一种滤波器芯片的封装结构及封装方法与流程

本发明涉及滤波器芯片的，尤其涉及一种滤波器芯片的封装结构及封装方法。

背景技术：

1、滤波器，顾名思义，是对波进行过滤的器件，是移动通讯终端产品的重要部件。其中滤波器芯片晶圆级的封装是滤波器制造过程中必不可少的环节，但是对于封装的过程和封装后的产品仍存在一些问题需求克服，例如提升滤波器芯片集成度等。

技术实现思路

1、本发明实施例提供一种滤波器芯片的封装结构及封装方法，将两个晶圆结构对位设置，提升滤波器芯片封装结构的集成度。

2、第一方面，本发明实施例提供一种滤波器芯片的封装结构，包括晶圆结构，所述晶圆结构包括第一晶圆结构和第二晶圆结构；沿所述封装结构的厚度方向，所述第一晶圆结构的中心与所述第二晶圆结构的中心的投影重合；

3、所述第一晶圆结构包括相对设置的第一表面和第二表面，所述第二晶圆结构包括相对设置的第三表面和第四表面，所述第二表面位于所述第一表面靠近所述第二晶圆结构的一侧，所述第三表面位于所述第四表面靠近所述第一晶圆结构的一侧；

4、所述封装结构还包括功能结构，所述功能结构包括第一功能区和第二功能区，所述第一功能区位于所述第二表面远离所述第一表面的一侧，所述第二功能区位于所述第三表面远离所述第四表面的一侧；

5、所述封装结构还包括电极结构，所述电极结构包括多个第一电极和多个第二电极，所述第一电极位于所述第二表面远离所述第一表面的一侧，并且多个所述第一电极位于所述第一功能区的两侧；所述第二电极位于所述第三表面远离所述第四表面的一侧，并且多个所述第二电极位于所述第二功能区的两侧；沿所述封装结构的厚度方向，所述第一电极与所述第二电极的投影不交叠；

6、所述封装结构还包括键合胶层，所述键合胶层位于所述第二表面和所述第三表面之间，沿所述封装结构的厚度方向，所述键合胶层的投影覆盖所述电极结构的投影，所述键合胶层与所述功能结构的投影不交叠；

7、所述第二晶圆结构包括通孔，所述通孔贯穿所述第二晶圆结构，所述通孔包括多个第一通孔和第二通孔，沿所述封装结构的厚度方向，所述第一通孔与所述第一电极的投影存在交叠，所述第二通孔与所述第二电极的投影存在交叠；

8、所述封装结构还包括金属连接结构，所述金属连接结构包括第一连接结构和第二连接结构，所述第一连接结构位于所述第一通孔并与所述第一电极电连接，所述第二连接结构位于所述第二通孔并与所述第二电极电连接。

9、可选的，所述第二晶圆结构的厚度为h1，所述第一晶圆结构的厚度为h2，其中，h1＜h2。

10、可选的，沿所述封装结构的厚度方向，所述第一功能区和所述第二功能区之间存在间隙m，其中，m＞0微米。

11、可选的，所述第一电极指向所述第一功能区最小距离的方向与所述第二电极指向所述第二功能区的最小距离的方向在所述封装结构的厚度方向上重合；

12、或者，所述第一电极指向所述第一功能区最小距离的方向与所述第二电极指向所述第二功能区的最小距离的方向在所述封装结构的厚度方向上平行。

13、可选的，沿所述封装结构的厚度方向，所述第一功能区的中心与所述第二功能区的中心的投影重合；

14、位于所述第一功能区两侧的所述第一电极与所述第一功能区的最小距离均为s1，位于所述第二功能区两侧的所述第二电极与所述第二功能区的最小距离均为s2，其中，s1＜s2或者s1＞s2。

15、可选的，沿所述封装结构的厚度方向，所述第一功能区的中心与所述第二功能区的中心的投影重合；

16、位于所述第一功能区两侧的所述第一电极与所述第一功能区的最小距离分别为s3和s4；位于所述第二功能区两侧的所述第二电极与所述第二功能区的最小距离分别为s4和s3，其中，0＜|s3-s4|。

