基、取代或未取代的杂芳基、取代或未取代的烷基、取代或未取代的碳环基、或者取代或未取代的杂环基；

198、其中

199、ra、rb、rc和rd独立地选自h、d、吸电子基团、卤素、取代或未取代的芳基、取代或未取代的烷基、取代或未取代的碳环基、取代或未取代的杂环基，优选h、d、f、cl、cn、cf3、取代或未取代的c6至c24芳基、取代或未取代的c2至c24杂芳基、取代或未取代的c3至c24碳环基、取代或未取代的c1至c12烷基、取代或未取代的c2至c24杂环基；

200、其中ra、rb、rc和rd上的取代基独立地选自吸电子基团、卤素、f、cn、cf3、全氟化的c1至c8烷基；

201、其中

202、ra和rb中的至少一个选自取代或未取代的芳基、取代或未取代的c6至c24芳基、取代或未取代的c2至c24杂芳基、取代或未取代的烷基、取代或未取代的c1至c12烷基、取代或未取代的碳环基、取代或未取代的c3至c24碳环基、取代或未取代的杂环基、取代或未取代的c2至c24杂环基；

203、其中ra和rb上的取代基独立地选自吸电子基团、卤素、f、cn、cf3、全氟化的c1至c8烷基；

204、其中

205、ra和rb中的两个任选独立地选择与z形成环，

206、其中环上的取代基独立地选自h、d、吸电子基团、cn、cf3、取代或未取代的芳基、取代或未取代的杂芳基、取代或未取代的烷基、取代或未取代的碳环基、或者取代或未取代的杂环基；并且

207、其中配体为单阴离子配体。

208、根据有源矩阵oled显示器的另一个实施方式，其中空穴注入金属化合物包含至少一种配体，其中配体由式(i)表示：

209、其中

210、m为1，n选自1，q为0且p为0；

211、r为1，s为1；

212、z选自cr1或n；

213、a1和a2独立地选自c＝o、c-o、so2，

214、r1独立地选自h、d、吸电子基团、卤素、取代或未取代的芳基、取代或未取代的烷基、取代或未取代的碳环基、取代或未取代的杂环基，优选h、d、f、cl、cn、cf3、取代或未取代的c6至c24芳基、取代或未取代的c2至c24杂芳基、取代或未取代的c1至c12烷基、取代或未取代的c3至c24碳环基、取代或未取代的c2至c24杂环基；其中

215、r1上的取代基独立地选自吸电子基团、卤素、f、cn、cf3、全氟化的c1至c8烷基；

216、其中

217、a1和a2中的两个任选彼此独立地选择与z一起形成取代或未取代的环；

218、其中环上的取代基独立地选自h、d、吸电子基团、cn、cf3、取代或未取代的芳基、取代或未取代的杂芳基、取代或未取代的烷基、取代或未取代的碳环基或者取代或未取代的杂环基；

219、其中

220、ra、rb、rc和rd独立地选自h、d、吸电子基团、卤素、f、cl、cn、cf3、取代或未取代的芳基、取代或未取代的c6至c24芳基、取代或未取代的c2至c24杂芳基、取代或未取代的烷基、取代或未取代的c1至c12烷基、取代或未取代的碳环基、取代或未取代的c3至c24碳环基、取代或未取代的杂环基、取代或未取代的c2至c24杂环基；

221、其中ra、rb、rc和rd上的取代基独立地选自吸电子基团、卤素、f、cn、cf3、全氟化的c1至c8烷基；

222、其中

223、ra和rb任选地与z形成环，

224、其中环上的取代基独立地选自h、d、吸电子基团、cn、cf3、取代或未取代的芳基、取代或未取代的杂芳基、取代或未取代的烷基、取代或未取代的碳环基、或者取代或未取代的杂环基；

225、其中配体为单阴离子配体。

226、根据有源矩阵oled显示器的另一个实施方式，其中空穴注入金属化合物包含至少一种配体，其中配体由式(i)表示：

227、其中

228、m为1，n选自1，q为0且p为0；

229、r为1，s为1；

230、z选自cr1；

231、a1和a2独立地选自c＝o、c-o、so2，

232、r1独立地选自h、d、吸电子基团、卤素、取代或未取代的芳基、取代或未取代的烷基、取代或未取代的碳环基、取代或未取代的杂环基，优选h、d、f、cl、cn、cf3、取代或未取代的c6至c24芳基、取代或未取代的c2至c24杂芳基、取代或未取代的c1至c12烷基、取代或未取代的c3至c24碳环基、取代或未取代的c2至c24杂环基；其中

233、r1上的取代基独立地选自吸电子基团、卤素、f、cn、cf3、全氟化的c1至c8烷基；

234、其中

235、a1和a2中的两个任选彼此独立地与z一起形成取代或未取代的环；

236、其中环上的取代基独立地选自h、d、吸电子基团、cn、cf3、取代或未取代的芳基、取代或未取代的杂芳基、取代或未取代的烷基、取代或未取代的碳环基或者取代或未取代的杂环基；

237、其中

238、ra、rb、rc和rd独立地选自h、d、吸电子基团、卤素、f、cl、cn、cf3、取代或未取代的芳基、取代或未取代的c6至c24芳基、取代或未取代的c2至c24杂芳基、取代或未取代的烷基、取代或未取代的c1至c12烷基、取代或未取代的碳环基、取代或未取代的c3至c24碳环基、取代或未取代的杂环基、取代或未取代的c2至c24杂环基；

239、其中ra、rb、rc和rd上的取代基独立地选自吸电子基团、卤素、f、cn、cf3、全氟化的c1至c8烷基；

240、其中

241、ra和rb任选地与z形成环，

242、其中环上的取代基独立地选自h、d、吸电子基团、cn、cf3、取代或未取代的芳基、取代或未取代的杂芳基、取代或未取代的烷基、取代或未取代的碳环基或者取代或未取代的杂环基；

243、其中配体为单阴离子配体。

244、根据有源矩阵oled显示器的另一个实施方式，其中空穴注入金属化合物选自化合物e1至e21：

245、

246、

247、根据有源矩阵oled显示器的另一个实施方式，其中公共的第一半导体层与阳极层直接接触，其中公共的第二半导体层设置在第一半导体层和发射层之间。

248、在有源矩阵oled显示器的另一个实施方式中，其中公共的第二半导体层为公共的空穴传输层或公共的电子阻挡层，公共的第一半导体层为公共的空穴注入层并且与公共的第二半导体层直接接触，所述公共的第二半导体层为公共的空穴传输层或公共的电子阻挡层，优选公共的空穴传输层。

249、根据有源矩阵oled显示器的另一个实施方式，其中多个公共的半导体层另外包含公共的第三半导体层，其中公共的第一半导体层(其为公共的第一空穴注入层)、公共的第二半导体层(其为公共的空穴传输层或公共的电子阻挡层)与公共的第三半导体层一起的薄层电阻≥50吉欧姆每平方。

250、根据有源矩阵oled显示器的另一个实施方式，其中多个公共的半导体层另外包含公共的第三半导体层，其中公共的第一半导体层(其为公共的第一空穴注入层)、公共的第二半导体层(其为公共的空穴传输层或公共的电子阻挡层)与公共的第三半导体层一起的薄层电阻≥50吉欧姆每平方，其中公共的第一半导体层、公共的第二半导体层和公共的第三半导体层的薄层电阻单独一起测量。

251、根据有源矩阵oled显示器的另一个实施方式，其中多个公共的半导体层另外包含公共的第三半导体层，其中公共的第一半导体层(其为公共的第一空穴注入层)、公共的第二半导体层(其为公共的空穴传输层或公共的电子阻挡层)与公共的第三半导体层一起的薄层电阻≥50吉欧姆每平方，其中公共的第一半导体层、公共的第二半导体层和公共的第三半导体层的薄层电阻单独一起测量，其中为了测量薄层电阻，将公共的第三半导体层直接沉积在公共的第二半导体层上，将公共的第二半导体层直接沉积在公共的第一半导体层上，并且将公共的第一半导体层上直接沉积在测量电极、优选ito电极上。

252、根据有源矩阵oled显示器的另一个实施方式，其中多个公共的半导体层另外包含公共的第三半导体层，其中公共的第一半导体层(其为公共的第一空穴注入层)、公共的第二半导体层(其为公共的空穴传输层或公共的电子阻挡层)与公共的第三半导体层一起的薄层电阻选自≥100吉欧姆每平方、≥200吉欧姆每平方、≥300吉欧姆每平方、≥400吉欧姆每平方、≥500吉欧姆每平方、≥1000吉欧姆每平方、≥2500吉欧姆每平方、≥5000吉欧姆每平方、≥10000吉欧姆每平方、≥20000吉欧姆每平方、≥30000吉欧姆每平方、≥40000吉欧姆每平方或者≥50000吉欧姆每平方。

253、根据有源矩阵oled显示器的另一个实施方式，其中多个公共的半导体层另外包含公共的第三半导体层，其中公共的第一半导体层(其为公共的第一空穴注入层)、公共的第二半导体层(其为公共的空穴传输层或公共的电子阻挡层)与公共的第三半导体层一起的薄层电阻选自≥100吉欧姆每平方、≥200吉欧姆每平方、≥300吉欧姆每平方、≥400吉欧姆每平方、≥500吉欧姆每平方、≥1000吉欧姆每平方、≥2500吉欧姆每平方、≥5000吉欧姆每平方、≥10000吉欧姆每平方、≥20000吉欧姆每平方、≥30000吉欧姆每平方，≥40000吉欧姆每平方或者≥50000吉欧姆每平方，其中公共的第一半导体层、公共的第二半导体层和公共的第三半导体层的薄层电阻单独一起测量。

254、根据有源矩阵oled显示器的另一个实施方式，其中多个公共的半导体层另外包含公共的第三半导体层，其中公共的第一半导体层(其为公共的第一空穴注入层)、公共的第二半导体层(其为公共的空穴传输层或公共的电子阻挡层)与公共的第三半导体层一起的薄层电阻选自≥100吉欧姆每平方、≥200吉欧姆每平方、≥300吉欧姆每平方、≥400吉欧姆每平方、≥500吉欧姆每平方、≥1000吉欧姆每平方、≥2500吉欧姆每平方、≥5000吉欧姆每平方、≥10000吉欧姆每平方、≥20000吉欧姆每平方、≥30000吉欧姆每平方，≥40000吉欧姆每平方或者≥50000吉欧姆每平方，其中公共的第一半导体层、公共的第二半导体层和公共的第三半导体层的薄层电阻单独一起测量，其中为了测量薄层电阻，将公共的第三半导体层直接沉积在公共的第二半导体层上，将公共的第二半导体层直接沉积在公共的第一半导体层上，并且将公共的第一半导体层直接沉积在测量电极、优选ito电极上。

255、根据有源矩阵oled显示器的另一个实施方式，其中公共的第三半导体层为公共的电子阻挡层，其中公共的第一半导体层为公共的空穴注入层，并且公共的第二半导体层为公共的空穴传输层；并且其中公共的第一半导体层(其为公共的空穴注入层)和公共的第二半导体层(其为公共的空穴传输层)与公共的第三半导体层(其为公共的电子阻挡层)一起的薄层电阻≥50吉欧姆每平方。

256、根据有源矩阵oled显示器的另一个实施方式，其中公共的第三半导体层为公共的电子阻挡层，其中公共的第一半导体层为公共的空穴注入层，并且公共的第二半导体层为公共的空穴传输层；并且其中公共的第一半导体层(其为公共的空穴注入层)和公共的第二半导体层(其为公共的空穴传输层)与公共的第三半导体层(其为公共的电子阻挡层)一起的薄层电阻≥50吉欧姆每平方，其中公共的第一半导体层、公共的第二半导体层和公共的第三半导体层的薄层电阻单独一起测量。

257、根据有源矩阵oled显示器的另一个实施方式，其中公共的第三半导体层为公共的电子阻挡层，其中公共的第一半导体层为公共的空穴注入层，并且公共的第二半导体层为公共的空穴传输层；并且其中公共的第一半导体层(其为公共的空穴注入层)和公共的第二半导体层(其为公共的空穴传输层)与公共的第三半导体层(其为公共的电子阻挡层)一起的薄层电阻≥50吉欧姆每平方，其中公共的第一半导体层、公共的第二半导体层和公共的第三半导体层的薄层电阻单独一起测量，其中为了测量薄层电阻，将公共的第三半导体层直接沉积在公共的第二半导体层上，将公共的第二半导体层直接沉积在公共的第一半导体层上，并且将公共的第一半导体层直接沉积在测量电极、优选ito电极上。

