1.一种制造半导体器件的方法，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述衬底中的所述轻掺杂区的深度大于所述hvfet栅极的高度。
3.根据权利要求1所述的方法，其中，沉积所述he膜包括沉积非晶硅膜或多晶硅膜。
4.根据权利要求3所述的方法，还包括用预非晶化注入对所述he膜注入。
5.根据权利要求1所述的方法，其中，去除所述he膜包括化学机械平面化(cmp)、等离子蚀刻或其组合。
6.根据权利要求1所述的方法，其中，执行所述高能量注入包括形成轻掺杂漏极(ldd)。
7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述hvfet栅极包括由图案化的多晶硅栅极层形成的多晶硅栅极，并且所述方法还包括在所述多晶硅栅极上形成硅化物。
8.根据权利要求1所述的方法，其中，沉积所述多晶硅栅极层包括在存储器区域中形成在所述衬底的表面上的ono堆叠上沉积所述多晶硅栅极层；和
9.一种制造半导体器件的方法，包括：
10.根据权利要求9所述的方法，其中，沉积所述he膜包括将所述he膜沉积到足以防止来自所述高能量注入的掺杂剂到达所述hvfet栅极下方的沟道的厚度。