显示面板的制作方法

本技术涉及显示，具体涉及一种显示面板。

背景技术：

1、oled(organic light-emitting diode，有机发光二极体)显示面板的偏光片中存在k元素，在高温高湿的环境中，偏光片的k元素溶解在水中，阴极层位于封装区的部分处于带负电状态，其产生的电场会将k+离子迁移至封装层的位置，k+离子和封装层中的siox反应生成k2sio3和氢气，封装层膨胀变形，导致显示面板封装失效。

2、故，有必要提出一种新的技术方案，以解决上述技术问题。

技术实现思路

1、本技术的目的在于提供一种显示面板，旨在解决显示面板封装失效的问题。

2、为解决上述问题，本技术的技术方案如下：

3、本技术提出了一种显示面板，包括显示区和位于所述显示区外围的非显示区，显示面板包括：

4、衬底；

5、缓冲层，设于所述衬底上；

6、栅极绝缘层，设于所述缓冲层上；

7、层间介质层，设于所述栅极绝缘层上；

8、第一金属件，设于所述层间介质层位于所述非显示区的部分上，所述第一金属件包括第一金属底部、第一金属中间部和第一金属顶部，其中，所述第一金属底部设于所述层间介质层上，所述第一金属中间部设于所述第一金属底部上，所述第一金属顶部设于所述第一金属中间部上，所述第一金属中间部靠近或远离所述显示区的一表面设有第一凹部；

9、阴极绝缘层，所述阴极绝缘层的第一部分覆盖所述第一金属顶部背离所述衬底的一表面，所述阴极绝缘层的第二部分覆盖所述第一金属件背离所述第一凹部的一表面；

10、有机层，所述有机层包括第一有机部和第二有机部，其中，所述第一有机部设于所述层间介质层上，所述第二有机部设于所述阴极绝缘层上，所述第一有机部和所述第二有机部间隔设置；和

11、阴极层，所述阴极层包括第一阴极部和第二阴极部，其中，所述第一阴极部设于所述第一有机部上，所述第二阴极部设于所述第二有机部上，所述第一阴极部和所述第二阴极部间隔设置；

12、其中，所述第一凹部位于所述阴极绝缘层的第一部分的下方。

13、在本技术的一实施例中，所述阴极绝缘层包括：

14、第一绝缘部，设于所述第一金属件上，并覆盖所述第一金属顶部背离所述衬底的一表面，所述第一凹部位于所述第一绝缘部的下方；和

15、第二绝缘部，设于所述层间介质层上，并覆盖所述第一金属件背离所述第一凹部的一表面，所述第二绝缘部与所述第一绝缘部连接，所述第一绝缘部背离所述衬底的一表面和所述第二绝缘部背离所述衬底的一表面齐平；

16、其中，所述第二有机部设于所述第一绝缘部上和所述第二绝缘部上。

17、在本技术的一实施例中，所述第一金属中间部在所述衬底上的投影位于所述第一金属顶部在所述衬底上的投影范围内，所述第一金属顶部背离所述第二绝缘部的一表面到所述第一金属中间部背离所述第二绝缘部的一表面的距离处于0.1μm至0.5μm的范围内。

18、在本技术的一实施例中，所述显示面板还包括垫层，所述垫层设于所述栅极绝缘层位于所述非显示区的部分上，且所述垫层位于所述层间介质层和所述栅极绝缘层之间；

19、其中，所述层间介质层包括第一介质部和第二介质部，所述第一介质部设于所述栅极绝缘层上，所述第二介质部设于所述垫层上，所述第一金属件、所述阴极绝缘层、所述第二有机部、所述第二阴极部依次层叠于所述第二介质部上。

20、在本技术的一实施例中，所述非显示区包括封装区和位于所述封装区远离所述显示区一侧的通孔区，所述显示面板还包括挡墙，所述挡墙设于所述层间介质层位于封装区的部分，并将所述封装区分隔为第一封装区域和第二封装区域；

21、其中，所述第一封装区域位于所述挡墙靠近所述显示区的一侧，所述第二封装区域位于所述挡墙远离所述显示区的一侧，所述第一金属件设于所述层间介质层位于所述第一封装区域的部分上。

