显示面板、显示装置及显示面板制备方法与流程

本申请涉及显示，尤其涉及一种显示面板、显示装置及显示面板制备方法。

背景技术：

1、随着显示技术的发展，对显示面板分辨率的要求越来越高。为了实现高分辨率，通常采用高精度掩模板(mask)设计如高精度金属掩模板(fine metal mask，fmm)，但是工艺实现上存在技术难度，尤其是分辨率大于800ppi之后，难以实现高精度的张网技术和蒸镀对位技术，并且mask材料成本较高。由此，采用光刻技术来实现显示面板的子像素图案(pattern)化的工艺应运而生。相比fmm技术，使用光刻技术得到的显示面板具有更高的精度和更高的像素开口率。

技术实现思路

1、本申请提供一种显示面板、显示装置及显示面板制备方法，用于解决现有技术中显示面板的电极层与导电隔离柱搭接不良，影响显示效果的问题。

2、第一方面，本申请提供了一种显示面板，包括：

3、衬底基板；

4、在衬底基板上呈阵列排布的多个像素，每个像素包括多个子像素，每个子像素包括层叠设置在衬底基板上的第一电极层、有机发光功能层以及第二电极层；

5、位于衬底基板上的像素界定层，像素界定层包括多个像素开口，每个像素开口对应于一个子像素；

6、导电隔离柱，设置在像素界定层的远离衬底基板的一侧，且导电隔离柱用于围绕各个所述子像素设置，用于隔断相邻子像素的有机发光功能层；

7、其中，第二电极层包括层叠设置的第一子电极层和第二子电极层，第一子电极层设置于有机发光功能层的远离衬底基板的一侧，第二子电极层覆盖于第一子电极层的远离衬底基板的一侧，且第二子电极层搭接于位于对应的像素开口周围的导电隔离柱。

8、在一种可能的实施方式中，导电隔离柱剖面的形状为梯形，其中，梯形的远离衬底基板的底边的长度大于梯形的靠近衬底基板的底边的长度，或者，梯形的远离衬底基板的底边的长度小于梯形的靠近衬底基板的底边的长度。

9、在一种可能的实施方式中，梯形的导电隔离柱的底边和腰边的倾角范围为(50度，80度)。

10、在一种可能的实施方式中，导电隔离柱包括金属层和用于塑造导电隔离柱的形状的塑形层，塑形层设置于像素界定层的远离衬底基板的一侧，金属层覆盖于塑形层的远离衬底基板的一侧，第二子电极层与金属层搭接。

11、在一种可能的实施方式中，像素界定层包括有机像素界定层和无机像素界定层，无机像素界定层覆盖于有机像素界定层的远离衬底基板的一侧和有机像素界定层的侧壁。

12、在一种可能的实施方式中，导电隔离柱的远离衬底基板的一侧设置有遮挡区，且导电隔离柱在衬底基板上的正投影，位于遮挡区在衬底基板上的正投影内。

13、在一种可能的实施方式中，0.1μm小于(w1-w2)/2小于3μm，其中，w1为遮挡区的宽度，w2为导电隔离柱的宽度。

14、在一种可能的实施方式中，第二子电极层为透明金属氧化物层。

15、在一种可能的实施方式中，导电隔离柱的在垂直于衬底基板的方向上的高度范围为400nm-3000nm。

16、第二方面，本申请还提供了一种显示面板制备方法，包括：

17、在衬底基板的一侧形成第一电极层；

18、在第一电极层的远离衬底基板的一侧形成像素界定层，像素界定层包括多个像素开口，每个像素开口对应一个子像素；每个像素开口的在衬底基板上的正投影，位于第一电极层在衬底基板上的正投影内；

19、在像素界定层的远离衬底基板的一侧形成导电隔离柱；

20、在第一电极层上依次形成有机发光功能层和第二电极层，其中，第二电极层包括第一子电极层和第二子电极层，第一子电极层设置于有机发光功能层的远离衬底基板的一侧且第一子电极层位于对应的像素开口内，且第二子电极层搭接于位于对应的像素开口周围的导电隔离柱。