258、根据有源矩阵oled显示器的另一个实施方式，其中公共的第三半导体层为公共的电子阻挡层，其中公共的第一半导体层为公共的空穴注入层，并且公共的第二半导体层为公共的空穴传输层；并且其中公共的第一半导体层(其为公共的空穴注入层)和公共的第二半导体层(其为公共的空穴传输层)与公共的第三半导体层(其为公共的电子阻挡层)一起的薄层电阻选自≥100吉欧姆每平方、≥200吉欧姆每平方、≥300吉欧姆每平方、≥400吉欧姆每平方、≥500吉欧姆每平方、≥1000吉欧姆每平方、≥2500吉欧姆每平方、≥5000吉欧姆每平方、≥10000吉欧姆每平方、≥20000吉欧姆每平方、≥30000吉欧姆每平方、≥40000吉欧姆每平方或者≥50000吉欧姆每平方。

259、根据有源矩阵oled显示器的另一个实施方式，其中公共的第三半导体层为公共的电子阻挡层，其中公共的第一半导体层为公共的空穴注入层，并且公共的第二半导体层为公共的空穴传输层；并且其中公共的第一半导体层(其为公共的空穴注入层)和公共的第二半导体层(其为公共的空穴传输层)与公共的第三半导体层(其为公共的电子阻挡层)一起的薄层电阻选自≥100吉欧姆每平方、≥200吉欧姆每平方、≥300吉欧姆每平方、≥400吉欧姆每平方、≥500吉欧姆每平方、≥1000吉欧姆每平方、≥2500吉欧姆每平方、≥5000吉欧姆每平方、≥10000吉欧姆每平方、≥20000吉欧姆每平方、≥30000吉欧姆每平方、≥40000吉欧姆每平方或者≥50000吉欧姆每平方，其中公共的第一半导体、公共的第二半导体层和公共的第三半导体层的薄层电阻单独一起测量。

260、根据有源矩阵oled显示器的另一个实施方式，其中公共的第三半导体层为公共的电子阻挡层，其中公共的第一半导体层为公共的空穴注入层，并且公共的第二半导体层为公共的空穴传输层；并且其中公共的第一半导体层(其为公共的空穴注入层)和公共的第二半导体层(其为公共的空穴传输层)与公共的第三半导体层(其为公共的电子阻挡层)一起的薄层电阻选自≥100吉欧姆每平方、≥200吉欧姆每平方、≥300吉欧姆每平方、≥400吉欧姆每平方、≥500吉欧姆每平方、≥1000吉欧姆每平方、≥2500吉欧姆每平方、≥5000吉欧姆每平方、≥10000吉欧姆每平方、≥20000吉欧姆每平方、≥30000吉欧姆每平方、≥40000吉欧姆每平方或者≥50000吉欧姆每平方，其中公共的第一半导体、公共的第二半导体层和公共的第三半导体层的薄层电阻单独一起测量，其中为了测量薄层电阻，将公共的第三半导体层直接沉积在公共的第二半导体层上，将公共的第二半导体层直接沉积在公共的第一半导体层上，并且将公共的第一半导体层直接沉积在测量电极、优选ito电极上。

261、根据有源矩阵oled显示器的另一个实施方式，其中公共的第三半导体层(其为公共的电子阻挡层)设置在公共的第二半导体层(其为公共的空穴传输层)与发射层之间。

262、根据有源矩阵oled显示器的另一个实施方式，其中各像素的发射层掺杂有颜色定义的发射体掺杂剂，其中颜色定义的发射体掺杂剂的颜色为各像素独立地选择或者选择相同的颜色。

263、根据有源矩阵oled显示器的另一个实施方式，其中第一oled像素的阳极层与第二oled像素的阳极层由像素定义层隔开，使得第一oled像素的阳极层与第二oled像素的阳极层不形成为公共的层并且彼此不接触，优选多个oled像素的阳极层不形成为公共的层并且彼此不接触；优选其中每个单独的像素具有其自己的不与其它单独像素的阳极接触的阳极。

264、根据有源矩阵oled显示器的另一个实施方式，其中公共的第一半导体层(其为第一空穴注入层)至少部分地设置成与阳极层直接接触，并且公共的第二空穴传输层设置在公共的发射层与公共的第一空穴注入层之间。

265、根据有源矩阵oled显示器的另一个实施方式，其中公共的第一空穴注入层、公共的第二半导体层、公共的第三半导体层与公共的发射层一起的薄层电阻≥50吉欧姆每平方。

266、根据有源矩阵oled显示器的另一个实施方式，其中公共的第一空穴注入层、公共的第二半导体层、公共的第三半导体层与发射层一起的薄层电阻≥50吉欧姆每平方。

267、根据有源矩阵oled显示器的另一个实施方式，其中公共的第一空穴注入层、公共的第二半导体层、公共的第三半导体层与发射层一起的薄层电阻≥50吉欧姆每平方，其中公共的第一半导体层、公共的第二半导体层、公共的第三半导体层和发射层的薄层电阻单独一起测量。

268、根据有源矩阵oled显示器的另一个实施方式，其中公共的第一空穴注入层、公共的第二半导体层、公共的第三半导体层与发射层一起的薄层电阻≥50吉欧姆每平方，其中公共的第一半导体层、公共的第二半导体层、公共的第三半导体层和发射层的薄层电阻单独一起测量，其中为了测量薄层电阻，将发射层直接沉积在公共的第三半导体层上，将公共的第三半导体层直接沉积在公共的第二半导体层上，将公共的第二半导体层直接沉积在公共的第一空穴注入层上，并且将公共的第一空穴注入层直接沉积在测量电极、优选ito电极上。

269、根据有源矩阵oled显示器的另一个实施方式，其中公共的第一空穴注入层、公共的第二半导体层、公共的第三半导体层与公共的发射层一起的薄层电阻≥50吉欧姆每平方，其中公共的第一半导体层、公共的第二半导体层、公共的第三半导体层和公共的发射层的薄层电阻单独一起测量。

270、根据有源矩阵oled显示器的另一个实施方式，其中公共的第一空穴注入层、公共的第二半导体层、公共的第三半导体层与公共的发射层一起的薄层电阻≥50吉欧姆每平方，其中公共的第一半导体层、公共的第二半导体层、公共的第三半导体层和公共的发射层的薄层电阻单独一起测量，其中为了测量薄层电阻，将公共的发射层直接沉积在公共的第三半导体层上，将公共的第三半导体层直接沉积在公共的第二半导体层上，将公共的第二半导体层直接沉积在公共的第一空穴注入层上，并且将公共的第一空穴注入层直接沉积在测量电极、优选ito电极上。

271、根据有源矩阵oled显示器的另一个实施方式，其中公共的第一空穴注入层、公共的第二半导体层、公共的第三半导体层与公共的发射层一起的薄层电阻选自≥100吉欧姆每平方、≥200吉欧姆每平方、≥300吉欧姆每平方、≥400吉欧姆每平方、≥500吉欧姆每平方、≥1000吉欧姆每平方、≥2500吉欧姆每平方、≥5000吉欧姆每平方、≥10000吉欧姆每平方、≥20000吉欧姆每平方、≥30000吉欧姆每平方、≥40000吉欧姆每平方或者≥50000吉欧姆每平方。

272、根据有源矩阵oled显示器的另一个实施方式，其中公共的第一空穴注入层、公共的第二半导体层、公共的第三半导体层与公共的发射层一起的薄层电阻选自≥100吉欧姆每平方、≥200吉欧姆每平方、≥300吉欧姆每平方、≥400吉欧姆每平方、≥500吉欧姆每平方、≥1000吉欧姆每平方、≥2500吉欧姆每平方、≥5000吉欧姆每平方、≥10000吉欧姆每平方、≥20000吉欧姆每平方、≥30000吉欧姆每平方、≥40000吉欧姆每平方或者≥50000吉欧姆每平方，

273、其中公共的第一半导体层、公共的第二半导体层、公共的第三半导体层和发射层的薄层电阻单独一起测量。

274、根据有源矩阵oled显示器的另一个实施方式，其中公共的第一空穴注入层、公共的第二半导体层、公共的第三半导体层与公共的发射层一起的薄层电阻选自≥100吉欧姆每平方、≥200吉欧姆每平方、≥300吉欧姆每平方、≥400吉欧姆每平方、≥500吉欧姆每平方、≥1000吉欧姆每平方、≥2500吉欧姆每平方、≥5000吉欧姆每平方、≥10000吉欧姆每平方、≥20000吉欧姆每平方、≥30000吉欧姆每平方、≥40000吉欧姆每平方或者≥50000吉欧姆每平方，

275、其中公共的第一半导体层、公共的第二半导体层、公共的第三半导体层和发射层的薄层电阻单独一起测量，其中为了测量薄层电阻，将公共的发射层直接沉积在公共的第三半导体层上，将公共的第三半导体层直接沉积在公共的第二半导体层上，将公共的第二半导体层直接沉积在公共的第一空穴注入层上，并且将公共的第一空穴注入层直接沉积在测量电极、优选ito电极上。

276、根据有源矩阵oled显示器的另一个实施方式，其中公共的第一空穴注入层、公共的第二半导体层、公共的第三半导体层与公共的发射层一起的薄层电阻选自≥100吉欧姆每平方、≥200吉欧姆每平方、≥300吉欧姆每平方、≥400吉欧姆每平方、≥500吉欧姆每平方、≥1000吉欧姆每平方、≥2500吉欧姆每平方、≥5000吉欧姆每平方、≥10000吉欧姆每平方、≥20000吉欧姆每平方、≥30000吉欧姆每平方、≥40000吉欧姆每平方或者≥50000吉欧姆每平方，

277、其中公共的第一半导体层、公共的第二半导体层、公共的第三半导体层和公共的发射层的薄层电阻单独一起测量。

278、根据有源矩阵oled显示器的另一个实施方式，其中公共的第一空穴注入层、公共的第二半导体层、公共的第三半导体层与公共的发射层一起的薄层电阻选自≥100吉欧姆每平方、≥200吉欧姆每平方、≥300吉欧姆每平方、≥400吉欧姆每平方、≥500吉欧姆每平方、≥1000吉欧姆每平方、≥2500吉欧姆每平方、≥5000吉欧姆每平方、≥10000吉欧姆每平方、≥20000吉欧姆每平方、≥30000吉欧姆每平方、≥40000吉欧姆每平方或者≥50000吉欧姆每平方，

279、其中公共的第一半导体层、公共的第二半导体层、公共的第三半导体层和公共的发射层的薄层电阻单独一起测量，其中对于薄膜电阻的测量，将公共的发射层直接沉积在公共的第三半导体层上，将公共的第三半导体层直接沉积在公共的第二半导体层上，将公共的第二半导体层直接沉积在公共的第一空穴注入层上，并且将公共的第一空穴注入层直接沉积在测量电极、优选ito电极上。

280、根据有源矩阵oled显示器的另一个实施方式，其中有源矩阵oled显示器包含：

281、多个oled像素，其中各像素本身包含有机层的叠层，并且有机层的叠层的各层可形成公共的半导体层，其中至少第一oled像素和第二oled像素各自包含阳极层，其中

282、第二oled像素和第一oled像素的阳极层任选地由像素定义层隔开，并且其中至少第一oled像素和至少第二oled像素包含公共的阴极层和至少一个包含多个半导体层的有机层的叠层，并且多个半导体层包含至少两个或更多个公共的半导体层，其中

283、公共的有机层的叠层设置在公共的阴极层与阳极层之间，并且其中

284、多个公共的半导体层包含至少公共的第一半导体层和至少公共的第二半导体层，所述公共的第一半导体层包含至少一种空穴注入金属化合物，其中

285、公共的第一半导体层至少部分地设置成与阳极层直接接触并且公共的第二半导体层设置在发射层(其优选公共的发射层)与公共的第一半导体层(其优选空穴注入层)之间；

286、并且其中公共的第一半导体层包含至少一种空穴注入金属化合物，并且其中公共的第一半导体层(优选公共的空穴注入层)与公共的第二半导体层(优选公共的空穴传输层)一起的薄层电阻≥50吉欧姆每平方。

