发光装置及包括发光装置的电子设备的制作方法

实施方案涉及发光装置以及包括所述发光装置的电子设备。

背景技术：

1、发光装置中的有机发光装置是自发射装置，其与本领域中的装置相比，具有广视角、高对比度、短响应时间，以及在亮度、驱动电压和响应速度方面的优异的特性。

2、有机发光装置可以包括位于衬底上的第一电极，以及依次堆叠在第一电极上的空穴传输区、发射层、电子传输区和第二电极。由第一电极提供的空穴可以通过空穴传输区朝向发射层移动，并且由第二电极提供的电子可以通过电子传输区朝向发射层移动。诸如空穴和电子的载流子在发射层中复合以产生激子。这些激子从激发态跃迁至基态，从而产生光。

3、应理解，该背景技术部分旨在部分地为理解该技术提供有用的背景。然而，该背景技术部分也可以包括在本文所公开的主题的相应有效申请日之前不是相关领域的技术人员已知或理解的部分的构思、概念或认知。

技术实现思路

1、实施方案包括具有优异的发光效率、低驱动电压和长使用寿命的发光装置，以及包括所述发光装置的电子设备。

2、其它的方面将在随后的描述中被部分地阐述并且将部分地从描述中显而易见，或者可以通过本公开内容的实施方案的实践而获悉。

3、根据实施方案，提供了发光装置，所述发光装置可以包括第一电极，

4、面对所述第一电极的第二电极，以及

5、在所述第一电极与所述第二电极之间的中间层，

6、其中所述中间层包括发射层和在所述第一电极与所述发射层之间的空穴传输区，

7、所述第一电极包含具有5.3ev或大于5.3ev的功函数的绝对值的含金属的材料，

8、所述空穴传输区包括包含由式1表示的第一化合物的第一空穴传输层和包含由式2表示的第二化合物的第二空穴传输层，以及

9、所述第一化合物和所述第二化合物彼此不同。

10、[式1]

11、

12、[式2]

13、

14、在式1和式2中，

15、ar11、ar12和ar21可以各自独立地是由式2a或式2b表示的基团，

16、l11至l13和l21至l23可以各自独立地是单键、未取代的或被至少一个r10a取代的c3-c60碳环基团、或者未取代的或被至少一个r10a取代的c1-c60杂环基团，以及

17、a11至a13和a21至a23可以各自独立地是0至5的整数，

18、在式2a和式2b中，

19、x21可以是o、s、n(z21a)或c(z21a)(z21b)，其中当ar11是由式2a表示的基团时，x21可以是n(z21a)，并且当ar12是由式2a表示的基团时，x21可以是c(z21a)(z21b)，

20、x22可以是n或c(z22a)，其中当ar11是由式2b表示的基团时，x22可以是n，并且当ar12是由式2b表示的基团时，x22可以是c(z22a)，b23可以是0至3的整数，以及

21、b24可以是0至4的整数，以及

22、在式1、式2、式2a和式2b中，

23、r13、r22、r23、r21a、r21b、z21a、z21b和z22a可以各自独立地是氢、氘、-f、-cl、-br、-i、羟基基团、氰基基团、硝基基团、未取代的或被至少一个r10a取代的c1-c60烷基基团、未取代的或被至少一个r10a取代的c2-c60烯基基团、未取代的或被至少一个r10a取代的c2-c60炔基基团、未取代的或被至少一个r10a取代的c1-c60烷氧基基团、未取代的或被至少一个r10a取代的c3-c60碳环基团、未取代的或被至少一个r10a取代的c1-c60杂环基团、未取代的或被至少一个r10a取代的c6-c60芳氧基基团、未取代的或被至少一个r10a取代的c6-c60芳硫基基团、-si(q1)(q2)(q3)、-b(q1)(q2)、-c(＝o)(q1)、-s(＝o)2(q1)或-p(＝o)(q1)(q2)，

24、r13、数量为b24的r21a和数量为b23或b24的r21b中的两个或多于两个的基团可以任选地经由单键、未取代的或被至少一个r10a取代的c1-c5亚烷基基团、或者未取代的或被至少一个r10a取代的c2-c5亚烯基基团彼此连接以形成未取代的或被至少一个r10a取代的c8-c60多环基团，