17、可选的，沿所述封装结构的厚度方向，所述第一功能区的中心与所述第二功能区的中心的投影不交叠；

18、位于所述第一功能区一侧的所述第一电极与所述第一功能区的最小距离为s5，位于所述第二功能区一侧的所述第二电极与所述第二功能区的最小距离为s6，其中s5＝s6。

19、可选的，所述封装结构还包括凸点结构，所述凸点结构包括第一凸点和第二凸点，所述第一凸点与所述第一连接结构电连接，所述第二凸点与所述第二连接结构电连接。

20、第二方面，本发明实施例提供一种滤波器芯片的封装方法，用于制备第一方面所述的封装结构，所述封装方法包括：

21、提供第一晶圆结构和第二晶圆结构，所述第一晶圆结构包括多个第一电极和第一功能区，所述第二晶圆结构包括多少第二电极和第二功能区；其中，所述第一晶圆结构包括相对设置的第一表面和第二表面，所述第二晶圆结构包括相对设置的第三表面和第四表面；所述第一功能区位于所述第二表面远离所述第一表面的一侧，所述第二功能区位于所述第三表面远离所述第四表面的一侧；所述第一电极位于所述第二表面远离所述第一表面的一侧，并且多个所述第一电极位于所述第一功能区的两侧；所述第二电极位于所述第三表面远离所述第四表面的一侧，并且多个所述第二电极位于所述第二功能区的两侧；

22、在所述第二表面制备键合胶；

23、刻蚀所述键合胶并至少露出所述第一功能区和部分所述第一电极，未被刻蚀的所述键合胶包括键合胶层，所述键合胶层覆盖至少部分所述第一电极；

24、对位键合所述第一晶圆结构和所述第二晶圆结构；其中，所述第二表面位于所述第一表面靠近所述第二晶圆结构的一侧，所述第三表面位于所述第四表面靠近所述第一晶圆结构的一侧；并且沿所述第一晶圆结构的厚度方向，所述第一电极与所述第二电极的投影不交叠，所述键合胶层的投影覆盖所述第一电极和所述第二电极；

25、刻蚀所述第二晶圆结构，在所述第二晶圆结构制备通孔，所述通孔贯穿所述第二晶圆结构；所述通孔包括多个第一通孔和第二通孔，沿所述封装结构的厚度方向，所述第一通孔与所述第一电极的投影存在交叠，所述第二通孔与所述第二电极的投影存在交叠；

26、制备金属连接结构并填充所述通孔；所述金属连接结构包括第一连接结构和第二连接结构，所述第一连接结构位于所述第一通孔并与所述第一电极电连接，所述第二连接结构位于所述第二通孔并与所述第二电极电连接。

27、可选的，刻蚀所述第二晶圆结构，在所述第二晶圆结构制备通孔，所述通孔贯穿所述第二晶圆结构之前，还包括：

28、在所述第四表面的一侧对所述第二晶圆结构进行减薄，减薄后的所述第二晶圆结构的厚度为h1，所述第一晶圆结构的厚度为h2，其中，h1＜h2；

29、制备金属连接结构并填充所述通孔之后，还包括：

30、在所述金属连接结构远离所述第一晶圆结构的一侧制备凸点结构，所述凸点结构包括第一凸点和第二凸点，所述第一凸点与所述第一连接结构电连接，所述第二凸点与所述第二连接结构电连接。

31、本发明实施例提供一种滤波器芯片的封装结构，该滤波器芯片的封装结构包括晶圆结构、功能结构、电极结构、键和胶层和金属连接结构，其中晶圆结构包括第一晶圆结构和第二晶圆结构，第一晶圆结构包括相对设置的第一表面和第二表面，第二晶圆结构包括相对设置的第三表面和第四表面，并且第一晶圆结构的第二表面和第二晶圆结构的第三表面相对设置。进一步的，功能结构包括第一功能区和第二功能区，第一功能区位于第二表面的一侧，第二功能区位于第三表面的一侧，并且在功能区的两层设置多个电极结构。体现本发明实施例提供的滤波器芯片的封装结构包括两个晶圆结构，并且每个晶圆结构均设置一个功能结构，进而有效增加滤波器芯片的封装结构的集成度。