287、根据有源矩阵oled显示器的另一个实施方式，其中有源矩阵oled显示器包含：

288、多个oled像素，其中各像素本身包含有机层的叠层，并且有机层的叠层的各层可形成公共的半导体层，其中至少第一oled像素和第二oled像素各自包含阳极层，其中

289、第二oled像素和第一oled像素的阳极层任选地由像素定义层隔开，并且其中至少第一oled像素和至少第二oled像素包含公共的阴极层和至少一个包含多个半导体层的有机层的叠层，并且多个半导体层包含至少两个或更多个公共的半导体层，其中

290、公共的有机层的叠层设置在公共的阴极层与阳极层之间，并且其中

291、多个公共的半导体层包含至少公共的第一半导体层和至少公共的第二半导体层，所述公共的第一半导体层包含至少一种空穴注入金属化合物，其中

292、公共的第一半导体层至少部分地设置成与阳极层直接接触并且公共的第二半导体层设置在发射层(其优选公共的发射层)与公共的第一半导体层(其优选空穴注入层)之间；

293、并且其中公共的第一半导体层包含至少一种空穴注入金属化合物，并且其中公共的第一半导体层(优选公共的空穴注入层)与公共的第二半导体层(优选公共的空穴传输层)一起的薄层电阻≥50吉欧姆每平方，其中第一公共的半导体层和第二公共的半导体层的薄层电阻单独一起测量。

294、根据有源矩阵oled显示器的另一个实施方式，其中有源矩阵oled显示器包含：

295、多个oled像素，其中各像素本身包含有机层的叠层，并且有机层的叠层的各层可形成公共的半导体层，其中至少第一oled像素和第二oled像素各自包含阳极层，其中

296、第二oled像素和第一oled像素的阳极层任选地由像素定义层隔开，并且其中至少第一oled像素和至少第二oled像素包含公共的阴极层和至少一个包含多个半导体层的有机层的叠层，并且多个半导体层包含至少两个或更多个公共的半导体层，其中

297、公共的有机层的叠层设置在公共的阴极层与阳极层之间，并且其中

298、多个公共的半导体层包含至少公共的第一半导体层和至少公共的第二半导体层，所述公共的第一半导体层包含至少一种空穴注入金属化合物，其中

299、公共的第一半导体层至少部分地设置成与阳极层直接接触并且公共的第二半导体层设置在发射层(其优选公共的发射层)与公共的第一半导体层(其优选空穴注入层)之间；

300、并且其中公共的第一半导体层包含至少一种空穴注入金属化合物，并且其中公共的第一半导体层(优选公共的空穴注入层)与公共的第二半导体层(优选公共的空穴传输层)一起的薄层电阻≥50吉欧姆每平方，其中第一公共的半导体层和第二公共的半导体层的薄层电阻单独一起测量，其中为了测量薄层电阻，将公共的第二半导体层直接沉积在公共的第一半导体层上，并且将公共的第一半导体层直接沉积在测量电极、优选ito电极上。

301、根据有源矩阵oled显示器的另一个实施方式，其中空穴注入金属化合物选自包含至少一种金属阳离子和至少一种配体或者包含至少一种金属阳离子、至少一种配体和另外的至少一个碳原子、两个碳原子、三个碳原子或四个碳原子的化合物。

302、根据有源矩阵oled显示器的另一个实施方式，其中空穴注入金属化合物可以包含金属阳离子作为金属m，其优选选自碱金属、碱土金属、pb、mn、fe、co、ni、cu、zn、cd；处于氧化态(ii)、(iii)或(iv)的稀土金属；al、ga、in、bi；以及选自处于氧化态(iv)以下的sn、ti、zr、hf、v、nb、ta、cr、mo、ru、ir、ag、au和w；优选空穴注入金属化合物的金属阳离子选自li(i)、na(i)、k(i)、rb(i)、cs(i)；mg(ii)、ca(ii)、sr(ii)、ba(ii)、sn(ii)、pb(ii)、mn(ii)、mn(iii)、fe(ii)、fe(iii)、co(ii)、co(iii)、ni(ii)、cu(i)、cu(ii)、zn(ii)、cd(ii)、al(iii)、ag(i)、ag(ii)、au(i)、au(iii)；处于氧化态(iii)的稀土金属、处于氧化态(iv)的稀土金属、ce(iv)、v(iii)、nb(iii)、ta(iii)、cr(iii)、mo(iii)、w(iii)、ga(iii)、in(iii)以及选自ti(iv)、zr(iv)、hf(iv)、sn(iv)；更优选空穴注入金属化合物的金属阳离子选自li(i)、na(i)、k(i)、rb(i)、cs(i)；mg(ii)、ca(ii)、mn(iii)、fe(ii)、fe(iii)、co(ii)、ni(ii)、cu(ii)、zn(ii)、al(iii)、ag(i)、bi(iii)和ce(iv)。

303、根据有源矩阵oled显示器的另一个实施方式，其中空穴注入金属化合物包含：

304、-至少一种配体、优选至少一种阴离子配体，该配体包含≥5个、优选≥6个、更优选≥7个、甚至更优选≥8个、最优选至少≥9个共价结合的原子；和/或

305、-至少一种配体，该配体包含≥2个碳原子、≥3个碳原子或≥4个碳原子。

306、根据有源矩阵oled显示器的另一个实施方式，其中空穴注入金属化合物(优选包含作为阴离子配体的配体)的homo能级高于或等于阳极层的费米能级且小于-0.7ev，其中呈其中性自由基形式的阴离子配体的homo能级小于-5.8ev，并且其中呈其中性自由基形式的阴离子配体的lumo能级小于-3.90ev，其中lumo能级和homo能级以参照真空能级为零的绝对标度来表达，使用程序包turbomole v6.5中实施的杂化泛函b3lyp和高斯6-31g*基组进行计算；优选阴离子配体的homo能级水平高于或等于阳极层的费米能级且小于-0.8ev、小于-0.9ev、小于-1.0ev、小于-1.1ev、小于-1.2ev或小于-1.3ev，进一步优选呈其中性自由基形式的阴离子配体的homo能级小于-5.8ev、小于-5.9ev、小于-6.0ev、小于-6.1ev、小于-6.2ev、小于-6.3ev、小于-6.4ev、小于-6.5ev、小于-6.6ev、小于-6.7ev、小于-6.8ev、小于-6.9ev或者等于或小于-7.0ev。

307、根据有源矩阵oled显示器的另一个实施方式，其中公共的第一半导体层(优选公共的空穴注入层)与公共的第二半导体层(优选公共的空穴传输层)一起的薄层电阻选自≥100吉欧姆每平方、≥200吉欧姆每平方、≥300吉欧姆每平方、≥400吉欧姆每平方、≥500吉欧姆每平方、≥1000吉欧姆每平方、≥2500吉欧姆每平方、≥5000吉欧姆每平方、≥10000吉欧姆每平方、≥20000吉欧姆每平方、≥30000吉欧姆每平方、≥40000吉欧姆每平方或者≥50000吉欧姆每平方。

308、根据有源矩阵oled显示器的另一个实施方式，其中公共的第一半导体层(优选公共的空穴注入层)与公共的第二半导体层(优选公共的空穴传输层)一起的薄层电阻选自≥100吉欧姆每平方、≥200吉欧姆每平方、≥300吉欧姆每平方、≥400吉欧姆每平方、≥500吉欧姆每平方、≥1000吉欧姆每平方、≥2500吉欧姆每平方、≥5000吉欧姆每平方、≥10000吉欧姆每平方、≥20000吉欧姆每平方、≥30000吉欧姆每平方、≥40000吉欧姆每平方或者≥50000吉欧姆每平方，其中公共的第一半导体层和公共的第二半导体层的薄层电阻单独一起测量。

309、根据有源矩阵oled显示器的另一个实施方式，其中公共的第一半导体层(优选公共的空穴注入层)与公共的第二半导体层(优选公共的空穴传输层)一起的薄层电阻选自≥100吉欧姆每平方、≥200吉欧姆每平方、≥300吉欧姆每平方、≥400吉欧姆每平方、≥500吉欧姆每平方、≥1000吉欧姆每平方、≥2500吉欧姆每平方、≥5000吉欧姆每平方、≥10000吉欧姆每平方、≥20000吉欧姆每平方、≥30000吉欧姆每平方、≥40000吉欧姆每平方或者≥50000吉欧姆每平方，其中公共的第一半导体层和公共的第二半导体层的薄层电阻单独一起测量，其中为了测量薄层电阻，将公共的第二半导体层直接沉积在公共的第一半导体层上，并且将公共的第一半导体层直接沉积在测量电极、优选ito电极上。

310、根据有源矩阵oled显示器的另一个实施方式，其中公共的有机层的叠层另外包含公共的电子传输层，优选公共的电子传输层设置在发射层与公共的阴极层之间。

311、根据有源矩阵oled显示器的另一个实施方式，其中公共的有机层的叠层另外包含公共的有机层，其选自包括公共的电子注入层、公共的空穴阻挡层和/或电子传输层的组，优选公共的电子注入层与公共的阴极层直接接触。

312、根据有源矩阵oled显示器的另一个实施方式，其中像素定义层不带正电和/或不是阳极或包含阳极材料，优选像素定义层包含si类化合物、sin、非带正电的低聚物和/或聚合物材料。

313、根据有源矩阵oled显示器的另一个实施方式，其中公共的第一半导体层、优选公共的第一空穴注入层的层厚度≥1nm且≤100nm、优选≥2nm且≤50nm、更优选≥3nm且≤40nm、更优选≥4nm且≤30nm、更优选≥5nm且≤20nm、更优选≥6nm且≤15nm、更优选≥8nm且≤10nm。

314、根据有源矩阵oled显示器的另一个实施方式，其中根据前述权利要求1至31中中的任一项所述的有源矩阵oled显示器，其中公共的第二半导体层、优选公共的空穴传输层的层厚度≥5nm且≤250nm、优选≥10nm且≤240nm、更优选≥15nm且≤230nm、更优选≥20nm且≤220nm、更优选≥25nm且≤210nm、更优选≥30nm且≤200nm、更优选≥35nm且≤190nm、更优选≥40nm且≤180nm、优选≥50nm且≤150nm。

315、根据有源矩阵oled显示器的另一个实施方式，其中公共的第二半导体层、优选公共的空穴传输层包含具有其最高占据分子轨道的能量为如下的空穴传输化合物：以参照真空能级为零的绝对标度来表达，使用程序包turbomole v6.5中实施的杂化泛函b3lyp和高斯6-31g*基组进行计算，在从<-4.27ev至≥-6.0ev、<-4.3ev至≥-5.5ev、优选<-4.5ev至≥-5.4ev、更优选从<-4.6ev至≥-5.3ev的范围内。

316、根据有源矩阵oled显示器的另一个实施方式，其中电子阻挡层包含具有其最高占据分子轨道的能量为如下的电子阻挡化合物：以参照真空能级为零的绝对标度来表达，使用程序软件包turbomole v6.5中实施的杂化泛函b3lyp和高斯6-31g*基组进行计算，在从<-4.7ev至≥-6.0ev、<-4.8ev至≥-5.5ev、优选<-4.9ev至≥-5.4ev、更优选从<-5.0ev至≥-5.3ev的范围内。

317、根据有源矩阵oled显示器的另一个实施方式，其中电子阻挡层的层厚度≥1nm且≤20nm、优选≥2nm且≤18nm、更优选≥3nm且≤16nm、更优选≥4nm且≤14nm、更优选≥5nm且≤12nm、更优选≥6nm且≤11nm、更优选≥7nm且≤10nm。

318、根据有源矩阵oled显示器的另一个实施方式，其中至少一个阳极层包含第一阳极子层和第二阳极子层，其中第一阳极子层包含逸出功在≥4且≤6ev范围内的第一金属，并且第二阳极子层包含透明导电氧化物；并且第二阳极子层设置成更靠近公共的空穴注入层。

319、根据有源矩阵oled显示器的另一个实施方式，其中有源矩阵oled显示器包含配置为分别驱动多个有机发光二极管像素的像素的驱动电路。

320、根据有源矩阵oled显示器的另一个实施方式，其中公共的第一半导体层由多个oled像素共享和/或公共的第二半导体层由多个oled像素共享，优选所有公共的半导体层由多个oled像素共享。

