一种改善阻抗的PCIE金手指结构的制作方法

本技术涉及pcb设计，更具体地说，是涉及一种改善阻抗的pcie金手指结构。

背景技术：

1、pcie((peripheral component interconnect express)是一种计算机总线技术，用于在计算机系统中连接各种外围设备，可实现设备之间的直接通信，从而简化了系统设计和提高了性能。金手指是计算机硬件中的一种设计元素，通常用于连接电缆或导线，其结构为具有特定形状和尺寸的金属片，可以与电子设备中的插槽或插座相匹配，以便在连接时实现可靠的电气连接。在通讯产品中，pcie金手指的组合应用结构被广泛使用。

2、由于pcie金手指处的焊盘宽度相对于其他连接部件较宽，故pcie金手指的阻抗相对较低，为了达到提升阻抗的目的，传统方法挖空金手指所在的下层板的参考层，以保证pcie金手指的回波损耗与插损损耗。然而随着pcb板放置的电子元器件数量增加，导致产品走线的密度提高，在这种情况下，pcie金手指下方的参考层也需要布置走线，金手指无法进行参考处理，阻抗较低，影响信号传输质量。

技术实现思路

1、为了克服现有技术不做参考处理的pcie金手指阻抗较低影响信号传输质量的不足，本实用新型提供一种改善阻抗的pcie金手指结构，通过改变与金手指的传输线中与靠近金手指的部分的线宽，传输线其余部分的线宽保持不变，对传输线的阻抗进行提升，从而使得提升后的传输线阻抗能拉高金手指本身偏低的阻抗，从而改善回波损耗与插损损耗的性能，保证信号传输质量。

2、本实用新型技术方案如下所述：

3、一种改善阻抗的pcie金手指结构，包括若干个并排设置的金手指，设置金手指的pcb层下方设置走线层，每个金手指均连接一条传输线，传输线包括第一走线段、第二走线段及第三走线段，所有金手指所连接的传输线的第一走线段、第二走线段的线宽均小于金手指所连接的传输线的第三走线段的线宽，所有传输线的第一走线段相互平行，所有传输线的第三走线段相互平行，相邻两个金手指组成金手指组件，同一金手指组件的两个金手指所连接的传输线的第二走线段相互靠拢。

4、若金手指不做参考处理，其阻抗偏低，信号质量会受到影响，该影响在pcie4.0以上的标准是不能接受的，但是对于pcie3.0级别来说，信号质量降低幅度是可以接受的，本实用新型则是在该范围内尽量改善金手指传输的信号质量。本实用新型采用提高与金手指连接的传输线的阻抗，拉高近金手指部分的阻抗，从而改善自金手指经过/传输的信号的回波损耗与插损损耗的性能，达到保证信号传输质量的效果。

5、上述的一种改善阻抗的pcie金手指结构，所有金手指所连接的传输线的第一走线段与第二走线段二者的线宽为第三走线段的线宽的80％。

6、进一步的，传输线的第一走线段与第二走线段二者的线宽为4.4密耳，第三走线段的线宽为5.5密耳。

7、上述的一种改善阻抗的pcie金手指结构，金手指所连接的传输线的第一走线段与第二走线段二者的总长度为金手指长度的一半。

8、进一步的，金手指长度为154密耳，金手指连接的第一走线段与第二走线段二者的总长度为77密耳。

9、上述的一种改善阻抗的pcie金手指结构，同一金手指组件中，两条传输线的阻抗高于85欧姆，单条传输线的阻抗高于42.5欧姆。

10、上述的一种改善阻抗的pcie金手指结构，金手指传输的串行信号频率小于5ghz。

11、上述的一种改善阻抗的pcie金手指结构，第一走线段与第二走线段之间、第二走线段与第三走线段之间均设置有倒角实现均匀过渡。

12、根据上述方案的本实用新型，其有益效果在于，本实用新型改善了不做参考处理的金手指及其关联结构的阻抗值，以传输线的阻抗优化拉高金手指偏低的阻抗，改善回波损耗与插损损耗的性能，从而保证经过该金手指与传输线的信号质量，以使得金手指下方的层板能够实现走线，而无需挖空，增加走线可设置的空间，有利于高密度的走线设置。

技术特征：

1.一种改善阻抗的pcie金手指结构，其特征在于，包括若干个并排设置的金手指，设置金手指的pcb层下方设置走线层，每个金手指均连接一条传输线，传输线包括第一走线段、第二走线段及第三走线段，所有金手指所连接的传输线的第一走线段、第二走线段的线宽均小于金手指所连接的传输线的第三走线段的线宽，所有传输线的第一走线段相互平行，所有传输线的第三走线段相互平行，相邻两个金手指组成金手指组件，同一金手指组件的两个金手指所连接的传输线的第二走线段相互靠拢。

2.根据权利要求1中所述的一种改善阻抗的pcie金手指结构，其特征在于，所有金手指所连接的传输线的第一走线段与第二走线段二者的线宽为第三走线段的线宽的80%。

3.根据权利要求2中所述的一种改善阻抗的pcie金手指结构，其特征在于，传输线的第一走线段与第二走线段二者的线宽为4.4密耳，第三走线段的线宽为5.5密耳。

4.根据权利要求1中所述的一种改善阻抗的pcie金手指结构，其特征在于，金手指所连接的传输线的第一走线段与第二走线段二者的总长度为金手指长度的一半。

5.根据权利要求4中所述的一种改善阻抗的pcie金手指结构，其特征在于，金手指长度为154密耳，金手指连接的第一走线段与第二走线段二者的总长度为77密耳。

6.根据权利要求1中所述的一种改善阻抗的pcie金手指结构，其特征在于，同一金手指组件中，两条传输线的阻抗高于85欧姆，单条传输线的阻抗高于42.5欧姆。

7.根据权利要求1中所述的一种改善阻抗的pcie金手指结构，其特征在于，金手指传输的串行信号频率小于5ghz。

8.根据权利要求1中所述的一种改善阻抗的pcie金手指结构，其特征在于，第一走线段与第二走线段之间、第二走线段与第三走线段之间均设置有倒角实现均匀过渡。

技术总结
本技术公开了一种改善阻抗的PCIE金手指结构，包括若干个并排设置的金手指，设置金手指的PCB层下方设置走线层，每个金手指均连接一条传输线，传输线包括第一走线段、第二走线段及第三走线段，所有金手指所连接的传输线的第一走线段、第二走线段的线宽均小于金手指所连接的传输线的第三走线段的线宽。本技术提供一种改善阻抗的PCIE金手指结构，通过改变与金手指的传输线中与靠近金手指的部分的线宽，传输线其余部分的线宽保持不变，对传输线的阻抗进行提升，从而使得提升后的传输线阻抗能拉高金手指本身偏低的阻抗，从而改善回波损耗与插损损耗的性能，保证信号传输质量。

技术研发人员：黄刚,吴均
受保护的技术使用者：深圳市一博科技股份有限公司
技术研发日：20230608
技术公布日：2024/1/5