22、在本技术的一实施例中，所述第一凹部设于所述第一金属件远离所述显示区的一表面，所述第二绝缘部设于所述第一金属件靠近所述显示区的一表面；

23、其中，所述第一金属顶部靠近所述显示区的一表面、所述第一金属中间部靠近所述显示区的一表面和所述第一金属底部靠近所述显示区的一表面齐平，所述第一金属顶部靠近所述显示区的一表面与所述第二绝缘部抵接，所述第一金属中间部靠近所述显示区的一表面与所述第二绝缘部抵接，所述第一金属底部靠近所述显示区的一表面与所述第二绝缘部抵接。

24、在本技术的一实施例中，所述第一凹部设于所述第一金属件靠近所述显示区的一表面，所述第二绝缘部设于所述第一金属件远离所述显示区的一表面；

25、其中，所述第一金属顶部远离所述显示区的一表面、所述第一金属中间部远离所述显示区的一表面和所述第一金属底部远离所述显示区的一表面齐平，所述第一金属顶部远离所述显示区的一表面与所述第二绝缘部抵接，所述第一金属中间部远离所述显示区的一表面与所述第二绝缘部抵接，所述第一金属底部远离所述显示区的一表面与所述第二绝缘部抵接。

26、在本技术的一实施例中，所述垫层的厚度处于40nm至1500nm的范围内；

27、所述第一金属件的厚度处于700nm至1000nm的范围内。

28、在本技术的一实施例中，多个所述垫层沿从所述显示区指向所述非显示区的方向间隔设置在所述非显示区，至少一个所述第二介质部上设有所述第一金属件，至少一个所述第二介质部上设有第二金属件，所述第二金属件包括：

29、第二金属底部，设于所述第二介质部上；

30、第二金属中间部，设于所述第二金属底部上，所述第二金属中间部靠近所述显示区的一表面设有第二凹部，所述第二金属中间部远离所述显示区的一表面设有第三凹部；和

31、第二金属顶部，设于所述第二金属中间部上，其中，所述第二凹部和所述第三凹部均位于所述第二金属顶部的下方；

32、其中，所述有机层还包括第三有机部，所述第三有机部设于所述第二金属顶部上，所述第三有机部、所述第一有机部和所述第二有机部间隔设置；

33、所述阴极层还包括第三阴极部，所述第三阴极部设于所述第三有机部上，所述第三阴极部、所述第一阴极部和所述第二阴极部间隔设置。

34、在本技术的一实施例中，所述非显示区包括绕线区、封装区和通孔区，所述绕线区位于所述封装区靠近所述显示区的一侧，所述通孔区位于所述封装区远离所述显示区的一侧，所述显示面板还包括平坦层，所述平坦层设于所述层间介质层位于所述绕线区的部分上；

35、其中，所述第二绝缘部设于所述层间介质层位于所述绕线区的部分上，并位于所述平坦层靠近所述封装区的一侧，所述第二绝缘部背离所述衬底的一表面和所述平坦层背离所述衬底的一表面齐平；

36、所述第一金属件设于所述层间介质层位于所述绕线区的部分上，并位于所述第二绝缘部靠近所述封装区的一侧；

37、所述第一凹部设于所述第一金属件靠近所述封装区的一侧。

38、在本技术中，第一金属中间部靠近或远离显示区的一表面设有第一凹部，在通过蒸镀形成有机层的过程中，有机层在第一凹部处隔断，形成间隔设置的第一有机部和第二有机部。在通过蒸镀形成阴极层的过程中，阴极层在第一凹部处隔断，形成间隔设置的第一阴极部和第二阴极部。此时，由于第一阴极部和第二阴极部隔断，且第二阴极部和第一金属件之间设置有阴极绝缘层，第一阴极部和第二阴极部无法通过第一金属件导通，使得位于非显示区的第二阴极部不带电，大幅减缓了k元素向封装层迁移的速率，减少了k元素与封装层反应产生的气体产物，避免了封装层膨胀变形，解决了显示面板封装失效的问题。