1.一种半导体器件的制造方法，该制造方法包括：
2.根据权利要求1所述的制造方法，其中，在所述衬底的上表面的第一区域内形成凹槽和填充该凹槽的第一牺牲层，以及在所述衬底的上表面的第二区域之上形成第二牺牲层的步骤包括：
3.根据权利要求1所述的制造方法，在形成所述第一上电极和所述第二上电极之后，该制造方法还包括：
4.根据权利要求1-3中任一项所述的制造方法，在形成所述第一上电极和所述第二上电极之后，该制造方法还包括：
5.一种半导体器件，该半导体器件至少包括第一薄膜体声波谐振器和第二薄膜体声波谐振器，其中：
6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中：
7.根据权利要求5所述的半导体器件，该半导体器件还包括：
8.根据权利要求5-7中任一项所述的半导体器件，该半导体器件还包括：
9.一种半导体器件的制造方法，该制造方法包括：
10.根据权利要求9所述的制造方法，其中，在所述衬底的上表面的第三区域内形成凹槽和填充该凹槽的第三牺牲层，以及在所述衬底的上表面的第四区域之上形成第四牺牲层的步骤包括：
11.根据权利要求9所述的制造方法，在形成所述第三上电极和所述第四上电极之后，该制造方法还包括：
12.根据权利要求9-11中任一项所述的制造方法，在形成所述第三上电极和所述第四上电极之后，该制造方法还包括：
13.一种半导体器件，该半导体器件至少包括第三薄膜体声波谐振器和第四薄膜体声波谐振器，其中：
14.根据权利要求13所述的半导体器件，其中：
15.根据权利要求13所述的半导体器件，该半导体器件还包括：
16.根据权利要求13-15中任一项所述的半导体器件，该半导体器件还包括：