321、根据有源矩阵oled显示器的一个实施方式，其中公共的第一半导体层(其为公共的空穴注入层)可以包含具有最高占据能级e第一(homo)的空穴注入金属化合物，并且公共的第二半导体层(其优选公共的空穴传输层)可以包含具有最高占据能级e第二(homo)的空穴传输化合物，其中e第一(homo)≥e第二(homo)。公共的第二半导体层(其优选公共的空穴传输层)中的空穴传输化合物不是空穴注入金属化合物。

322、根据有源矩阵oled显示器的一个实施方式，其中公共的第三半导体层(其可以为公共的电子阻挡层)可以包含具有最低未占据能级e第三(lumo)的化合物，并且发射层可以包含具有最低未占据能级eeml(lumo)的化合物，其中e第三(lumo)≥eeml(lumo)，其中优选公共的第三半导体层中的化合物和发射层中的化合物不是空穴注入金属化合物。

323、根据有源矩阵oled显示器的一个实施方式，其中公共的第一半导体层(其为公共的空穴注入层)可以包含具有最高占据能级e第一(homo)的空穴注入金属化合物，公共的第二半导体层(其可以为公共的空穴传输层)可以包含具有最高占据能级e第二(homo)的空穴传输化合物，公共的第三半导体层(其可以为公共的电子阻挡层)可以包含具有最高占据能级e第三(homo)的电子阻挡化合物，其中e第一(homo)≥e第二(homo)≥e第三(homo)，其中公共的第二半导体层中的化合物和公共的第三半导体层中的化合物不是空穴注入金属化合物。

324、根据有源矩阵oled显示器的一个实施方式，其中公共的第一半导体层(其为公共的空穴注入)可以包含具有最高占据能级e第一(homo)的空穴注入金属化合物，公共的第二半导体层(其可以为公共的空穴传输层)可以包含具有最高占据能级e第二(homo)的空穴传输化合物，公共的第三半导体层(其可以为公共的电子阻挡层)可以包含具有最高占据能级e第三(homo)的电子阻挡化合物，其中e第一(homo)＝e第二(homo)>e第三(homo)，其中优选公共的第二半导体层中的化合物和公共的第三半导体层中的化合物不是空穴注入金属化合物。

325、根据有源矩阵oled显示器的一个实施方式，其中公共的第二半导体层(其可以为公共的空穴传输层)可以包含具有最高占据能级e第二(homo)和最低未占据能级e第二(lumo)的空穴传输化合物，公共的第三半导体层(其可以为公共的电子阻挡层)可以包含具有最高占据能级e第三(homo)和最低未占据能级e第三(lumo)的电子阻挡化合物，并且发射层可以包含具有最高占据能级eeml(homo)和最低未占据能级eeml(lumo)的化合物，其中

326、e第三(homo)-eeml(homo)<0.3ev

327、e第三(lumo)>eeml(lumo)

328、如果e第二(homo)>eeml(homo)，则e第二(homo)>e第三(homo)

329、并且

330、e第二(lumo)＞eeml(lumo)；其中优选公共的第二半导体层中的化合物、公共的第三半导体层中的化合物和发射层中的化合物不是空穴注入金属化合物。

331、空穴注入金属化合物

332、根据有源矩阵oled显示器的另一个实施方式，其中公共的空穴注入层包含空穴注入金属化合物(其为金属化合物)，其中金属化合物可以为金属络合物或共价金属化合物。

333、根据一个实施方式，其中空穴注入金属化合物包含至少一种金属，其中金属m的化合价可以为0、1、2、3或4，优选1、2、3或4。

334、根据一个实施方式，其中金属m的原子质量≥22da或者≥24da。

335、根据一个实施方式，其中金属m可以选自金属离子，其中相应金属的根据艾伦的电负性值小于2.4、优选小于2、更优选小于1.9。由此可以在有机电子器件中实现特别好的性能。

336、术语“根据艾伦的电负性”尤其是指allen，leland c.(1989年)。“electronegativity is the average one-electron energy of the valence-shellelectrons in ground-state free atoms”，journal of the american chemicalsociety.111(25):9003–9014。

337、根据一个实施方式，m的化合价n为1或2。

338、根据一个实施方式，其中金属m选自金属离子，其中相应金属的根据艾伦的电负性值小于2.4、优选小于2、更优选小于1.9，并且金属m的化合价为1或2。

339、根据一个实施方式，其中金属m选自碱金属、碱土金属、稀土金属或过渡金属，或者，m选自碱金属、碱土金属或者第4或5周期的过渡金属。

340、根据一个实施方式，其中金属m选自金属离子，其中相应金属的根据艾伦的电负性值小于2.4、优选小于2、更优选小于1.9，并且m选自碱金属、碱土金属、稀土金属或者第4或5周期的过渡金属，金属m的原子质量≥22da或者≥24da。

341、根据一个实施方式，其中金属m选自li、na、k、cs、mg、ca、sr、ba、al、in、bi、sc、ti、zr、hf、v、cr、mo、w、mn、re、fe、ru、co、rh、ir、ni、pd、pt、cu、ag、au、zn、la、ce、eu或yb，优选金属选自al，bi、cr、mn、fe、co、ni、cu、zn、mo、ag、re、au或ce，更优选金属选自al、mn、fe、cu、mo、ag、au或ce。

342、根据一个实施方式，其中金属m选自碱土金属、过渡金属或稀土金属，优选cu(ii)、ag(i)、zn(ii)、fe(ii)、fe(iii)，ce(iv)，更优选fe(ii)。

343、根据一个实施方式，其中金属m选自li、na、k、cs、mg、mn、cu、zn、ag和mo；优选m选自na、k、cs、mg、mn、cu、zn和ag；还优选m选自na、k、mg、mn、cu、zn和ag，其中如果金属m为cu，则n为2。

344、空穴注入金属化合物是非发射性的。在本说明书的上下文中，术语“基本上非发射性的”或“非发射性的”是指空穴注入金属化合物对来自有机电子器件(优选oled或显示器件)的可见光发射光谱的贡献相对于可见光发射光谱小于10％、优选小于5％。可见光发射光谱是波长为约≥380nm至约≤780nm的发射光谱。

345、半导体层

346、根据一个实施方式，至少第一公共的半导体层(优选公共的hil)与至少第二公共的半导体层(优选公共的htl)是非发射性的。

347、根据本发明的一个实施方式，至少一个公共的半导体层(优选第一公共的层，优选公共的hil)可以设置和/或提供成与阳极相邻，其中阳极不形成为公共的层。

348、根据本发明的一实施方式，至少一个公共的半导体层与阳极直接接触，其中阳极不形成为公共的层。每个单独的像素可以具有其自己的可以不与其它单独的像素的阳极接触的阳极。

349、根据本发明的一实施方式，其中至少一个公共的半导体层为公共的空穴注入层。

350、根据本发明的一实施方式，其中至少一个公共的半导体层为公共的空穴注入层，其由至少一种空穴注入金属化合物组成或包含至少一种空穴注入金属化合物。

351、在至少一种公共的半导体层为公共的空穴注入层和/或设置和/或提供成与阳极相邻的情况下，其中阳极不形成为公共的层，则可以优选该层基本上由至少一种空穴注入金属化合物组成。

352、根据一个优选实施方式，空穴注入金属化合物可以仅是指这种金属化合物，优选如果存在的话，能够在特定的电流密度下降低电压。这是指包含金属化合物的空穴注入金属化合物能够促进空穴的注入。

353、基质化合物

354、根据一个实施方式，其中半导体层可以包含至少一种基质化合物，其中至少一种基质化合物为非聚合化合物，优选基质化合物为共价的基质化合物或基本上共价的基质化合物。

355、优选至少一个公共的半导体层包含共价的基质化合物或基本上共价的基质化合物。

356、除了空穴注入金属化合物之外，空穴注入层可以包含至少一种共价的基质化合物或至少一种基本上共价的基质化合物。

357、共价的基质化合物的优选实例为有机化合物，主要由共价结合的c、h、o、n、s组成，其可以任选地还包含共价结合的b、p、as、se。包含碳-金属共价键的有机金属化合物、包含有机配体的金属络合物和有机酸的金属盐是可以用作有机共价的基质化合物或基本上共价的基质化合物的有机化合物的其它实例。

358、在一个实施方式中，其中共价的基质化合物或基本上共价的基质化合物缺乏金属原子并且其骨架原子中的大多数选自c、o、s、n。或者，共价的基质化合物或基本上共价的基质化合物缺乏金属原子并且其骨架原子中的大多数选自c和n。

359、根据一个实施方式，基本上共价的基质化合物的分子量mw可以≥400且≤2000g/mol、优选分子量mw≥450且≤1500g/mol、进一步优选分子量mw≥500且≤1000g/mol、另外优选分子量mw≥550且≤900g/mol、还优选分子量mw≥600且≤800g/mol。

360、在一个实施方式中，其中共价的基质化合物或基本上共价的基质化合物的homo能级当在相同条件下测定时可以比n2,n2,n2',n2',n7,n7,n7',n7'-八(4-甲氧苯基)-9,9'-螺二[芴]-2,2',7,7'-四胺(cas207739-72-8)的homo能级更负。

361、在一个实施方式中，其中共价的基质化合物或基本上共价的基质化合物的计算homo能级可以比-4.27ev更负，优选比-4.3ev更负，或者比-4.5ev更负，或者比-4.6ev更负，或者比-4.65ev更负。

362、根据另一个方面，半导体层进一步包含共价的基质化合物或基本上共价的基质化合物，当在二氯甲烷中相对于fc/fc+通过循环伏安法测量时，氧化电位比–0.2v更正且比1.22v更负、优选比–0.18v更正且比1.12v更负。在这些条件下，螺-meo-tad(cas207739-72-8)的氧化电位为-0.07v。

363、在一个实施方式中，其中共价的基质化合物或基本上共价的基质化合物的homo能级当在相同条件下测定时可以比n2,n2,n2',n2',n7,n7,n7',n7'-八(4-甲氧基苯基)-9,9'-螺二[芴]-2,2',7,7'-四胺(cas207739-72-8)的homo能级更负且比n4,n4”'-二(萘-1-基)-n4,n4”'-二苯基-[1,1':4',1”:4”,1”'-四苯基]-4,4”'-二胺的homo能级更正。

364、在一个实施方式中，其中共价的基质化合物或基本上共价的基质化合物可以不含烷氧基团。

365、在一个实施方式中，当在气相中使用turbomole v6.5(turbomole gmbh，litzenhardtstrasse 19，76135karlsruhe，德国)通过应用杂化泛函b3lyp和6-31g*基组计算时，以参照真空能级为零的绝对标度来表达的共价的基质化合物或基本上共价的基质化合物的homo能级可以在<-4.27ev且≥-5.3ev的范围内、或者在<-4.3ev且≥-5.3ev的范围内、或者在<-4.5ev且≥-5.3ev的范围内、或者在<-4.6ev与≥-5.3ev的范围内选择。

366、在一个实施方式中，其中当在气相中使用turbomole v6.5(turbomole gmbh，litzenhardtstrasse 19，76135karlsrruhe，德国)通过应用杂化泛函b3lyp和6-31g*基组计算时，以参照真空能级为零的绝对标度来表达的共价的基质化合物或基本上共价的基质化合物的计算homo能级可以在<-4.27ev且>-4.84ev的范围内、或者在<-4.3ev且>-4.84ev的范围内、或者在<-4.5ev且>-4.84ev的范围内、或者在<-4.5ev且>-4.84ev的范围内、或者在<-4.6ev且>-4.84ev的范围内选择。

367、在一个实施方式中，其中当在气相中使用turbomole v6.5(turbomole gmbh，litzenhardtstrasse 19，76135karlsrruhe，德国)通过应用杂化泛函b3lyp和6-31g*基组计算时，以参照真空能级为零的绝对标度来表达的共价的基质化合物或基本上共价的基质化合物的计算homo能级可以在<-4.27ev且>-4.8ev的范围内、或者在<-4.3ev且>-4.8ev的范围内、或者在<-4.5ev且>-4.8ev的范围内、或者在<-4.5ev且>-4.8ev的范围内、或者在<-4.6ev且>-4.8ev的范围内、或者在<-4.65ev且>-4.8ev的范围内。

368、优选地，共价的基质化合物或基本上共价的基质化合物包含至少一种芳基胺化合物、或者二芳基胺化合物、或者三芳基胺化合物。根据有机电子器件的一个实施方式，其中公共的空穴注入层和/或公共的空穴传输层可以包含二芳基胺化合物或者三芳基胺化合物。

