声表面波谐振器、MEMS设备的制作方法

本申请涉及谐振器，例如涉及一种声表面波谐振器、mems设备。

背景技术：

1、目前，声表面波谐振器的主要作用原理是利用压电材料的压电特性，利用输入与输出换能器将电波的输入讯号转换成机械能。通常，声表面波谐振器由衬底和设置在衬底上的叉指电极结构构成。叉指电极结构包括彼此相互平行的两个汇流条和分别垂直连接两个汇流条的多个电极指。其中，两个汇流条连接的电极指相互交替设置呈叉指状，且各电极指之间存在一定的间隙。但是仅仅具有衬底和叉指电极结构的声表面波谐振器存在很强的横向模式杂波。

技术实现思路

1、为了对披露的实施例的一些方面有基本的理解，下面给出了简单的概括。所述概括不是泛泛评述，也不是要确定关键／重要组成元素或描绘这些实施例的保护范围，而是作为后面的详细说明的序言。

2、本发明实施例提供一种声表面波谐振器、mems设备，以抑制声表面波谐振器的横向模式杂波。

3、在一些实施例中，声表面波谐振器，包括：衬底，用于声电换能；衬底的外表面设置有叉指电极结构和二氧化硅层；叉指电极结构，通过施加电压以激励声电换能；二氧化硅层，包裹叉指电极结构；氮化硅薄膜，位于叉指电极结构远离衬底的一侧，且氮化硅薄膜位于声表面波谐振器的有源区域内。

4、在一些实施例中，氮化硅薄膜被二氧化硅层包裹，且氮化硅薄膜不与叉指电极结构接触。

5、在一些实施例中，氮化硅薄膜位于二氧化硅层远离叉指电极结构的外表面。

6、在一些实施例中，叉指电极结构包括多个电极指；氮化硅薄膜的俯视形状为矩形；氮化硅薄膜的俯视形状中垂直于电极指的矩形边距离电极指末端预设长度。

7、在一些实施例中，叉指电极结构包括多个电极指；氮化硅薄膜的俯视形状为矩形；氮化硅薄膜的俯视形状中平行于电极指的矩形边与目标边缘齐平；目标边缘为平行于电极指且距离矩形边最近的衬底边缘。

8、在一些实施例中，氮化硅薄膜的厚度为预设厚度。

9、在一些实施例中，衬底由铌酸锂晶体、钽酸锂晶体、氮化铝、氧化锌或压电陶瓷制成。

10、在一些实施例中，叉指电极结构由钛、铬、银、铜、钼、铂、钨和铝中的一种或多种金属构成。

11、在一些实施例中，mems设备包括上述的声表面波谐振器。

12、在一些实施例中，mems设备包括液位传感器、振荡器、麦克风、射频开关或滤波器。

13、本发明实施例提供一种声表面波谐振器、mems设备。可以实现以下技术效果：通过设置用于声电换能的衬底，在衬底的外表面设置有叉指电极结构和二氧化硅层。其中，叉指电极结构通过施加电压以激励声电换能。二氧化硅层包裹叉指电极结构。氮化硅薄膜位于叉指电极结构远离衬底的一侧，且氮化硅薄膜位于声表面波谐振器的有源区域内。这样，将氮化硅薄膜设置在声表面波谐振器的有源区域内，有助于提高有源区的声速。从而能够抑制声表面波谐振器的横向模式杂波。

14、以上的总体描述和下文中的描述仅是示例性和解释性的，不用于限制本申请。

技术特征：

1.一种声表面波谐振器，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的声表面波谐振器，其特征在于，氮化硅薄膜被二氧化硅层包裹，且氮化硅薄膜不与叉指电极结构接触。

3.根据权利要求1所述的声表面波谐振器，其特征在于，氮化硅薄膜位于二氧化硅层远离叉指电极结构的外表面。

4.根据权利要求1至3任一项所述的声表面波谐振器，叉指电极结构包括多个电极指；其特征在于，氮化硅薄膜的俯视形状为矩形；氮化硅薄膜的俯视形状中垂直于电极指的矩形边距离电极指末端预设长度。

5.根据权利要求1至3任一项所述的声表面波谐振器，叉指电极结构包括多个电极指；其特征在于，氮化硅薄膜的俯视形状为矩形；氮化硅薄膜的俯视形状中平行于电极指的矩形边与目标边缘齐平；目标边缘为平行于电极指且距离矩形边最近的衬底边缘。

6.根据权利要求1至3任一项所述的声表面波谐振器，其特征在于，氮化硅薄膜的厚度为预设厚度。

7.根据权利要求1至3任一项所述的声表面波谐振器，其特征在于，衬底由铌酸锂晶体、钽酸锂晶体、氮化铝、氧化锌或压电陶瓷制成。

8.根据权利要求1至3任一项所述的声表面波谐振器，其特征在于，叉指电极结构由钛、铬、银、铜、钼、铂、钨和铝中的一种或多种金属构成。

9.一种mems设备，其特征在于，所述mems设备包括如权利要求1至8任一项所述的声表面波谐振器。

10.根据权利要求9所述的mems设备，其特征在于，mems设备包括液位传感器、振荡器、麦克风、射频开关或滤波器。

技术总结
本申请涉及谐振器技术领域，公开一种声表面波谐振器，包括：衬底，用于声电换能；衬底的外表面设置有叉指电极结构和二氧化硅层；叉指电极结构，通过施加电压以激励声电换能；二氧化硅层，包裹叉指电极结构；氮化硅薄膜，位于叉指电极结构远离衬底的一侧，且氮化硅薄膜位于声表面波谐振器的有源区域内。这样，将氮化硅薄膜设置在声表面波谐振器的有源区域内，有助于提高有源区的声速。从而能够抑制声表面波谐振器的横向模式杂波。本申请还公开一种MEMS设备。

技术研发人员：王博,唐供宾,邹洁
受保护的技术使用者：深圳新声半导体有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/14