25、r22、r23、数量为b24的r21a和数量为b23或b24的r21b中的两个或多于两个的基团可以任选地经由单键、未取代的或被至少一个r10a取代的c1-c5亚烷基基团、或者未取代的或被至少一个r10a取代的c2-c5亚烯基基团彼此连接以形成未取代的或被至少一个r10a取代的c8-c60多环基团，

26、r10a可以是：

27、氘、-f、-cl、-br、-i、羟基基团、氰基基团或硝基基团；

28、各自未取代的或者被氘、-f、-cl、-br、-i、羟基基团、氰基基团、硝基基团、c3-c60碳环基团、c1-c60杂环基团、c6-c60芳氧基基团、c6-c60芳硫基基团、c7-c60芳基烷基基团、c2-c60杂芳基烷基基团、-si(q11)(q12)(q13)、-n(q11)(q12)、-b(q11)(q12)、-c(＝o)(q11)、-s(＝o)2(q11)、-p(＝o)(q11)(q12)或其任意组合取代的c1-c60烷基基团、c2-c60烯基基团、c2-c60炔基基团或c1-c60烷氧基基团；

29、各自未取代的或者被氘、-f、-cl、-br、-i、羟基基团、氰基基团、硝基基团、c1-c60烷基基团、c2-c60烯基基团、c2-c60炔基基团、c1-c60烷氧基基团、c3-c60碳环基团、c1-c60杂环基团、c6-c60芳氧基基团、c6-c60芳硫基基团、c7-c60芳基烷基基团、c2-c60杂芳基烷基基团、-si(q21)(q22)(q23)、-n(q21)(q22)、-b(q21)(q22)、-c(＝o)(q21)、-s(＝o)2(q21)、-p(＝o)(q21)(q22)或其任意组合取代的c3-c60碳环基团、c1-c60杂环基团、c6-c60芳氧基基团、c6-c60芳硫基基团、c7-c60芳基烷基基团或c2-c60杂芳基烷基基团；或者

30、-si(q31)(q32)(q33)、-n(q31)(q32)、-b(q31)(q32)、-c(＝o)(q31)、-s(＝o)2(q31)或-p(＝o)(q31)(q32)，

31、q1至q3、q11至q13、q21至q23和q31至q33可以各自独立地是：氢，氘，-f，-cl，-br，-i，羟基基团，氰基基团，硝基基团，c1-c60烷基基团，c2-c60烯基基团，c2-c60炔基基团，c1-c60烷氧基基团，或者各自未取代的或者被氘、-f、氰基基团、c1-c60烷基基团、c1-c60烷氧基基团、苯基基团、联苯基基团或其组合取代的c3-c60碳环基团或c1-c60杂环基团，以及

32、*表示与相邻原子的结合位点。

33、在实施方案中，所述第一电极可以是阳极；所述第二电极可以是阴极；所述中间层可以进一步包括位于所述发射层与所述第二电极之间的电子传输区；所述空穴传输区可以进一步包括空穴注入层、发射辅助层、电子阻挡层或其任意组合；以及所述电子传输区包括空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层或其任意组合。

34、在实施方案中，所述第一电极可以直接接触所述第一空穴传输层。

35、在实施方案中，所述第一空穴传输层可以直接接触所述第二空穴传输层。

36、在实施方案中，所述第二空穴传输层可以直接接触所述发射层。

37、在实施方案中，所述空穴传输区可以不包含p-掺杂剂。

38、在实施方案中，所述含金属的材料可以是第一金属氧化物、第二金属原子或其任意组合，以及所述第一金属和所述第二金属可以各自独立地是钨(w)、钼(mo)、铜(cu)、镍(ni)、钒(v)、镧(la)、铈(ce)、镨(pr)、钕(nd)、钷(pm)、钐(sm)、铕(eu)、钆(gd)、铽(tb)、镝(dy)、钬(ho)、铒(er)、铥(tm)、镱(yb)、镥(lu)或其任意组合。