369、根据有机电子器件的一个实施方式，其中公共的空穴注入层和/或公共的空穴传输层可以包含式(2)或式(3)的化合物：

370、

371、其中

372、t1、t2、t3、t4和t5独立地选自单键、苯亚基、联苯亚基、三联苯亚基或萘亚基，优选单键或苯亚基；

373、t6选自取代或未取代的苯亚基、联苯亚基、三联苯亚基或萘亚基，其中苯亚基上的取代基选自c6至c18芳基、c3至c18杂芳基、苯基、联苯基、咔唑、苯基咔唑，优选联苯基或9-苯基咔唑；

374、ar1、ar2、ar3、ar4和ar5独立地选自取代或未取代的c6至c20芳基，或者取代或未取代的c3至c20杂芳亚基，取代或未取代的联二苯叉，取代或未取代的芴，取代的9-芴，取代的9,9-芴，取代或未取代的萘，取代或未取代的蒽，取代或未取代的菲，取代或未取代的芘，取代或未取代的苝，取代或未取代的联三苯叉，取代或未取代的并四苯，取代或未取代的苯并蒽，取代或未取代的二苯并呋喃，取代或未取代二苯并噻吩，取代或未取代的呫吨，取代或未取代的咔唑，取代的9-苯基咔唑，取代或未取代的氮杂环庚熳，取代或未取代的二苯并[b,f]氮杂环庚熳，取代或未取代的9,9'-螺二[芴]，具有至少一个芳族稠环的取代或未取代的9,9'-螺二[芴]，取代或未取代的螺[芴-9,9'-呫吨]，包含两个芳族6元环和两个芳族5元环的取代或未取代的芳族稠环体系(其中至少一个5元环包含杂原子)，包含两个芳族6元环与两个芳族5元环的取代或未取代的芳族稠环体系(其中至少一个5元环包含o原子)，或者包含至少三个取代或未取代的芳环的取代或未取代的芳族稠环体系，该芳环选自：取代或未取代的非杂环、取代或未取代的杂5元环、取代或未取代的6元环和/或者取代或未取代的7元环，取代或未取代的芴，具有增环取代或未取代的杂环的取代或未取代的芴，或非杂环体系(包含2至6个取代或未取代的5元、6元或7元环)，或包含2至6个取代或未取代的5至7元环的稠环体系，并且该环选自：(i)杂环的不饱和5至7元环、(ii)杂芳环的5至6元环、(iii)非杂环的不饱和5至7元环、(iv)芳族非杂环的6元环；

375、其中ar1、ar2、ar3、ar4和ar5的取代基相同或不同地选自：h、d、f、c(＝o)r2、cn、si(r2)3、p(＝o)(r2)2、or2、s(＝o)r2、s(＝o)2r2、具有1至20个碳原子的取代或未取代的直链烷基、具有1至20个碳原子的取代或未取代的支链烷基、具有3至20个碳原子的取代或未取代的环状烷基、具有2至20个碳原子的取代或未取代的烯基或炔基、具有1至20个碳原子的取代或未取代的烷氧基、具有6至40个芳环原子的取代或未取代的芳环体系、以及具有5至40个芳环原子的取代或未取代的杂芳环体系、未取代的c6至c18芳基、未取代的c3至c18杂芳基、包含2至6个未取代的5至7元环的稠环体系，并且该环选自：杂环的不饱和5至7元环、杂芳环的5至6元环、非杂环的不饱和5至7元环，芳族非杂环的6元环，

376、其中r2选自h、d、具有1至6个碳原子的直链烷基、具有1至6个碳原子的支链烷基、具有3至6个碳原子的环状烷基、具有2至6个碳原子的烯基或炔基、c6至c18芳基或c3至c18杂芳基。

377、优选地，如果没有另外定义，则ar1、ar2、ar3、ar4和ar5的取代基相同或不同地选自：h、具有1至6个碳原子的直链烷基、具有1至6个碳原子的支链烷基，具有3至6个碳原子的环状烷基、具有2至6个碳原子的烯基或炔基、具有1至6个碳原子的烷氧基、c6至c18芳基、c3至c18杂芳基、包含2至4个未取代的5至7元环的稠环体系，并且该环选自：杂环的不饱和5至7元环、杂芳环的5至6元环、非杂环的不饱和5至7元环以及芳族非杂环的6元环；更优选取代基相同或不同地选自：h、具有1至4个碳原子的直链烷基、具有1至4个碳原子的支链烷基、具有3至4个碳原子的环状烷基和/或苯基。

378、根据有机电子器件的一个实施方式，其中共价的基质化合物或基本上共价的基质化合物，优选公共的空穴注入层或公共的空穴传输层的基质化合物可以包含式(2)或式(3)的化合物：

379、

380、其中

381、t1、t2、t3、t4和t5可以独立地选自单键、苯亚基、联苯亚基、三联苯亚基或萘亚基，优选单键或苯亚基；

382、t6为苯亚基、联苯亚基、三联苯亚基或萘亚基；

383、ar1、ar2、ar3、ar4和ar5可以独立地选自未取代的c6至c20芳基，或未取代的c3至c20杂芳亚基，未取代的联二苯叉，未取代的芴，取代的9-芴，取代的9,9-芴，未取代的萘，未取代的蒽，未取代的菲，未取代的芘，未取代的苝，未取代的联三苯叉，未取代的并四苯，未取代的苯并蒽，未取代的二苯并呋喃，未取代的二苯并噻吩，未取代的呫吨，未取代的咔唑，取代的9-苯基咔唑，未取代的氮杂环庚熳，未取代的二苯并[b,f]氮杂环庚熳，未取代的9,9'-螺二[芴]，未取代的螺[芴-9,9'-呫吨]，或包含至少三个未取代的芳环的未取代的芳族稠环体系，该芳环选自：未取代的非杂环、未取代的杂5元环、未取代的6元环和/或未取代的7元环，未取代的芴，或包含2至6个未取代的5至7元环的稠环体系，并且该环选自：(i)杂环的不饱和5至7元环、(2)杂芳环的5至6元环、(3)非杂环的不饱和5至7元环、(iv)芳族非杂环的6元环。

384、根据有机电子器件的一个实施方式，其中共价的基质化合物或基本上共价的基质化合物，优选公共的空穴注入层或公共的空穴传输层的共价的基质化合物或基本上共价的基质化合物可以包含式(2)或式(3)的化合物：

385、

386、其中

387、t1、t2、t3、t4和t5可以独立地选自单键、苯亚基、联苯亚基、三联苯亚基或萘亚基，优选单键或苯亚基；

388、t6为苯亚基、联苯亚基、三联苯亚基或萘亚基；

389、ar1、ar2、ar3、ar4和ar5可以独立地选自未取代的c6至c20芳基、或未取代的c3至c20杂芳亚基、未取代的联二苯叉、未取代的芴、取代的9-芴、取代的9,9-芴、未取代的萘、未取代的蒽、未取代的菲、未取代的芘、未取代的苝、未取代的联三苯叉、未取代的并四苯、未取代的苯并蒽、未取代的二苯并呋喃、未取代的二苯并噻吩、未取代的呫吨、未取代的咔唑、取代的9-苯基咔唑、未取代的氮杂环庚熳、未取代的二苯并[b,f]氮杂环庚熳、未取代的9,9'-螺二[芴]、未取代的螺[芴-9,9'-呫吨]。

390、由此，式(2)或(3)的化合物可以具有适合量产的标准起始温度。

391、根据一个实施方式，其中t1、t2、t3、t4和t5可以独立地选自单键、苯亚基、联苯亚基或三联苯亚基。根据一个实施方式，其中t1、t2、t3、t4和t5可以独立地选自苯亚基、联苯亚基或三联苯亚基，并且t1、t2、t3、t4和t5中的一个为单键。根据一个实施方式，其中t1、t2、t3、t4和t5可以独立地选自苯亚基或联苯亚基，并且t1、t2、t3、t4和t5中的一个为单键。根据一个实施方式，其中t1、t2、t3、t4和t5可以独立地选自苯亚基或联苯亚基，并且t1、t2、t3、t4和t5中的两个为单键。

392、根据一个实施方式，其中t1、t2和t3可以独立地选自苯亚基，并且t1、t2和t3中的一个为单键。根据一个实施方式，其中t1、t2和t3可以独立地选自苯亚基，并且t1、t2和t3中的两个为单键。

393、根据一个实施方式，其中t6可为苯亚基、联苯亚基、三联苯亚基。根据一个实施方式，其中t6可以为苯亚基。根据一个实施方式，其中t6可以为联苯亚基。根据一个实施方式，其中t6可以为三联苯亚基。

394、根据一个实施方式，其中ar1、ar2、ar3、ar4和ar5可以独立地选自d1至d17：

395、

396、其中星号“*”表示结合位置。

397、根据一个实施方式，其中ar1、ar2、ar3、ar4和ar5可以独立地选自d1至d15；或者选自d1至d10和d13至d15。

398、根据一个实施方式，其中ar1、ar2、ar3、ar4和ar5可以独立地选自d1、d2、d5、d7、d9、d10、d13至d16。

399、当ar1、ar2、ar3、ar4和ar5在该范围内选择时，标准起始温度可以在特别适合量产的范围内。

400、“式(2)或式(3)的共价的基质化合物”可以用于公共的空穴注入层和/或可以用作用于公共的空穴传输化合物的基质化合物。

401、根据一个实施方式，式(2)或式(3)的共价的基质化合物可以包含至少≥1至≤6个包含杂芳环的取代或未取代的芳族稠环体系。

402、根据一个实施方式，式(2)或式(3)的共价的基质化合物可以包含至少≥1至≤6个包含杂芳环的取代或未取代的芳族稠环体系，以及至少≥1至≤3个取代或未取代的杂环的不饱和5至7元环，优选≥2至≤5个包含杂芳环的取代或未取代的芳族稠环体系。

403、根据一个实施方式，式(2)或式(3)的共价的基质化合物可以包含至少≥1至≤6个包含杂芳环的取代或未取代的芳族稠环体系，以及至少≥1至≤3个取代或未取代的杂环的不饱和5至7元环，优选≥2至≤5个取代或未取代的包含杂芳环的芳族稠环体系，以及至少≥1至≤3个取代或未取代杂环的不饱和5至7元环，进一步优选3或4个取代或未取代的包含杂芳环的芳族稠环体系，以及任选的至少≥1至≤3个取代或未取代的杂环的不饱和5至7元环，并且另外优选其中包含杂芳族环的芳族稠环体系是未取代的，以及任选的至少≥1至≤3个未取代的杂环的不饱和5至7元环。

404、根据一个实施方式，式(2)或式(3)的共价的基质化合物可以包含至少≥1至≤6个取代或未取代的芳族稠环体系，优选≥2至≤5个取代或未取代的芳族稠环体系，并且进一步优选3或4个取代或未取代的芳族稠环体系。

405、根据一个实施方式，式(2)或式(3)的共价的基质化合物可以包含至少≥1至≤6个取代或未取代的芳族稠环体系，优选≥2至≤5个取代或未取代的芳族稠环体系，并且进一步优选3或4个取代或未取代的包含取代或未取代的杂芳环的芳族稠环体系。

406、根据一个实施方式，式(2)或式(3)的共价的基质化合物可以包含至少≥1至≤3个或2个取代或未取代的杂环的不饱和5至7元环。

407、根据一个实施方式，式(2)或式(3)的共价的基质化合物可以包含至少≥1至≤3个或2个取代或未取代的杂环的不饱和7元环。

408、根据一个实施方式，式(2)或式(3)的共价的基质化合物或基本上共价的基质化合物的取代或未取代的芳族稠环体系可以包含至少≥1至≤3个或2个取代或未取代的杂环的不饱和5至7元环。

409、根据一个实施方式，式(2)或式(3)的共价的基质化合物或基本上共价的基质化合物的取代或未取代的芳族稠环体系可以包含至少≥1至≤3个或2个取代或未取代的杂环的不饱和7元环。

410、根据一个实施方式，式(2)或式(3)的共价的基质化合物可以包含至少≥1至≤6个取代或未取代的芳族稠环体系，优选≥2至≤5个取代或未取代的芳族稠环体系，并且进一步优选3或4个取代或未取代的芳族稠环体系，并且其中芳族稠环体系包含取代或未取代的杂环的不饱和5至7元环。

