一种柔性噪声抑制片的制作方法

本发明涉及电磁复合材料制造，特别是涉及一种柔性噪声抑制片。

背景技术：

1、随着智能手机、平板电脑等电子设备的小型化、轻薄化、多功能化的发展，电路基板中电子元件装配密度变高，各部件辐射产生的电磁波噪声会引发电子元件间的电波干扰、磁场耦合等问题，造成电子设备、通信设备误动作。因此，在设备附近安装近场用具有高磁导率、柔性薄膜噪声抑制片可以有效防止电波干扰，抑制辐射出的噪音。但目前的柔性噪声抑制片的磁导率特性较低，有待进一步提高及改善。

2、需要说明的是，在上述背景技术部分公开的信息仅用于对本申请的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

技术实现思路

1、为了弥补现有技术的不足，本发明提供一种柔性噪声抑制片，能够提高柔性噪声抑制片的磁导率性能，同时实现高柔性与高磁导率。

2、本发明采用如下技术方案：

3、一种柔性噪声抑制片，包括叠层在一起的第一磁性层和第二磁性层，所述第一磁性层的fe含量大于所述第二磁性层的fe含量。

4、优选地，所述第一磁性层的fe含量比所述第二磁性层的fe含量高7wt％～17wt％。

5、优选地，所述第一磁性层的密度大于所述第二磁性层的密度；优选地，所述第一磁性层的密度为3.3～3.89g/cm3，所述第二磁性层的密度为2.4～3.54g/cm3。

6、优选地，所述第一磁性层和所述第二磁性层中的软磁合金材料各自独立地为fesial、fesicr和feni中的至少一种。

7、优选地，所述第一磁性层中包含如下方案a1～a3中的至少一者的各成分：

8、a1：fe 60.9～73.95wt％、si 5.6～6.8wt％、al 3.5～4.25wt％、c12.9～25.8wt％以及o 2.1～4.9wt％；

9、a2：fe 57.85～69.42wt％、si 3.9～4.68wt％、cr 3.25～3.9wt％、c18.48～29.4wt％以及o 3.52～5.6wt％；

10、a3：fe 29.64～37.44wt％、ni 27.36～34.56wt％、c 21.28～32.68wt％以及o6.44～9.89wt％。

11、优选地，所述第二磁性层中包含如下方案b1～b3中的至少一者的各成分：

12、b1：fe 52.2～67.86wt％、si 4.8～6.24wt％、al 3～3.9wt％、c 18.92～34.4wt％以及o 3.08～5.6wt％；

13、b2：fe 48.95～64.97wt％、si 3.3～4.38wt％、cr 2.75～3.65wt％、c22.68～37.8wt％以及o 4.32～7.2wt％；

14、b3：fe 26～35.36wt％、ni 24～32.64wt％、c 24.32～38wt％以及o7.36～11.5wt％。

15、优选地，所述第一磁性层中的软磁合金材料的d50粒径大于所述第二磁性层中的软磁合金材料的d50粒径。

16、优选地，所述第一磁性层中：当软磁合金材料为fesial时，其d50粒径为75～90μm；当软磁合金材料为fesicr时，其d50粒径为50～58μm；当软磁合金材料为feni时，其d50粒径为67～73μm；

17、所述第二磁性层中：当软磁合金材料为fesial时，其d50粒径为75～80μm；当软磁合金材料为fesicr时，其d50粒径为43～48μm；当软磁合金材料为feni时，其d50粒径为47～53μm。

18、优选地，所述第一磁性层中的软磁合金材料为fesial，所述第一磁性层中包含的各成分为：fe 60.9～73.95wt％、si 5.6～6.8wt％、al 3.5～4.25wt％、c 12.9～25.8wt％以及o 2.1～4.9wt％；所述第二磁性层中的软磁合金材料为fesicr或者fesial，当所述第二磁性层中的软磁合金材料为fesicr时，所述第二磁性层中包含的各成分为：fe 48.95～64.97wt％、si 3.3～4.38wt％、cr 2.75～3.65wt％、c 22.68～37.8wt％以及o 4.32～7.2wt％，当所述第二磁性层中的软磁合金材料为fesial时，所述第二磁性层中包含的各成分为：fe52.2～67.86wt％、si 4.8～6.24wt％、al 3～3.9wt％、c 18.92～34.4wt％以及o3.08～5.6wt％；

19、优选地，所述第一磁性层中的fesial的d50粒径为75～90μm，所述第二磁性层中的fesicr的d50粒径为43～48μm，所述第二磁性层中的fesial的d50粒径为75～80μm。

