振动元件的制造方法与流程

文档序号:37513012发布日期:2024-04-01 14:20阅读:11来源:国知局
振动元件的制造方法与流程

本发明涉及振动元件的制造方法。


背景技术:

1、在专利文献1中,作为具有在正面和下表面分别具有槽的一对振动臂的石英振动片的制造方法,记载了如下方法:利用干蚀刻的微观负载(microloading)效应,一并形成石英振动片的外形形状和各振动臂的槽。另外,微观负载效应是指如下效应:在加工宽度窄的密部位置和加工宽度宽的疏部位置中,即使在相同条件下进行干蚀刻,疏部位置的加工深度也比密部位置深,即,蚀刻速率较大。

2、专利文献1:日本特开2007-013382号公报

3、但是,在专利文献1中,由于利用微观负载效应一并形成外形形状和槽,因此对振动臂的宽度、振动臂彼此的分离距离等外形形状、槽的宽度、深度等槽形状产生制约。因此,存在设计自由度低、例如无法对多个振动臂形成相同宽度且深度不同的槽的课题。


技术实现思路

1、本发明的振动元件的制造方法是如下的振动元件的制造方法,所述振动元件具有处于正反关系的第1面和第2面,并具有:第1振动臂,其具有在所述第1面开口的有底的第1槽;以及第2振动臂,其具有在所述第1面开口的有底的第2槽,所述振动元件的制造方法包含:准备工序,准备具有所述第1面和所述第2面的石英基板;第1保护膜形成工序,在将所述石英基板的形成有所述振动元件的区域设为元件形成区域、形成有所述第1槽的区域设为第1槽形成区域、形成有所述第2槽的区域设为第2槽形成区域时,在所述第2槽形成区域上形成第1保护膜;第2保护膜形成工序,在所述第1槽形成区域上形成蚀刻速率比所述第1保护膜低的第2保护膜;第3保护膜形成工序,在所述元件形成区域的除所述第1槽形成区域和所述第2槽形成区域以外的区域上形成第3保护膜;以及第1干蚀刻工序,经由所述第1保护膜、所述第2保护膜和所述第3保护膜而从所述第1面侧对所述石英基板进行干蚀刻。



技术特征:

1.一种振动元件的制造方法,所述振动元件具有处于正反关系的第1面和第2面,并具有:第1振动臂,其具有在所述第1面开口的有底的第1槽;以及第2振动臂,其具有在所述第1面开口的有底的第2槽,该振动元件的制造方法的特征在于,包含:

2.根据权利要求1所述的振动元件的制造方法,其中,

3.根据权利要求2所述的振动元件的制造方法,其中,

4.根据权利要求1所述的振动元件的制造方法,其中,

5.根据权利要求1所述的振动元件的制造方法,其中,

6.根据权利要求1所述的振动元件的制造方法,其中,

7.根据权利要求1所述的振动元件的制造方法,其中,

8.根据权利要求7所述的振动元件的制造方法,其中,


技术总结
提供振动元件的制造方法,能够容易地形成深度不同的第1槽和第2槽。振动元件的制造方法包含:准备工序,准备具有处于正反关系的第1面和第2面的石英基板;第1保护膜形成工序,在将石英基板的形成有振动元件的区域设为元件形成区域、形成有第1槽的区域设为第1槽形成区域、形成有第2槽的区域设为第2槽形成区域时,在第2槽形成区域上形成第1保护膜;第2保护膜形成工序,在第1槽形成区域上形成蚀刻速率比第1保护膜低的第2保护膜;第3保护膜形成工序,在元件形成区域的除第1槽形成区域和第2槽形成区域以外的区域上形成第3保护膜;以及第1干蚀刻工序,经由第1保护膜、第2保护膜和第3保护膜而从第1面侧对石英基板进行干蚀刻。

技术研发人员:渡边司,山口启一,白石茂,西泽龙太
受保护的技术使用者:精工爱普生株式会社
技术研发日:
技术公布日:2024/3/31
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