411、根据一个实施方式，式(2)或式(3)的共价的基质化合物可以包含至少≥1至≤6个取代或未取代的芳族稠环体系，优选≥2至≤5个取代或未取代的芳族稠环体系，并且进一步优选3或4个取代或未取代的包含取代或未取代的杂芳环的芳族稠环体系，并且其中芳族稠环体系包含取代或未取代的杂环的不饱和5至7元环。

412、根据一个实施方式，式(2)或式(3)的共价的基质化合物可以包含至少≥1至≤6个取代或未取代的芳族稠环体系，优选≥2至≤5个取代或未取代的芳族稠环体系，并且进一步优选3或4个取代或未取代的芳族稠环体系，并且其中芳族稠环体系包含至少≥1至≤3个或2个取代或未取代的杂环的不饱和5至7元环。

413、根据一个实施方式，式(2)或式(3)的共价的基质化合物可以包含至少≥1至≤6个取代或未取代的芳族稠环体系，优选≥2至≤5个取代或未取代的芳族稠环体系，并且进一步优选3或4个取代或未取代的包含取代或未取代的杂芳环的芳族稠环体系，并且其中芳族稠环体系包含至少≥1至≤3个或2个取代或未取代的杂环的不饱和5至7元环。

414、根据一个实施方式，式(2)或式(3)的共价的基质化合物可以包含：

415、-具有至少≥2至≤6个、优选≥3至≤5个、或4个稠芳环的取代或未取代的芳族稠环体系，该芳环选自：取代或未取代的非杂芳环、取代或未取代的杂5元环、取代或未取代的6元环和/或取代或未取代的杂环的不饱和5至7元环；或

416、-具有至少≥2至≤6个、优选≥3至≤5个、或4个稠芳环的未取代的芳族稠环体系，该芳环选自：未取代的非杂芳环、未取代的杂5元环、未取代的6元环和/或未取代的杂环的不饱和5至7元环。

417、此处应当注意，词语“芳族稠环体系”可以包含至少一个芳环和至少一个取代或未取代的不饱和5至7元环。此处应当注意，取代或未取代的不饱和5至7元环可以不为芳环。

418、根据一个实施方式，式(2)或式(3)的共价的基质化合物可以包含至少≥1至≤6个、优选≥2至≤5个、或进一步优选3或4个取代或未取代的芳族稠环体系，其具有：

419、-至少一个不饱和5元环，和/或

420、-至少一个不饱和6元环，和/或

421、-至少一个不饱和7元环；其中优选至少一个不饱和5元环和/或至少一个不饱和7元环包含至少1至3个、优选1个杂原子。

422、根据一个实施方式，式(2)或式(3)的共价的基质化合物可以包含至少≥1至≤6个、优选≥2至≤5个、或进一步优选3或4个取代或未取代的芳族稠环体系，其具有：

423、-至少一个芳族5元环，和/或

424、-至少一个芳族6元环，和/或

425、-至少一个芳族7元环；其中优选至少一个芳族5元环和/或至少一个芳族7元环包含至少1至3个、优选1个杂原子；

426、其中取代或未取代的芳族稠环体系包含至少≥1至≤3个或2个取代或未取代的杂环的不饱和5至7元环。

427、根据一个实施方式，式(2)或式(3)的共价的基质化合物可以包含：

428、-至少≥6至≤12个、优选≥7至≤11个、进一步优选≥8至≤10个或9个芳环；和/或

429、-至少≥4至≤11个、优选≥5至≤10个、进一步优选≥6至≤9个或者另外优选7或8个非杂芳环，优选非杂芳环为芳族c6环；和/或

430、-至少≥1至≤4个、优选2或3个芳族5元环、优选5元杂芳环；和/或

431、-至少1或2个杂环的不饱和5至7元环、优选至少1或2个杂环的不饱和7元环；

432、-至少≥6至≤12个、优选≥7至≤11个、进一步优选≥8至≤10个或9个芳环，其中的

433、至少≥4至≤11个、优选≥5至≤10个、进一步优选≥6至≤9或者另外优选7或8个为非杂芳环，和

434、至少≥1至≤4个、优选2或3个芳环为杂芳环，其中非杂芳环和杂芳环的总数总共不超过12个芳环；和/或

435、-至少≥6至≤12个、优选≥7至≤11、进一步优选≥8至≤10个或9个芳环，其中的

436、至少≥4至≤11个、优选≥5至≤10个、进一步优选≥6至≤9个或者另外优选7或8个为非杂芳环，和

437、至少≥1至≤4个、优选2或3个芳环为杂芳环，其中非杂芳环和杂芳环的总数总共不超过12个芳环；并且

438、根据式i的公共的空穴注入层或公共的空穴传输层包含至少≥1至≤4个、优选2或3个芳族5元环、优选5元杂芳环，和/或

439、根据式(i)的化合物包含至少1或2个杂环的不饱和5至7元环、优选至少1或2个杂环的不饱和7元环。

440、根据一个实施方式，式(2)或式(3)的共价的基质化合物可以包含杂原子，其可以选自o、s、n、b或p，优选杂原子可以选自o、s或n。

441、根据一个实施方式，式(2)或式(3)的共价的基质化合物可以包含至少≥1至≤6、优选≥2至≤5、或进一步优选3或4个取代或未取代的芳族稠环体系，其具有：

442、-至少一个芳族5元环，和/或

443、-至少一个芳族6元环，和/或

444、-至少一个芳族7元环；其中优选至少一个芳族5元环和/或至少一个芳族7元环包含至少1至3个、优选1个杂原子；

445、其中取代或未取代的芳族稠环体系任选地包含至少≥1至≤3个或2个取代或未取代的杂环的不饱和5至7元环；并且其中取代或未取代的芳族稠环体系包含杂原子，其可以选自o、s、n、b、p或si，优选杂原子可以选自o、s或n。

446、根据一个实施方式，式(2)或式(3)的基质共价化合物可以不含不是芳环的一部分和/或不饱和7元环的以部分的杂原子，优选根据式(i)的化合物除了作为芳环的一部分或不饱和7元环的一部分的n原子之外可以不含n原子。

447、根据一个实施方式，其中根据式(i)的共价的基质化合物包含至少一个萘基基团、咔唑基团、二苯并呋喃基团、二苯并噻吩基团和/或取代的芴基基团，其中取代基独立地选自甲基、苯基或芴基。

448、根据电子器件的一个实施方式，其中共价的基质化合物或基本上共价的基质化合物选自f1至f20：

449、

450、

451、

452、基质化合物可以适合用在电子阻挡层中，选自f22至f25：

453、

454、

455、空穴注入层的共价的基质化合物可以不含htm014、htm081、htm163、htm222、el-301、htm226、htm355、htm133、htm334、htm604和el-22t。缩写表示制造商的名称，例如merck或lumtec。

456、根据一种进一步优选的实施方式，共价的基质化合物或基本上共价的基质化合物具有如表1中所示的式(t-1)至(t-6)。

457、表1

458、

459、

460、根据另一个方面，至少第一公共的半导体层、优选公共的hil和/或公共的第二半导体层、优选htl，可以包含共价的基质化合物或基本上共价的基质化合物并且可以包含至少约≥0.1重量％至约≤50重量％、优选约≥1重量％至约≤25重量％、更优选约≥2重量％至约≤15重量％的共价的基质化合物或基本上共价的基质化合物、优选式(2)或式(3)的化合物。

461、根据一个实施方式，其中两个公共的半导体层设置在阳极层与发光层之间，优选公共的第一半导体层为公共的空穴注入层并且公共的第二半导体层为公共的空穴传输层。

462、其它层

463、根据本发明，除了上面已经提到的层之外，有机发光二极管还可以包含其它层或公共的层。以下描述各层或公共的层的示例性实施方式：

464、基底

465、基底可以为通常用于制造电子器件、优选有机发光二极管的任何基底。如果要通过基底发射光，则基底应当为透明或半透明的材料，例如玻璃基底或透明塑料基底。如果要通过顶表面发射光，则基底可以为透明以及不透明的材料，例如玻璃基底、塑料基底、金属基底或硅基底。

466、阳极电极

467、每个单独的像素可以具有其自己的可以不与其它单独像素的阳极接触的阳极。

468、也名为阳极层的阳极电极可以通过沉积或溅射用于形成阳极电极的材料来形成。阳极或阳极层不形成为公共的阳极层。用于形成阳极电极的材料可以为高逸出功材料，从而促进空穴注入。阳极材料也可以选自低逸出功材料(即铝)。阳极电极可以为透明或反射电极。透明导电氧化物，优选氧化铟锡(ito)、氧化铟锌(izo)、二氧化锡(sno2)、氧化锌铝(alzo)和氧化锌(zno)可以用于形成阳极电极。阳极电极也可使用金属，通常为银(ag)、金(au)，或金属合金来形成。

469、根据一个实施方式，其中阳极层可以包含第一阳极子层(包含ag或au或者由ag或au组成)、第二阳极子层(包含ito或izo或者由ito或izo组成)和任选的第三阳极子层(包含ito或izo或者由ito或izo组成)。优选第一阳极子层可以包含ag或由ag组成，第二阳极子层可以包含ito或由ito组成，并且第三阳极子层可以包含ito或由ito组成。优选第二和第三阳极子层中的透明导电氧化物可以选择为相同。

470、根据一个实施方式，其中阳极层可以包含：包含厚度为100至150nm的ag或au的第一阳极子层、包含厚度为3至20nm的ito或izo的第二阳极子层和包含厚度为3至20nm的ito或izo的第三阳极子层。

471、阳极子层

472、阳极层可以包含第一阳极子层和第二阳极子层，其中第一阳极子层包含逸出功在≥4且≤6ev范围内的第一金属，并且第二阳极子层包含透明导电氧化物(tco)。

473、每个单独的像素可以具有其自己的可以不与其它单独像素的阳极接触的阳极。阳极子层不形成为公共的层。

474、根据一个实施方式，阳极层包含第一阳极子层和第二阳极子层和任选的第三阳极子层，其中第一阳极子层包含逸出功在≥4且≤6ev范围内的第一金属，并且第二阳极子层包含透明导电氧化物(tco)；其中空穴注入层设置在第一发射层与阳极层之间，第一子阳极层设置成更靠近基底，并且第二阳极子层设置成更靠近空穴注入层。

475、第一阳极子层

476、根据一个实施方式，其中第一阳极子层的第一金属的逸出功可以在≥4.2且≤6ev范围内。第一金属可以选自金属或金属合金。

477、根据一个实施方式，其中第一阳极子层的第一金属可以选自ag、mg、al、cr、pt、au、pd、ni、nd、ir，优选ag、au或al，更优选ag。

478、第一阳极子层的厚度可以在5nm至200nm、或者8nm至180nm、或者8nm至150nm、或者100nm至150nm的范围内。

479、第一阳极子层可以通过经由真空热蒸发来沉积第一金属而形成。

480、应当理解，第一阳极层不是基底的一部分。

481、第二阳极子层

482、根据一个实施方式，其中透明导电氧化物可以选自氧化铟锡(ito)或氧化铟锌(izo)，更优选氧化铟锡(ito)，优选ito或izo。

483、第一阳极子层的厚度可以在3nm至200nm、或者3nm至180nm、或者3nm至150nm、或者3nm至20nm的范围内。

484、第二阳极子层可以通过透明导电氧化物的溅射来形成。

485、第三阳极子层

486、根据一个实施方式，有机发光二极管的阳极层可以包含第一阳极子层、第二阳极子层和第三阳极子层的至少三个阳极子层。根据一个实施方式，除了第一和第二阳极子层之外，有机发光二极管的阳极层还可以包含第三阳极子层，其中第三阳极子层包含透明导电氧化物，其中第三阳极子层可以设置在基底与第一阳极子层之间。

487、第三阳极子层的厚度可以在3nm至200nm、或者3nm至180nm、或者3nm至150nm、或者3nm至20nm的范围内。

488、第三阳极子层可以通过透明导电氧化物的溅射来形成。

489、应当理解，第三阳极层不是基底的一部分。

490、空穴注入层

491、对于oled显示器中的多个oled像素可以形成公共的空穴注入层(hil)。在一个实施方式中，公共的hil可以在oled显示器中在多个像素的所有像素上延伸或在多个像素的至少两个像素上延伸。