21、在一种可能的实施方式中，在第一电极层上依次形成有机发光功能层和第二电极层，包括：

22、在第一电极层上形成有机发光功能层；

23、在有机发光功能层的远离衬底基板的一侧，蒸镀第一子电极层；

24、在第一子电极层的远离衬底基板的一侧，溅射第二子电极层。

25、在一种可能的实施方式中，像素界定层包括层叠设置的有机像素界定层和无机像素界定层，在衬底基板的一侧形成像素界定层，包括：

26、在衬底基板的一侧形成有机像素界定层；

27、有机像素界定层的远离衬底基板的一侧和有机像素界定层的侧壁覆盖无机像素界定层。

28、在一种可能的实施方式中，在第一电极层上依次形成有机发光功能层和第二电极层，包括：

29、在导电隔离柱、多个像素开口，依次形成多个子像素中的第一子像素的有机发光功能层和第二电极层；

30、刻蚀多个子像素中的第二子像素和第三子像素分别对应的像素开口中的有机发光功能层和第二电极层，以及刻蚀导电隔离柱一侧的第一子像素的有机发光功能层和第二电极层；

31、在导电隔离柱、第一子像素对应的第二电极层、以及第二子像素和第三子像素分别对应的像素开口，依次蒸镀多个子像素中的第二子像素的有机发光功能层和第二电极层；

32、刻蚀导电隔离柱、第一子像素对应的第二电极层、第三子像素的像素开口，分别对应的第二子像素的有机发光功能层和第二电极层；

33、在导电隔离柱、第一子像素对应的第二电极层、第二子像素对应的第二电极层以及第三子像素对应的像素开口，依次蒸镀多个子像素中的第三子像素对应的有机发光功能层和第二电极层；

34、刻蚀在导电隔离柱、第一子像素对应的第二电极层、第二子像素对应的第二电极层一侧的第三子像素的有机发光功能层和第二电极层。

35、第三方面，本申请还提供了一种显示装置，包括本申请第一方面提供的显示面板。

36、本申请提供一种显示面板，由于第二电极层包括层叠设置的第一子电极层和第二子电极层，第一子电极层设置于有机发光功能层的远离衬底基板的一侧，第二子电极层覆盖于第一子电极层的远离衬底基板的一侧，且第二子电极层搭接于位于对应的像素开口周围的导电隔离柱。这样一来，第一子电极层和第二子电极层共同构成子像素的阴极，使得子像素的阴极能够良好的搭接在导电隔离柱上，使得子像素的阳极和阴极能够正常激发有机发光功能层发光，保证了显示面板的显示效果。

技术特征：

1.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括：

2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述导电隔离柱剖面的形状为梯形，其中，所述梯形的远离所述衬底基板的底边的长度大于所述梯形的靠近所述衬底基板的底边的长度，或者，所述梯形的远离衬底基板的底边的长度小于所述梯形的靠近所述衬底基板的底边的长度。

3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，梯形的所述导电隔离柱的底边和腰边的倾角范围为(50度，80度)。

4.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述导电隔离柱包括金属层和用于塑造所述导电隔离柱的形状的塑形层，所述塑形层设置于所述像素界定层的远离所述衬底基板的一侧，所述金属层覆盖于所述塑形层的远离所述衬底基板的一侧，所述第二子电极层与所述金属层搭接。

5.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述像素界定层包括有机像素界定层和无机像素界定层，所述无机像素界定层覆盖于所述有机像素界定层的远离所述衬底基板的一侧和所述有机像素界定层的侧壁。

6.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述导电隔离柱的远离所述衬底基板的一侧设置有遮挡区，且所述导电隔离柱在所述衬底基板上的正投影，位于所述遮挡区在所述衬底基板上的正投影内。

7.根据权利要求6所述的显示面板，其特征在于，0.1μm小于(w1-w2)/2小于3μm，其中，w1为所述遮挡区的宽度，w2为所述导电隔离柱的宽度。

8.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第二子电极层为透明金属氧化物层。

9.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述导电隔离柱的在垂直于所述衬底基板的方向上的高度范围为400nm-3000nm。

10.一种显示面板制备方法，其特征在于，所述方法包括：

11.根据权利要求10所述的显示面板制备方法，其特征在于，所述在所述第一电极层上依次形成有机发光功能层和第二电极层，包括：

12.根据权利要求10所述的显示面板制备方法，其特征在于，所述像素界定层包括层叠设置的有机像素界定层和无机像素界定层，在衬底基板的一侧形成像素界定层，包括：

13.根据权利要求10所述的显示面板制备方法，其特征在于，所述在所述第一电极层上依次形成有机发光功能层和第二电极层，包括：

14.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1-9任一所述的显示面板。

技术总结
本申请一种显示面板、显示装置及显示面板制备方法，涉及显示技术领域。该显示面板包括在衬底基板上呈阵列排布的多个像素，每个像素包括多个子像素，每个子像素包括层叠设置在衬底基板上的第一电极层、有机发光功能层以及第二电极层；导电隔离柱，设置在像素界定层的远离衬底基板的一侧，且导电隔离柱用于围绕各个所述子像素设置，用于隔断相邻子像素的有机发光功能层；第二电极层包括层叠设置的第一子电极层和第二子电极层，第一子电极层设置于有机发光功能层的远离衬底基板的一侧，第二子电极层覆盖于第一子电极层的远离衬底基板的一侧，且第二子电极层搭接于位于对应的像素开口周围的导电隔离柱。

技术研发人员：张永峰,焦志强,袁广才
受保护的技术使用者：京东方科技集团股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/16