1.一种滤波器，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的滤波器，其特征在于，所述第一导电片组包括多个第一导电片，所述第二导电片组包括多个第二导电片；每个所述第一导电片均与一个所述第二导电片电连接。
3.根据权利要求2所述的滤波器，其特征在于，所述压电衬底上设置有通孔，所述通孔的数量与所述第一导电片的数量相同，所述通孔的两端分别设置有所述第一导电片和所述第二导电片，所述第一导电片和所述第二导电片通过所述通孔中的导电体电连接。
4.根据权利要求1至3任意一项所述的滤波器，其特征在于，所述压电衬底包括依次层叠设置的第一压电层、钝化层和第二压电层，所述第一压电层的声阻抗与所述钝化层的声阻抗不同，所述第二压电层的声阻抗与所述钝化层的声阻抗不同；
5.根据权利要求4所述的滤波器，其特征在于，所述钝化层的声阻抗低于所述第一压电层的声阻抗，所述第一压电衬底的温漂系数小于所述第一压电层的温漂系数；
6.根据权利要求1至3任意一项所述的滤波器，其特征在于，所述压电衬底包括依次层叠设置的第一压电层、第一钝化层、基底层、第二钝化层和第二压电层，相邻两层之间的声阻抗不同；
7.根据权利要求6所述的滤波器，其特征在于，所述第一钝化层的声阻抗低于所述第一压电层的声阻抗，所述基底层的声阻抗高于所述第一钝化层的声阻抗；
8.根据权利要求4至7任意一项所述的滤波器，其特征在于，所述第一压电层和所述第二压电层的材料为钽酸锂或者铌酸锂。
9.根据权利要求6或7所述的滤波器，其特征在于，所述第一钝化层和所述第二钝化层的材料为二氧化硅。
10.根据权利要求6或7所述的滤波器，其特征在于，所述基底层的材料为硅、三氧化二铝或者碳化硅中的一种。
11.一种滤波器的制造工艺，其特征在于，所述滤波器包括基底层，所述制造工艺包括：
12.根据权利要求11所述的制造工艺，其特征在于，在所述基底层上生成压电衬底，包括：
13.根据权利要求11或12所述的制造工艺，其特征在于，在所述压电衬底上开设通孔，包括：
14.根据权利要求11或12所述的制造工艺，其特征在于，在所述第二压电层上设置有掩膜层，所述掩膜层上设置有开口，所述开口的大小与所述通孔的大小相同；
15.根据权利要求11至14任意一项所述的制造工艺，其特征在于，在所述通孔内设置导电体，包括：
16.一种滤波器的制造工艺，其特征在于，所述滤波器包括第一压电衬底，所述第一压电衬底包括依次设置的第一压电层、第一钝化层和基底层，所述制造工艺包括：
17.一种电子设备，其特征在于，包括一个或者多个射频模组，以及权利要求1至10任意一项所述的滤波器，所述滤波器设置于所述射频模组中。