492、每个单独的像素可以具有其自己的可以不与其它单独像素的阳极接触的阳极。

493、另外，有源oled显示器具有配置为分别驱动oled显示器中所设置的多个像素的单独的像素的驱动电路。在一个实施方式中，分别驱动的步骤可以包括对施加到单独的像素的驱动电流进行分别控制。

494、公共的hil可以包含空穴注入金属化合物或由空穴注入金属化合物制成，其中空穴注入金属化合物可以另外包含有机化合物的基质化合物。根据一个实施方式，空穴注入层包含空穴注入金属化合物和任选的选自有机化合物和/或金属化合物的基质化合物。

495、根据另一个实施方式，空穴注入层另外包含可以为有机化合物的基质化合物。

496、应当理解，hil材料由一种或更多种空穴注入化合物组成，而术语空穴注入金属化合物是在本技术全文中使用的更广泛的术语，包含提供从阳极到空穴传输基质中的空穴注入的至少一种空穴注入金属化合物的所有半导体材料，当添加到半导体中时，基本上不会增加自由电荷载流子的浓度高于对应于在纯基质中观察到的电导率的水平，或者可能能够增加空穴传输材料或空穴传输层中正电荷载流子的密度。

497、空穴注入金属化合物的以参照真空能级为零的绝对标度来表达的lumo能级可以比共价的基质化合物或基本上共价的基质化合物的最高homo能级高至少150mev、至少200mev、至少250mev、至少300mev或至少350mev。

498、空穴注入金属化合物的以参照真空能级为零的绝对标度表示的lumo能级可以比共价的基质化合物或基本上共价的基质化合物的最高homo能级高小于1000mev、小于750mev、600mev、小于550mev、小于500mev、小于450mev或小于400mev。

499、公共的空穴注入层的厚度可以≥1nm且≤100nm、优选≥2nm且≤50nm、更优选≥3nm且≤40nm、更优选≥4nm且≤30nm、更优选≥5nm且≤20nm、更优选≥6nm且≤15nm、更优选≥8nm且≤10nm。

500、hil可以形成为用于多个像素或至少两个像素的公共的hil。公共的hil可以在oled显示器中在多个像素的所有像素上延伸或在多个像素的至少两个像素上延伸。

501、空穴注入层(hil)可以例如通过真空沉积、旋涂、印刷、流延、狭缝式模头涂布、朗谬-布洛杰(langmuir-blodgett，lb)沉积等而形成为阳极电极上的公共的空穴注入层(hil)，其中阳极电极不形成为公共的阳极电极层。当使用真空沉积形成hil时，沉积条件可以根据用于形成hil的化合物以及所期望的公共的hil结构和热性质而变化。然而，通常，用于真空沉积的条件可以包括100℃至500℃的沉积温度、10-8至10-3托(1托等于133.322pa)的压力和0.1至10nm/秒的沉积速率。

502、当使用旋涂或印刷形成公共的hil时，涂布条件可以根据用于形成hil的化合物以及所期望的hil结构和热性质而变化。例如，涂布条件可以包括约2000rpm至约5000rpm的涂布速度和约80℃至约200℃的热处理温度。在进行涂布之后，热处理除去溶剂。

503、可以用于形成公共的hil的化合物的实例包括酞菁化合物，优选酞菁铜(cupc)，4,4',4”-三(3-甲基苯基苯基胺基)三苯基胺(m-mtdata)，tdata，2t-nata，聚苯胺/十二烷基苯磺酸(pani/dbsa)、聚(3,4-乙叉二氧噻吩)/聚(4-苯乙烯磺酸盐)(pedot/pss)、聚苯胺/樟脑磺酸(pani/csa)和聚苯胺/聚(4-苯乙烯磺酸盐)(pani/pss)。

504、公共的hil可以选自掺杂有空穴注入金属化合物的空穴传输共价的基质化合物。

505、根据有机电子器件的一个实施方式，其中公共的空穴注入层可以包含根据本发明的包含空穴注入金属化合物的第一公共的空穴注入子层以及包含共价的基质化合物或基本上共价的基质化合物的第二公共的空穴注入子层。

506、根据有机电子器件的另一个实施方式，其中公共的空穴注入层可以包含根据本发明的包含空穴注入金属化合物的公共的第一空穴注入子层以及包含基质化合物(其为共价的基质化合物或基本上共价的基质化合物)的公共的第二空穴注入子层，其中公共的第一空穴注入子层设置成更靠近包含第一阳极子层和第二阳极子层的阳极层，并且第二公共的空穴注入子层设置成更靠近至少一个发光层。

507、根据一个实施方式，其中设置成更靠近阳极层的公共的第一空穴注入子层是经掺杂的，并且第二空穴注入子层是未掺杂的。

508、根据有机电子器件的一个实施方式，其中公共的空穴注入层可以包含根据本发明的包含空穴注入金属化合物的第一公共的空穴注入子层以及包含基质化合物(包含至少一种芳基胺化合物、二芳基胺化合物、三芳基胺化合物)的第二公共的空穴注入子层，其中第一公共的空穴注入子层设置成更靠近阳极层，并且第二公共的空穴注入子层设置成更靠近至少一个发光层。

509、根据有机电子器件的一个实施方式，其中公共的空穴注入层可以包含根据本发明的包含空穴注入金属化合物的第一空穴注入子层以及包含基质化合物(包含至少一种芳基胺化合物、二芳基胺化合物、三芳基胺化合物)的第二公共的空穴注入子层，其中第一空穴注入子层设置成更靠近包含第一阳极子层和第二阳极子层的阳极层，并且第二空穴注入子层设置成更靠近至少一个发光层。

510、空穴传输层(htl)

511、htl可以形成为用于多个像素或至少两个像素的公共的htl。公共的htl可以在oled显示器中在多个像素的所有像素上延伸或在多个像素的至少两个像素上延伸。

512、空穴传输层(htl)可以通过真空沉积、旋涂、狭缝式模头涂布、印刷、流延、朗谬-布洛杰(lb)沉积等而形成在公共的hil上。

513、空穴传输层可以形成为公共的空穴传输层。

514、当空穴传输层(htl)或公共的空穴传输层(htl)通过真空沉积或旋涂来形成时，用于沉积和涂布的条件可以与用于形成hil的那些条件相似。然而，用于真空或溶液沉积的条件可以根据用于形成空穴传输层(htl)或公共的空穴传输层(htl)的化合物而变化。

515、在一个实施方式中，其中有机发光二极管进一步包含空穴传输层(htl)或公共的空穴传输层(htl)，其中空穴传输层(htl)或公共的空穴传输层(htl)设置在公共的空穴注入层与至少一个发射层之间。

516、在一个实施方式中，其中空穴传输层(htl)或公共的空穴传输层(htl)包含共价的基质化合物或基本上共价的基质化合物。

517、在一个实施方式中，其中至少一个公共的空穴注入层和空穴传输层(htl)或公共的空穴传输层(htl)包含共价的基质化合物或基本上共价的基质化合物，其中共价的基质化合物或基本上共价的基质化合物在两层中选择为相同。

518、htl的厚度可以在约5nm至约250nm的范围内，优选约10nm至约200nm，进一步优选约20nm至约190nm，进一步优选约40nm至约180nm，进一步优选约60nm至约170nm，进一步优选约80nm至约160nm，进一步优选约100nm至约160nm，进一步优选约120nm至约140nm。

519、当htl的厚度在该范围内时，htl可以具有优异的空穴传输特性，而对驱动电压没有实质性损害。

520、对于oled显示器中的多个oled像素可以形成公共的空穴传输层(htl)。在一个实施方式中，公共的htl可以在oled显示器中在多个像素的所有像素上延伸或在多个像素的至少两个像素上延伸。类似地，阴极可以形成为用于多个像素或至少两个像素的公共的阴极。公共的阴极可以在oled显示器中在多个像素的所有像素上延伸或在多个像素的至少两个像素上延伸。每个单独的像素可以具有其自己的可以不与其它单独像素的阳极接触的阳极。进一步，有源oled显示器具有配置为分别驱动oled显示器中所设置的多个像素的单独像素的驱动电路。在一个实施方式中，分别驱动的步骤可以包含对施加到独立的像素的驱动电流进行分别控制。

521、公共的htl可以由掺杂有空穴注入金属化合物的空穴传输基质(htm)材料制成。空穴传输基质材料可以掺杂有多于一种空穴注入金属化合物。应当理解，htm材料由一种或更多种htm化合物组成，而术语空穴传输材料是在本技术全文中使用的更广泛的术语，包含至少一种htm化合物的所有半导体材料。空穴传输基质材料可以由一种或更多种有机化合物组成。

522、空穴注入金属化合物的以参照真空能级为零的绝对标度来表达的lumo能级可以比形成公共的第二半导体层(其优选为空穴传输层)的化合物的最高homo能级高小于1000mev、小于750mev、600mev、小于550mev、小于500mev、小于450mev或小于400mev。

523、htm可以包含如下化合物或由如下化合物组成：所述化合物的以参照真空能级为零的绝对标度来表达、使用程序包turbomole v6.5中实施的杂化泛函b3lyp和高斯6-31g*基组所计算最高占据分子轨道的能量在从<-4.27ev至≥-6.0ev、<-4.3ev至≥-5.5ev、优选<-4.5ev至≥-5.4ev、更优选从<-4.6ev至≥-5.3ev的范围内。

524、公共的空穴传输层的厚度可以小于50nm、小于40nm、小于30nm、小于20nm或小于15nm。公共的空穴传输层的厚度可以大于3nm、大于5nm、大于8nm或大于10nm。阳极可以由透明导电氧化物(tco)如氧化铟锡(ito)制成。或者，阳极可以由一个或更多个薄金属层制成，而成半透明阳极。在另一个实施方式中，阳极可以由对可见光不透明的厚金属层制成。

525、在一个实施方式中，阳极的以参照真空能级为零的绝对标度所表达的逸出功可以比形成公共的空穴注入层中的空穴注入金属化合物的化合物的最高lumo能级高小于500mev、小于450mev、小于400mev、小于350mev或小于300mev。

526、已知的掺杂空穴传输材料的典型实例为：酞菁铜(cupc)，其homo能级为大约-5.2ev，掺杂有四氟四氰基醌二甲烷(f4tcnq)，其lumo能级为约-5.2ev；掺杂有f4tcnq的酞菁锌(znpc)(homo＝-5.2ev)；掺杂有f4tcnq的α-npd(n,n'-双(萘-1-基)-n,n'-双(苯基)-联苯胺)；掺杂有2,2'-(全氟萘-2,6-二亚基)二丙二腈的α-npd。p型掺杂剂浓度可以选自1至20重量％、更优选从3重量％至10重量％。

527、电子阻挡层

528、电子阻挡层(ebl)可以形成为公共的电子阻挡层(ebl)或形成为不是公共的电子阻挡层(ebl)的分开的层。ebl可以形成为用于多个像素或至少两个像素的公共的ebl。公共的ebl可以在oled显示器中在多个像素的所有像素上延伸或在多个像素的至少两个像素上延伸。优选每个单独的像素可以具有其自己的可以不与其它单独像素的ebl接触的ebl。

529、电子阻挡层(ebl)的作用是防止电子从发光层传输到空穴传输层，由此将电子限制在发光层。ebl可以与公共的htl和eml直接接触。电子阻挡层可以为由有机空穴传输基质材料制成的电非掺杂层(换言之，其可以不含电掺杂剂)。公共的空穴传输层的有机空穴传输基质材料的组成可以与电子阻挡层的有机空穴传输基质材料的组成相同。在本发明的另一个实施方式中，两种空穴传输基质材料的组成可以不同。

530、由此，可以改善效率、工作电压和/或寿命。通常，电子阻挡层包含三芳基胺化合物。三芳基胺化合物的lumo能级比空穴传输层的lumo能级更接近真空能级。形成电子阻挡层的各化合物的以参照真空能级为零的绝对标度所表达的homo能级可以高于形成公共的空穴传输层的空穴传输基质材料的任何化合物的homo能级。与空穴传输层的homo能级相比，电子阻挡层的homo能级可以进一步远离真空能级。

531、电子阻挡层的有机基质材料的空穴迁移率可以等于或高于空穴传输层的基质材料的空穴迁移率。公共的htl和/或ebl的空穴传输基质(htm)材料可以选自包含离域电子的共轭体系的化合物，该共轭体系包含至少两个叔胺氮原子的孤电子对。