20、优选地，所述第一磁性层中的软磁合金材料为fesicr，所述第一磁性层中包含的各成分为：fe 57.85～69.42wt％、si 3.9～4.68wt％、cr 3.25～3.9wt％、c 18.48～29.4wt％以及o 3.52～5.6wt％；所述第二磁性层中的软磁合金材料为feni，所述第二磁性层中包含的各成分为：fe 26～35.36wt％、ni24～32.64wt％、c 24.32～38wt％以及o 7.36～11.5wt％。

21、优选地，所述第一磁性层中的fesicr的d50粒径为50～58μm，所述第二磁性层中的feni的d50粒径为47～53μm。

22、本发明具有如下有益效果：本发明的柔性噪声抑制片利用fe含量不同的软磁合金粉末制成的磁性层进行复合，得到的柔性噪声抑制片具有较高的磁导率实部μ’和较低的磁导率虚部磁损耗μ”，同时具有高柔性和高磁导率。

技术特征：

1.一种柔性噪声抑制片，其特征在于，包括叠层在一起的第一磁性层和第二磁性层，所述第一磁性层的fe含量大于所述第二磁性层的fe含量。

2.如权利要求1所述的柔性噪声抑制片，其特征在于，所述第一磁性层的fe含量比所述第二磁性层的fe含量高7wt％～17wt％。

3.如权利要求1所述的柔性噪声抑制片，其特征在于，所述第一磁性层的密度大于所述第二磁性层的密度；优选地，所述第一磁性层的密度为3.3～3.89g/cm3，所述第二磁性层的密度为2.4～3.54g/cm3。

4.如权利要求1所述的柔性噪声抑制片，其特征在于，所述第一磁性层和所述第二磁性层中的软磁合金材料各自独立地为fesial、fesicr和feni中的至少一种。

5.如权利要求1所述的柔性噪声抑制片，其特征在于，所述第一磁性层中包含如下方案a1～a3中的至少一者的各成分：

6.如权利要求1所述的柔性噪声抑制片，其特征在于，所述第二磁性层中包含如下方案b1～b3中的至少一者的各成分：

7.如权利要求1所述的柔性噪声抑制片，其特征在于，所述第一磁性层中的软磁合金材料的d50粒径大于所述第二磁性层中的软磁合金材料的d50粒径。

8.如权利要求4所述的柔性噪声抑制片，其特征在于，

9.如权利要求1所述的柔性噪声抑制片，其特征在于，所述第一磁性层中的软磁合金材料为fesial，所述第一磁性层中包含的各成分为：fe60.9～73.95wt％、si 5.6～6.8wt％、al 3.5～4.25wt％、c 12.9～25.8wt％以及o2.1～4.9wt％；所述第二磁性层中的软磁合金材料为fesicr或者fesial，当所述第二磁性层中的软磁合金材料为fesicr时，所述第二磁性层中包含的各成分为：fe 48.95～64.97wt％、si 3.3～4.38wt％、cr 2.75～3.65wt％、c22.68～37.8wt％以及o 4.32～7.2wt％，当所述第二磁性层中的软磁合金材料为fesial时，所述第二磁性层中包含的各成分为：fe 52.2～67.86wt％、si4.8～6.24wt％、al 3～3.9wt％、c 18.92～34.4wt％以及o 3.08～5.6wt％；

10.如权利要求1所述的柔性噪声抑制片，其特征在于，所述第一磁性层中的软磁合金材料为fesicr，所述第一磁性层中包含的各成分为：fe57.85～69.42wt％、si 3.9～4.68wt％、cr 3.25～3.9wt％、c 18.48～29.4wt％以及o 3.52～5.6wt％；所述第二磁性层中的软磁合金材料为feni，所述第二磁性层中包含的各成分为：fe 26～35.36wt％、ni 24～32.64wt％、c 24.32～38wt％以及o 7.36～11.5wt％；

技术总结
本发明公开了一种柔性噪声抑制片，其包括叠层在一起的第一磁性层和第二磁性层，所述第一磁性层的Fe含量大于所述第二磁性层的Fe含量。本发明的柔性噪声抑制片利用Fe含量不同的软磁合金粉末制成的磁性层进行复合，得到的柔性噪声抑制片具有较高的磁导率实部μ’和较低的磁导率虚部磁损耗μ”，同时具有高柔性和高磁导率。

技术研发人员：聂敏,程小里,韦建良
受保护的技术使用者：深圳顺络电子股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/3/21