一种射频频率自校准方法与流程

本发明涉及通信，具体来说，涉及一种射频频率自校准方法。

背景技术：

1、现有调频连续波雷达所采用vco主要为开环方式，由于器件精度所限，vco做不到完全一致，相同调谐电压得到的射频频率会有较大差异。对于频率偏差较远的产品，射频频点不能准确和天线频点对齐，天线增益降低，收发隔离度减弱，最终信噪比变差。

2、少数采用pll链路的，响应时间长，链路更复杂成本加大，且需要更大尺寸难以适应小尺寸产品。

3、本文提供的背景描述用于总体上呈现本公开的上下文的目的。除非本文另外指示，在该章节中描述的资料不是该申请的权利要求的现有技术并且不要通过包括在该章节内来承认其成为现有技术。

技术实现思路

1、针对相关技术中的上述技术问题，本发明提出一种射频频率自校准方法，用于对待校准件进行校准，所述待校准件包括：一压控振荡器vco、功分器、混频器、微控制单元mcu；其包括如下步骤：

2、s1，控制待校准件的mcu输出一固定调谐电压v，并得到的待校准件的中频电压值vcal(if)，其中所述固定调谐电压v一一对应标准件的固定调谐电压v；所述标准件与所述待校准件的电路相同；

3、s2，修正待校准件mcu输出的调谐电压使得其输出的中频电压值与所述标准件的中频电压值相同，获取此时的调谐电压的修正量，对待校准件mcu的调谐电压均平移所述修正量得到校准后的调谐电压。

4、第二方面，本发明的另一个实施例提供了一种射频频率自校准方法，用于对待校准件进行校准，所述待校准件包括：一压控振荡器vco、功分器、混频器、微控制单元mcu；其包括如下步骤：

5、s1，控制待校准件的mcu输出调谐电压v，并得到的待校准件的中频波形；所述标准件与所述待校准件的电路相同；

6、s2，平移所述待校准件mcu输出的调谐电压使得其输出的中频波形与所述标准件的中频波形相似度最高，获取此时的平移调谐电压得到校准后的调谐电压。

7、第三方面，本发明的另一个实施例提供了一种射频频率自校准方法，用于对待校准件进行校准，所述待校准件包括：一压控振荡器vco、功分器、混频器、微控制单元mcu、一鉴相器、一参考源，所述鉴相器一端与混频器相连，另一端与mcu相连；所述参考源与鉴相器相连；

8、s1，控制待校准件的mcu输出一固定调谐电压v，并得到的待校准件的中频电压值vcal(if)，其中所述固定调谐电压v一一对应标准件的固定调谐电压v；所述标准件与所述待校准件的电路相同；

9、s2，修正待校准件mcu输出的调谐电压使得其鉴相器输出的鉴相电压值与所述标准件的鉴相电压值相同，获取此时的调谐电压的修正量，对待校准件mcu的调谐电压均平移所述修正量得到校准后的调谐电压。

10、本发明通过简单链路实现了射频频率自校准，能够充分利用天线的最佳频点，提升信噪比，进一步改善了产品性能，并且在简单链路中实现了自校准，对器件精度不再有过高要求，节省了成本；本发明用中频信号特征从而判断射频频率，通过简单链路实现了射频频率校准，无需较为复杂的pll，可以更好地满足低功耗、小尺寸、低成本的需求。本发明通过与标准件中频特征进行比较，平移调谐电压直至中频特征一致实现射频的自校准。

技术特征：

1.一种射频频率自校准方法，用于对待校准件进行校准，所述待校准件包括：一压控振荡器vco、功分器、混频器、微控制单元mcu；其特征在于：包括如下步骤：

2.一种射频频率自校准方法，用于对待校准件进行校准，所述待校准件包括：一压控振荡器vco、功分器、混频器、微控制单元mcu；其特征在于：包括如下步骤：

3.一种射频频率自校准方法，用于对待校准件进行校准，所述待校准件包括：一压控振荡器vco、功分器、混频器、微控制单元mcu、一鉴相器、一参考源，所述参考源用于提供参考信号与自耦和信号进行相位比较，从而得到相位差信息，所述鉴相器一端与混频器相连，另一端与mcu相连；所述参考源与鉴相器相连；其特征在于：包括如下步骤：

技术总结
本发明提供了一种射频频率自校准方法，用于对待校准件进行校准，其包括如下步骤：S1，控制待校准件的MCU输出一固定调谐电压V，并得到的待校准件的中频电压值Vcal(IF)，其中所述固定调谐电压V一一对应标准件的固定调谐电压V；所述标准件与所述待校准件的电路相同；S2，修正待校准件MCU输出的调谐电压使得其输出的中频电压值与所述标准件的中频电压值相同，获取此时的调谐电压的修正量，对待校准件MCU的调谐电压均平移所述修正量得到校准后的调谐电压。本发明用中频信号特征从而判断射频频率，通过简单链路实现了射频频率校准，无需较为复杂的PLL，可以更好地满足低功耗、小尺寸、低成本的需求。

技术研发人员：邓白玉,穆雪峰
受保护的技术使用者：湖南迈克森伟电子科技有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/15