具有2晶体管竖直存储器单元及单独读取及写入栅极的存储器装置的制作方法

背景技术：

1、存储器装置广泛用于在计算机及许多其它电子产品中存储信息。存储器装置通常分成两种类型：易失性存储器装置及非易失性存储器装置。存储器装置通常具有其中存储信息的众多存储器单元。在易失性存储器装置中，存储于存储器单元中的信息在供应电源与存储器装置断开时丢失。在非易失性存储器装置中，存储于存储器单元中的信息在供应电源与存储器装置断开时保留。

2、本文中的描述涉及易失性存储器装置。最常规易失性存储器装置将信息以电荷形式存储于包含于存储器单元中的电容器结构中。随着对装置存储密度的需求增加，许多常规技术提供缩小存储器单元的大小以便提高给定装置面积的装置存储密度的方式。然而，如果存储器单元大小缩小到一定尺寸，那么物理限制及制造约束会对此类常规技术提出挑战。此外，一些常规存储器装置具有与每一存储器单元相关联的多个存取晶体管。所述常规存储器装置中的一些在读取或写入操作期间使用相同存取线(例如相同字线)控制存储器单元的多个存取晶体管。使用相同存取线会提出与常规存储器装置中的多个存取晶体管中的阈值电压相关联的一些要求。此类要求确保多个存取晶体管的正确操作。如下文详细描述，本文中描述的存储器装置包含可克服常规存储器装置面临的挑战的特征。

技术实现思路

技术特征：

1.一种设备，其包括：

2.根据权利要求1所述的设备，其中所述第一及第二沟道区具有不同材料。

3.根据权利要求2所述的设备，其中所述第一沟道区包含半导电氧化物材料。

4.根据权利要求3所述的设备，其中所述第二沟道区包含导电掺杂多晶硅。

5.根据权利要求1所述的设备，其中所述数据线在从所述第一沟道区到所述第二沟道区的所述方向上具有一长度。

6.根据权利要求1所述的设备，其中所述导电区包含金属。

7.根据权利要求1所述的设备，其中所述导电区包含接地连接。

8.根据权利要求1所述的设备，其中所述第一沟道区包含以下项中的至少一者：氧化锌锡(zto)、氧化铟锌(izo)、氧化锌(znox)、氧化铟镓锌(igzo)、氧化铟镓硅(igso)、氧化铟(inox、in2o3)、氧化锡(sno2)、氧化钛(tiox)、氮氧化锌(znxoynz)、氧化镁锌(mgxznyoz)、氧化铟锌(inxznyoz)、氧化铟镓锌(inxgayznzoa)、氧化锆铟锌(zrxinyznzoa)、氧化铪铟锌(hfxinyznzoa)、氧化锡铟锌(snxinyznzoa)、氧化铝锡铟锌(alxsnyinzznaod)、氧化硅铟锌(sixinyznzoa)、氧化锌锡(znxsnyoz)、氧化铝锌锡(alxznysnzoa)、氧化镓锌锡(gaxznysnzoa)、氧化锆锌锡(zrxznysnzoa)、氧化铟镓硅(ingasio)及磷化镓(gap)。

9.一种设备，其包括：

10.根据权利要求9所述的设备，其中所述第一及第三沟道区由与所述第二及第四沟道区的第二材料不同的第一材料形成。

11.根据权利要求9所述的设备，其中所述第一及第三沟道区由导电掺杂多晶硅形成且所述第二及第四沟道区由半导电氧化物材料形成。

12.根据权利要求9所述的设备，其进一步包括耦合到所述第一及第三沟道区的导电区，其中所述第一及第三沟道区中的每一者具有在一方向上延伸于所述数据线与所述导电区之间的长度。

13.根据权利要求9所述的设备，其中所述第一方向与所述第二方向彼此垂直。

14.根据权利要求9所述的设备，其中所述第二及第三栅极在所述第一与第四栅极之间。

15.根据权利要求9所述的设备，其中所述第二及第四栅极在所述第一与第三栅极之间。

16.一种设备，其包括：

17.根据权利要求16所述的设备，其中所述第二沟道区包含半导电氧化物材料。

18.根据权利要求17所述的设备，其中所述第一沟道区包含导电掺杂多晶硅。

19.根据权利要求16所述的设备，其中：

20.根据权利要求16所述的设备，其中：

技术总结
一些实施例包含设备及操作此类设备的方法。此类设备中的一者包含数据线、导电区及包含第一晶体管及第二晶体管的存储器单元。所述第一晶体管包含耦合到所述数据线及所述导电区的第一沟道区、电荷存储结构及第一栅极。所述第二晶体管包含耦合到所述数据线及所述电荷存储结构的第二沟道区及第二栅极。所述第一栅极与所述第二栅极电分离且在从所述第一沟道区到所述第二沟道区的方向上与所述第二栅极相对。

技术研发人员：E·S·卡曼,D·V·N·拉马斯瓦米,R·E·法肯索尔,K·M·考尔道,K·萨尔帕特瓦里,刘海涛,D·R·米尔斯,克里斯蒂安·卡亚
受保护的技术使用者：美光科技公司
技术研发日：
技术公布日：2024/3/11