39、在实施方案中，所述含金属的材料可以不包括铟(in)的氧化物。

40、在实施方案中，l11至l13和l21至l23可以各自独立地是单键或者未取代或被r10a取代的富π电子的c3-c60环状基团。

41、在实施方案中，在式2中的ar21中，x21可以是o、s或c(z21a)(z21b)，并且x22可以是c(z22a)。

42、在实施方案中，由式2a表示的基团可以是由式2a-1至式2a-4中的一种表示的基团，其中式2a-1至式2a-4在以下解释。

43、在实施方案中，由式2a表示的基团可以是由式2a(1)至式2a(13)中的一种表示的基团，或由式2b表示的基团可以是由式2b(1)和式2b(2)中的一种表示的基团，其中式2a(1)至式2a(13)、式2b(1)和式2b(2)在以下解释。

44、在实施方案中，r13、r22、r23、r21a、r21b、z21a、z21b和z22a可以各自独立地是：氢、氘、羟基基团或硝基基团；各自未取代或被氘、-cd3、-cd2h、-cdh2、羟基基团、硝基基团、苯基基团、萘基基团、-si(q31)(q32)(q33)、-b(q31)(q32)或其任意组合取代的c1-c20烷基基团、c2-c20烯基基团、c2-c20炔基基团或c1-c20烷氧基基团；

45、各自未取代的或被氘、-cd3、-cd2h、-cdh2、羟基基团、硝基基团、c1-c20烷基基团、c2-c20烯基基团、c2-c20炔基基团、c1-c20烷氧基基团、环戊基基团、环己基基团、环庚基基团、环辛基基团、金刚烷基基团、降冰片烷基基团、降冰片烯基基团、环戊烯基基团、环己烯基基团、环庚烯基基团、苯基基团、萘基基团、芴基基团、菲基基团、蒽基基团、荧蒽基基团、苯并菲基基团、芘基基团、基基团、噻吩基基团、呋喃基基团、异吲哚基基团、吲哚基基团、吲唑基基团、咔唑基基团、苯并呋喃基基团、苯并噻吩基基团、二苯并呋喃基基团、二苯并噻吩基基团、苯并咔唑基基团、二苯并咔唑基基团、-si(q31)(q32)(q33)、-b(q31)(q32)或其任意组合取代的环戊基基团、环己基基团、环庚基基团、环辛基基团、金刚烷基基团、降冰片烷基基团、降冰片烯基基团、环戊烯基基团、环己烯基基团、环庚烯基基团、苯基基团、萘基基团、芴基基团、菲基基团、蒽基基团、荧蒽基基团、苯并菲基基团、芘基基团、基基团、噻吩基基团、呋喃基基团、异吲哚基基团、吲哚基基团、咔唑基基团、苯并呋喃基基团、苯并噻吩基基团、二苯并呋喃基基团、二苯并噻吩基基团、苯并咔唑基基团或二苯并咔唑基基团；或者

46、-si(q1)(q2)(q3)或-b(q1)(q2)，以及q1至q3和q31至q33各自独立地与式1和式2中描述的相同。

47、在实施方案中，所述第一化合物中的r13、r21a、r21b、z21a、z21b和z22a可以各自独立地是：氢、氘、羟基基团或硝基基团；未取代的或被氘、-cd3、-cd2h、-cdh2、羟基基团、硝基基团、苯基基团、萘基基团或其任意组合取代的c1-c20烷基基团；或者各自未取代的或被氘、-cd3、-cd2h、-cdh2、羟基基团、硝基基团、c1-c20烷基基团、苯基基团、萘基基团或其任意组合取代的苯基基团或萘基基团。

48、在实施方案中，所述第一化合物可以是以下解释的化合物1-1至化合物1-9中的一种。

49、在实施方案中，所述第二化合物可以是以下解释的化合物2-1至化合物2-31中的一种。

50、根据实施方案，提供了可以包括发光装置的电子设备。

51、在实施方案中，所述电子设备可以进一步包括薄膜晶体管，其中所述薄膜晶体管可以包括源电极和漏电极，并且所述发光装置的所述第一电极可以电连接至所述源电极和所述漏电极中的任一个。

52、在实施方案中，所述电子设备可以进一步包括滤色器、颜色转换层、触摸屏层、偏振层或其任意组合。