阵列基板及其制备方法、显示面板和显示装置与流程

本申请涉及显示，具体地，涉及阵列基板及其制备方法、显示面板和显示装置。

背景技术：

1、随着显示技术的不断发展，消费者对更高画质及轻薄化显示屏的需求也日益增加。在oled(organic light emitting diode)显示面板中，当发光层有电流通过时，发光层中的自发光型有机材料自身即可发出光线。oled显示面板相较与lcd(liquid crystaldisplay)显示面板在对比度、色域、响应时间上均有显著优势。因而oled显示技术被誉为可替代传统lcd显示技术的次世代显示技术。但是，目前的oled显示装置仍存在分辨率较低等问题。

2、因此，目前的阵列基板及其制备方法、显示面板和显示装置仍有待改进。

技术实现思路

1、本发明是基于发明人对以下事实和问题的发现和认识做出的：

2、在相关技术中，当显示面板采用叠层设置的驱动薄膜晶体管和开关薄膜晶体管时，以驱动薄膜晶体管为低温多晶硅薄膜晶体管、开关薄膜晶体管是铟镓锌氧化物晶体管为例，由于铟镓锌氧化物的稳定性较差，需要通过设置保护结构保护有源层的沟道区不受光照影响，例如采用双栅极结构以提高铟镓锌氧化物薄膜晶体管的稳定性，从而会使得显示面板的内部结构复杂化，长期使用稳定性较差。

3、本发明旨在至少一定程度上缓解甚至解决上述技术问题中的至少之一。

4、在本申请的一个方面，本申请提出了一种阵列基板，包括：基板，第一薄膜晶体管层，所述第一薄膜晶体管层位于所述基板的一侧，所述第一薄膜晶体管层包括至少一个第一薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管包括低温多晶硅薄膜晶体管；聚合物隔层，所述聚合物隔层位于所述第一薄膜晶体管远离所述基板的一侧；第二薄膜晶体管层，所述第二薄膜晶体管位于所述聚合物隔层远离所述第一薄膜晶体管层的一侧，所述第一薄膜晶体管层包括至少一个第二薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管包括低温多晶硅薄膜晶体管；其中，至少一个所述第一薄膜晶体管的源极或漏极与所述第二薄膜晶体管的栅极通过贯穿所述聚合物隔层的通孔电连接。

5、根据本申请的实施例，所述聚合物隔层包括聚酰亚胺。

6、根据本申请的实施例，所述聚合物隔层满足以下要求的至少之一：所述聚合物隔层的厚度为1-3μm；所述聚合物隔层的平坦度小于或等于3％。

7、根据本申请的实施例，所述第一薄膜晶体管的源漏极金属包括al合金，所述al合金包括al和掺杂元素，所述铝合金中所述al元素的质量分数大于或等于95％；可选地，所述掺杂元素ni、si、la、sc中的至少一种。

8、根据本申请的实施例，所述阵列基板进一步包括：支撑层，所述支撑层位于所述基板与所述第一薄膜晶体管层之间，所述支撑层包括层叠设置的第一聚合物层、第一阻隔层、第二聚合物层、第二阻隔层、第一缓冲层，所述第一缓冲层靠近所述第一薄膜晶体管层设置，所述支撑层满足以下条件的至少之一：所述第一聚合物层包括聚酰亚胺，所述第一聚合物层的厚度为5μm-10μm；所述第二聚合物层包括聚酰亚胺，所述第二聚合物层的厚度为5μm-10μm；所述第一阻隔层包括层叠设置的二氧化硅层和非晶硅层，所述二氧化硅层的厚度为所述非晶硅层的厚度为所述第二阻隔层包括sio2，所述第二阻隔层的厚度为所述第一缓冲层包括层叠设置的氮化硅层和二氧化硅层，所述氮化硅层的厚度为所述二氧化硅层的厚度为

9、根据本申请的实施例，所述阵列基板进一步包括第二缓冲层，所述第二缓冲层位于所述聚合物隔层远离所述基板的一侧，所述第二缓冲层满足以下条件的至少之一：所述第二缓冲层包括sinx和sio2中的至少一种；所述第二缓冲层的厚度为300μm-500μm。

10、在本申请的又一个方面，本申请提出了一种制备前述的阵列基板的方法，包括：提供基板；在所述基板的一侧形成第一薄膜晶体管层；在所述第一薄膜晶体管层远离所述基板的一侧形成聚合物隔层，形成所述聚合物隔层包括对形成所述聚合物隔层的材料进行化学机械抛光处理；在所述聚合物隔层远离所述第一薄膜晶体管层的一侧形成第二薄膜晶体管层，并令所述第二薄膜晶体管的栅极通过贯穿所述聚合物隔层的通孔与至少一个所述第一薄膜晶体管的源极或漏极电连接。

11、根据本申请的实施例，形成所述聚合物隔层包括在所述化学机械抛光处理之后进行灰化处理。

12、在本申请的又一个方面，本申请提出了一种显示面板，包括前述的阵列基板。由此，该显示面板具有前述阵列基板的全部特征及优点，在此不再赘述。

13、在本申请的又一个方面，本申请提出了一种显示装置，包括前述的显示面板。由此，该显示装置具有前述显示面板的全部特征及优点，在此不再赘述。

技术特征：

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述聚合物隔层包括聚酰亚胺。

3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述聚合物隔层满足以下要求的至少之一：

4.根据权利要求1-3任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述第一薄膜晶体管的源漏极金属包括铝合金，所述铝合金包括al和掺杂元素，所述铝合金中所述al元素的质量分数大于或等于95％；可选地，所述掺杂元素ni、si、la、sc中的至少一种。

5.根据权利要求1-3任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板进一步包括：支撑层，所述支撑层位于所述基板与所述第一薄膜晶体管层之间，

6.根据权利要求1-3任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板进一步包括第二缓冲层，所述第二缓冲层位于所述聚合物隔层远离所述基板的一侧，所述第二缓冲层满足以下条件的至少之一：

7.一种制备权利要求1-6任一项所述的阵列基板的方法，其特征在于，包括：

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，形成所述聚合物隔层包括在所述化学机械抛光处理之后进行灰化处理。

9.一种显示面板，其特征在于，包括权利要求1-8任一项所述的阵列基板。

10.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求9所述的显示面板。

技术总结
本申请公开了阵列基板及其制备方法、显示面板和显示装置，阵列基板包括：基板，第一薄膜晶体管层，所述第一薄膜晶体管层位于所述基板的一侧，所述第一薄膜晶体管层包括至少一个第一薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管包括低温多晶硅薄膜晶体管；聚合物隔层，所述聚合物隔层位于所述第一薄膜晶体管远离所述基板的一侧；第二薄膜晶体管层，所述第二薄膜晶体管位于所述聚合物隔层远离所述第一薄膜晶体管层的一侧，所述第一薄膜晶体管层包括至少一个第二薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管包括低温多晶硅薄膜晶体管；其中，至少一个所述第一薄膜晶体管的源极或漏极与所述第二薄膜晶体管的栅极通过贯穿所述聚合物隔层的通孔电连接。

技术研发人员：杨静,张慧娟,盖人荣
受保护的技术使用者：京东方科技集团股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/14