半导体结构的制备方法、半导体结构与流程

本公开涉及半导体，本公开涉及但不限于一种半导体结构的制备方法、半导体结构。

背景技术：

1、在存储器中，有源区位于基底中，有源区和基底外的存储电容之间通常采用接触插塞（node contact，nc）进行连接。

2、然而，相关技术中，在形成接触插塞的过程中，易产生缝隙。此外，对基底表层刻蚀凹槽暴露有源区时，存在暴露的有源区不均匀的问题。这样，影响了有源区和存储电容之间的导电性，进而影响了存储器的电学性能。

技术实现思路

1、有鉴于此，本公开实施例提供一种半导体结构的制备方法、半导体结构，以至少减少形成接触插塞过程产生缝隙的现象。

2、本公开实施例提供一种半导体结构的制备方法，所述方法包括：

3、提供基底，所述基底内包括多个间隔设置的字线；形成多个上窄下宽的牺牲柱于所述基底上，每一所述牺牲柱分别位于对应的一条所述字线上；对所述牺牲柱之间的所述基底进行刻蚀，以暴露出所述基底内的有源区；在所述牺牲柱之间形成导电层，所述导电层接触所述有源区；移除所述牺牲柱；在所述导电层之间形成第一隔离层，以隔绝所述导电层。

4、本公开实施例提供一种半导体结构，采用如上所述的制备方法制备的半导体结构，所述半导体结构包括：

5、基底，包括多个间隔设置的字线；

6、多个第一隔离层，位于所述基底上，且每一所述第一隔离层位于每一所述字线上；所述第一隔离层内具有空气间隙；

7、多个导电层，分别位于所述第一隔离层之间的所述基底上，所述导电层与所述基底内的有源区接触。

8、本公开实施例中，提供基底，所述基底内包括多个间隔设置的字线；形成多个牺牲柱于所述基底上，每一所述牺牲柱分别位于对应的一条所述字线上；对所述牺牲柱之间的所述基底进行刻蚀，以暴露出所述基底内的有源区；在所述牺牲柱之间形成导电层，所述导电层接触所述有源区；移除所述牺牲柱；在所述导电层之间形成第一隔离层，以隔绝所述导电层。如此，一方面，先形成位于字线上的牺牲柱，可以使得牺牲柱的位置精确且尺寸均匀性好，再刻蚀牺牲柱之间的基底，以暴露基底中的有源区，能够获得均匀的刻蚀凹槽，改善暴露的有源区的均匀性，提高填充凹槽内的导电层与有源区之间的电学性能。另一方面，相较于相关技术中先形成位于有源区上方的牺牲柱、在牺牲柱之间填充第一隔离层后去除第一隔离层之间的牺牲柱、再对第一隔离层之间的基底进行凹槽刻蚀的方案，本公开实施例中先形成位于字线上的牺牲柱后、直接对牺牲柱之间的基底进行凹槽刻蚀，可以减少相关技术中去除第一隔离层之间的牺牲柱时对第一隔离层和第一隔离层之间的基底的破坏，进一步使得后续对基底进行凹槽刻蚀时，暴露的有源区的厚度更加均匀。又一方面，形成的牺牲柱呈上窄下宽的形状，可以使得牺牲柱之间的开口呈上宽下窄的形状。这样，在牺牲柱之间的开口中形成导电层时，可以降低填充的难度，缓解导电层内部存在缝隙的现象，提高有源区和存储电容之间的导电性，改善存储器的电学性能。此外，在形成导电层后，移除牺牲柱，使得去除牺牲柱后的导电层之间的开口呈上窄下宽的形状。这样，在导电层之间的开口中形成的第一隔离层内部存在缝隙，可以提高第一隔离层的绝缘性能。

技术特征：

1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述形成多个上窄下宽的牺牲柱于所述基底上，每一所述牺牲柱位于每一所述字线上，包括：

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述基底还包括覆盖各所述字线和所述有源区的第二隔离层；

4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，

5.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，

6.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述在所述牺牲柱之间填充形成导电层，包括：

7.根据权利要求3至6任一项所述的制备方法，其特征在于，所述对所述牺牲层进行干法刻蚀，形成位于每一所述字线上的牺牲柱和多个上宽下窄的第一开口，包括：

8.根据权利要求2至6任一项所述的制备方法，其特征在于，所述字线沿第一方向延伸且沿第二方向间隔设置，所述方法还包括：

9.根据权利要求1至6任一项所述的制备方法，其特征在于，所述移除所述牺牲柱，包括：

10.一种半导体结构，其特征在于，采用如权利要求9所述的制备方法制备的半导体结构，所述半导体结构包括：

11.根据权利要求10所述的半导体结构，其特征在于，所述基底还包括覆盖各所述字线和所述有源区的第二隔离层；

12.根据权利要求10或11所述的半导体结构，其特征在于，所述字线沿第一方向延伸，所述半导体结构还包括位于所述基底表面的位线；

13.根据权利要求10或11所述的半导体结构，其特征在于，所述导电层的顶端低于所述第一隔离层的顶端。

14.根据权利要求13所述的半导体结构，其特征在于，所述空气间隙的底端位于所述导电层的顶端之上。

15.根据权利要求13所述的半导体结构，其特征在于，所述空气间隙与所述导电层部分重叠。

技术总结
本公开实施例提供一种半导体结构的制备方法、半导体结构，其中，制备方法包括：提供基底，所述基底内包括多个间隔设置的字线；形成多个上窄下宽的牺牲柱于所述基底上，每一所述牺牲柱分别位于对应的一条所述字线上；对所述牺牲柱之间的所述基底进行刻蚀，以暴露出所述基底内的有源区；在所述牺牲柱之间形成导电层，所述导电层接触所述有源区；移除所述牺牲柱；在所述导电层之间形成第一隔离层，以隔绝所述导电层。根据本公开实施例，可以至少减少形成接触插塞过程产生缝隙的现象。

技术研发人员：王恩波,陈龙阳,田彧恬,徐坤
受保护的技术使用者：长鑫存储技术有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/11