532、如果电子阻挡层的三重态能级高，则也可以将其描述为三重态控制层。如果使用磷光绿色或蓝色发光层，则三重态控制层的作用是减少三重态的猝灭。由此，能够实现来自磷光发光层的更高的发光效率。三重态控制层选自三重态能级高于相邻发光层中磷光发射体的三重态能级的三芳基胺化合物。用于三重态控制层的适合的化合物，特别是三芳基胺化合物，描述于ep 2 722 908 a1中。

533、电子阻挡层的厚度可以在2nm和20nm之间选择。ebl的层厚度可以大于30nm、大于50nm、大于70nm、大于100nm或大于110nm。ebl的厚度可以小于200nm、小于170nm、小于140nm或小于130nm。与ebl相比，公共的htl可以更薄约一个量级。

534、电子阻挡层可以包含化合物，其中该化合物的以参照真空能级为零的绝对标度来表达的、使用程序包turbomole v6.5中实施的杂化泛函b3lyp和高斯6-31g*基组所计算的最高占据分子轨道的能量在从<-4.7ev至≥-6.0ev、<-4.8ev至≥-5.5ev、优选<-4.9ev至≥-5.4ev、更优选从<-5.0ev至≥-5.3ev的范围内。

535、光活性层(pal)

536、光活性层将电流转换为光子或将光子转换为电流。光活性层可以形成为公共的光活性层或形成为不是公共的光活性层的分开的层。pal可以形成为用于多个像素或至少两个像素的公共的pal。公共的pal可以在oled显示器中在多个像素的所有像素上延伸或在多个像素的至少两个像素上延伸。

537、pal可以通过真空沉积、旋涂、狭缝式模头涂布、印刷、流延、lb沉积等而形成在htl上。当使用真空沉积或旋涂形成pal时，用于沉积与涂布的条件可以与用于形成hil的那些条件相似。然而，用于沉积和涂布的条件可以根据用于形成pal的化合物而变化。

538、光活性层可不包含本发明的金属化合物。

539、发光层(eml)

540、eml层可以形成为公共的eml层或形成为不是公共的eml层的分开的eml层。对于rgb显示器，优选eml层形成为不是公共的eml层的分开的层。eml可以形成为用于多个像素或至少两个像素的公共的eml。公共的eml可以在oled显示器中在多个像素的所有像素上延伸或在多个像素的至少两个像素上延伸。

541、eml可以通过真空沉积、旋涂、狭缝式模头涂布、印刷、流延、lb沉积等而形成在htl上。当使用真空沉积或旋涂形成eml时，用于沉积和涂布的条件可以与用于形成hil的那些条件相似。然而，用于沉积和涂布的条件可以根据用于形成eml的化合物而变化。

542、公共的电子传输层可以包含有机电子传输基质(etm)材料。进一步，公共的电子传输层可以包含一种或更多种n型掺杂剂。用于etm的适合的化合物含有芳族或杂芳结构部分，如在例如文献ep 1 970 371 a1或wo 2013/079217 a1中所公开。

543、发光层可不包含如本发明所述的用于hil和/或htl的金属化合物。

544、发光层(eml)可以由主体和发射体掺杂剂的组合形成。主体的实例为alq3、4,4'-n,n'-二咔唑-联苯(cbp)、聚(n-乙烯基咔唑)(pvk)、9,10-二(萘-2-基)蒽(adn)、4,4',4”-三(咔唑-9-基)-三苯基胺(tcta)、1,3,5-三(n-苯基苯并咪唑-2-基)苯(tpbi)、3-叔丁基-9,10-二-2-萘基蒽(tbadn)、二苯乙烯基芳亚基(dsa)和双(2-(2-羟基苯基)苯并噻唑)锌(zn(btz)2)。

545、发射体掺杂剂可以为磷光或荧光发射体。磷光发射体和经由热激活延迟荧光(tadf)机制发光的发射体由于效率高而可以是优选的。发射体可以为小分子或聚合物。

546、红色发射体掺杂剂的实例为ptoep、ir(piq)3和btp2lr(acac)，但不限于此。这些化合物是磷光发射体；然而，也可以使用荧光红色发射体掺杂剂。

547、磷光绿色发射体掺杂剂的实例为ir(ppy)3(ppy＝苯基吡啶)、ir(ppy)2(acac)、ir(mpyp)3。

548、磷光蓝色发射体掺杂剂的实例为f2irpic、(f2ppy)2ir(tmd)和ir(dfppz)3和三芴。荧光蓝色发射体掺杂剂的实例为4.4'-双(4-二苯基氨基苯乙烯基)联苯(dpavbi)、2,5,8,11-四叔丁基苝(tbpe)。

549、基于100重量份的主体，发射体掺杂剂的量可以在从约0.01重量份至约50重量份的范围内。或者，发光层可以由发光聚合物组成。eml的厚度可以为约10nm至约100nm、例如从约20nm至约60nm。当eml的厚度在该范围内时，eml可以具有优异的光发射，而对驱动电压没有实质性损害。

550、空穴阻挡层(hbl)

551、空穴阻挡层(hbl)可以形成为公共的空穴阻挡层(hbl)或形成为不是公共的空穴阻挡层(hbl)的分开的空穴阻挡层(hbl)。hbl可以形成为用于多个像素或至少两个像素的公共的hbl。公共的hbl可以在oled显示器中在多个像素的所有像素上延伸或在多个像素的至少两个像素上延伸。

552、空穴阻挡层(hbl)可以通过使用真空沉积、旋涂、狭缝式模头涂布、印刷、流延、lb沉积等而形成在eml上，以防止空穴扩散到etl中。当eml包含磷光掺杂剂时，hbl还可以具有三重态激子阻挡作用。

553、hbl也可以称为辅助etl或a-etl。

554、当使用真空沉积或旋涂形成hbl时，用于沉积和涂布的条件可以与用于形成hil的那些条件相似。然而，用于沉积和涂布的条件可以根据用于形成hbl的化合物而变化。可以使用通常用于形成hbl的任何化合物。用于形成hbl的化合物的实例包括二唑衍生物、三唑衍生物、菲咯啉衍生物与三嗪衍生物。

555、hbl的厚度可以在从约5nm至约100nm的范围内、例如从大约10nm至约30nm。当hbl的厚度在该范围内时，hbl可以具有优异的空穴阻挡性质，而对驱动电压没有实质性损害。

556、电子传输层(etl)

557、电子传输层(etl)可以形成为公共的电子传输层(etl)或形成为不是公共的电子传输层(etl)的分开的电子传输层(etl)。

558、etl可以形成为用于多个像素或至少两个像素的公共的etl。公共的etl可以在oled显示器中在多个像素的所有像素上延伸或在多个像素的至少两个像素上延伸。

559、每个单独的像素可以具有其自己的可以不与其它单独像素的etl接触的etl。

560、根据本发明的有机发光二极管可以进一步包含电子传输层(etl)。

561、根据另一个实施方式，电子传输层可以进一步包含吖嗪化合物，优选三嗪化合物。

562、在一个实施方式中，其中电子传输层可以进一步包含掺杂剂，选自碱有机络合物、优选liq。

563、etl的厚度可以在从约15nm至约50nm的范围内，例如在从约20nm至约40nm的范围内。当eil的厚度在该范围内时，etl可以具有令人满意的电子注入性质，而对驱动电压没有实质性损害。

564、根据另一个实施方式，有机发光二极管可以进一步包含空穴阻挡层和电子传输层，其中空穴阻挡层和电子传输层包含吖嗪化合物。优选吖嗪化合物为三嗪化合物。

565、电子注入层(eil)

566、eil可以形成为公共的eil层或形成为不是公共的eil层的分开的eil层。

567、eil可以形成为用于多个像素或至少两个像素的公共的eil。公共的eil可以在oled显示器中在多个像素的所有像素上延伸或在多个像素的至少两个像素上延伸。

568、可以促进从阴极注入电子的任选的eil可以形成在etl上，优选直接形成在电子传输层上。用于形成eil的材料的实例包括本领域中已知的8-羟基喹啉锂(liq)、lif、nacl、csf、li2o、bao、ca、ba、yb、mg。用于形成eil的沉积和涂布条件与用于形成hil的那些条件相似，但是沉积和涂布条件可以根据用于形成eil的材料而变化。

569、eil的厚度可以在从约0.1nm至约10nm的范围内，例如在从约0.5nm至约9nm的范围内。当eil的厚度在该范围内时，eil可以具有令人满意的电子注入性质，而对驱动电压没有实质性损害。

570、阴极电极

571、阴极电极可以形成为公共的阴极电极层或形成为不是公共的阴极电极层的分开的阴极电极层。

572、阴极可以形成为用于多个像素或至少两个像素的公共的阴极。公共的阴极可以在oled显示器中在多个像素的所有像素上延伸或在多个像素的至少两个像素上延伸。

573、阴极电极、也称为阴极层形成在etl或任选的eil上。

574、阴极可以由逸出功低的金属或金属合金制成。由tco制成的透明阴极在本领域中也是已知的。优选阴极电极可由金属、合金、导电性化合物或其混合物形成。阴极电极的逸出功可以是较低的。例如，阴极电极可以由锂(li)、镁(mg)、铝(al)、铝(al)-锂(li)、钙(ca)、钡(ba)、镱(yb)、镁(mg)-铟(in)、镁(mg)-银(ag)等形成。或者，阴极电极可以由透明导电氧化物、优选ito或izo形成。

575、阴极电极的厚度可以在从约5nm至约1000nm的范围内，例如从约10nm至约100nm的范围内。当阴极电极的厚度在约5nm至约50nm的范围内时，阴极电极即使由金属或金属合金形成，也可以是透明或半透明的。

576、应当理解，阴极电极不是电子注入层或电子传输层的一部分。

577、有机层的叠层

578、有机层的叠层可以由分子量小于2000g/mol的有机化合物制成。在一个替选的实施方式中，有机化合物的分子量可以小于1000g/mol。

579、有机层的叠层或其至少一个有机层(其为hil)可以形成为公共的有机层的叠层或形成为用于多个像素或至少两个像素的公共的hil。公共的有机层的叠层或hil可以在oled显示器中在多个像素的所有像素上延伸或在多个像素的至少两个像素上延伸。

580、根据一个实施方式，有机层的叠层的hil和htl在oled显示器中在多个像素的所有像素上延伸或在多个像素的至少两个像素上延伸。

581、根据一个实施方式，有机层的叠层的hil、htl和hbl在oled显示器中在多个像素的所有像素上延伸或在多个像素的至少两个像素上延伸。

582、根据一个实施方式，有机层的叠层的hil、htl和ebl在oled显示器中在多个像素的所有像素上延伸或在多个像素的至少两个像素上延伸。

583、根据一个实施方式，有机层的叠层的hil、htl、ebl和etl可以在oled显示器中在多个像素的所有像素上延伸或在多个像素的至少两个像素上延伸。

584、根据一个实施方式，有机层的叠层的hil、htl和n侧在oled显示器中在多个像素的所有像素上延伸或在多个像素的至少两个像素上延伸。

585、根据一个实施方式，有机层的叠层的hil、htl、hbl和n侧在oled显示器中在多个像素的所有像素上延伸或在多个像素的至少两个像素上延伸。

586、根据一个实施方式，有机层的叠层的hil、htl、ebl和n侧在oled显示器中在多个像素的所有像素上延伸或在多个像素的至少两个像素上延伸。

587、根据一个实施方式，有机层的叠层的hil、htl、ebl、etl和n侧可以在oled显示器中在多个像素的所有像素上延伸或在多个像素的至少两个像素上延伸。

588、优选每个单独的像素可以具有其自己的可以不与其它单独像素的etl接触的etl。

589、优选每个单独的像素可以具有其自己的可以不与其它单独像素的etl接触的etl。

590、优选每个单独的像素可以具有其自己的可以不与其它单独像素的ebl接触的ebl。

591、优选每个单独的像素可以具有其自己的可以不与其它单独像素的n侧接触的n侧。

592、制造的方法

593、另一个方面是指用于制造至少一个公共的层的方法。

594、用于制造至少一个公共的层的方法包括，其中用于制造至少一个公共的层的方法包括在一个处理步骤中通过一个大掩膜开口将各公共的层沉积在整个显示区域上。

595、在下文中，将参照实例更详细地描述实施方式。然而，本公开不限于以下实例。现在将详细参照示例性方面。