1.一种半导体存储装置，所述半导体存储装置包括：
2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中所述存储单元块包括第一存储单元块、第二存储单元块、第三存储单元块，并且其中所述第一通道晶体管电路还包括第一通道晶体管、第二通道晶体管和第三通道晶体管，所述第一通道晶体管、所述第二通道晶体管和所述第三通道晶体管被配置为传输所述驱动信号以使所述工作电压分别被施加到所述第一存储单元块、所述第二存储单元块和所述第三存储单元块。
3.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中，所述第一通道晶体管电路还包括位于所述far第一延伸部上的第一单独源极/漏极、位于所述far第二延伸部上的第二单独源极/漏极以及位于所述far第三延伸部上的第三单独源极/漏极。
4.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中所述far呈y形。
5.根据权利要求1所述的半导体存储装置，所述半导体存储装置还包括：
6.根据权利要求5所述的半导体存储装置，其中，
7.根据权利要求5所述的半导体存储装置，其中，
8.根据权利要求5所述的半导体存储装置，所述半导体存储装置还包括：
9.根据权利要求8所述的半导体存储装置，其中，
10.根据权利要求8所述的半导体存储装置，其中，
11.根据权利要求8所述的半导体存储装置，还包括：
12.根据权利要求11所述的半导体存储装置，其中，
13.根据权利要求11所述的半导体存储装置，其中，
14.一种半导体存储装置，所述半导体存储装置包括：
15.根据权利要求14所述的半导体存储装置，其中，所述第一有源区域包括第一延伸部、第二延伸部和第三延伸部，所述第一延伸部、所述第二延伸部和所述第三延伸部相对于彼此分别形成120度的角度。
16.根据权利要求14所述的半导体存储装置，其中，所述第一外围电路区域和所述存储单元区域通过接合位于所述第一衬底上的第一接合焊盘和位于所述第二衬底上的第二接合焊盘而连接，并且其中，所述第一衬底的所述第一表面和所述第二衬底的所述第二表面彼此面对。
17.根据权利要求14的半导体存储装置，其中，
18.根据权利要求17所述的半导体存储装置，所述半导体存储装置还包括：
19.根据权利要求18所述的半导体存储装置，其中，所述第一有源区域和所述第二有源区域呈y形并且是并排布置的。
20.一种电子系统，所述电子系统包括：