显示装置的制作方法

本技术的实施例涉及一种显示装置和一种制造显示装置的方法。

背景技术：

1、显示装置包括发光器件，并且发光器件包括由板状电极形成的公共电极。随着显示装置的尺寸增加，显示装置的显示质量可能由于提供到公共电极的电压的下降而劣化。因此，将期望具有用于防止提供到公共电极的电压的下降的结构。

技术实现思路

1、实施例提供了一种显示装置。

2、实施例提供了一种制造显示装置的方法。

3、根据实施例的显示装置可以包括：基底；薄膜晶体管，设置在所述基底上；电源线，设置在所述基底上并且包括第一导电层和第二导电层，所述第二导电层具有与所述第一导电层的上表面间隔开的突出部分；像素电极，设置在所述基底上并且电连接到所述薄膜晶体管；发射层，设置在所述像素电极上；以及公共电极，设置在所述发射层上并且接触所述电源线。

4、在实施例中，所述第一导电层的侧表面可以具有台阶。

5、在实施例中，所述第一导电层可以包括：第一渐缩部分，具有渐缩形状并且具有第一宽度的上表面；以及第二渐缩部分，定位在所述第一渐缩部分上，具有渐缩形状，并且具有小于所述第一宽度的第二宽度的下表面。

6、在实施例中，所述电源线可以具有由所述第一渐缩部分的所述上表面、所述第二渐缩部分的侧表面以及所述第二导电层的所述突出部分的下表面限定的凹陷部分，并且其中，所述公共电极在所述凹陷部分中接触所述第一导电层的所述侧表面。

7、在实施例中，所述第一导电层的侧表面可以具有弯曲形状。

8、在实施例中，所述电源线可以具有由所述第一导电层的所述侧表面和所述第二导电层的所述突出部分的下表面限定的凹陷部分，并且其中，所述公共电极在所述凹陷部分中接触所述第一导电层的所述侧表面。

9、在实施例中，所述突出部分的下表面的宽度可以是0.1微米至1.0微米。

10、在实施例中，所述显示装置还可以包括：多个虚设电极，与所述电源线设置在同一层上并且与所述像素电极包括相同的材料，其中，所述多个虚设电极中的每一个接触所述电源线。

11、在实施例中，所述显示装置还可以包括：第一覆盖部分，设置在所述第二导电层上并且与所述像素电极和所述多个虚设电极包括相同的材料；第二覆盖部分，设置在所述第一覆盖部分上并且与所述发射层包括相同的材料；以及第三覆盖部分，设置在所述第二覆盖部分上并且与所述公共电极包括相同的材料。

12、在实施例中，所述发射层可以接触所述电源线。

13、根据实施例的显示装置可以包括：基底；薄膜晶体管，设置在所述基底上；电源线，设置在所述基底上并且包括第一导电层和第二导电层，所述第二导电层具有与所述第一导电层的上表面间隔开的突出部分；像素电极，设置在所述基底上并且电连接到所述薄膜晶体管；发射层，设置在所述像素电极上；公共电极，设置在所述发射层上并且接触所述电源线；以及多个虚设电极，与所述电源线设置在同一层上并且与所述像素电极包括相同的材料。

14、在实施例中，所述第一导电层的侧表面可以具有台阶。

15、在实施例中，所述第一导电层可以包括：第一渐缩部分，具有渐缩形状并且具有第一宽度的上表面；以及第二渐缩部分，定位在所述第一渐缩部分上，具有渐缩形状，并且具有小于所述第一宽度的第二宽度的下表面。

16、在实施例中，所述电源线可以具有由所述第一渐缩部分的所述上表面、所述第二渐缩部分的侧表面以及所述第二导电层的所述突出部分的下表面限定的凹陷部分，并且所述公共电极可以在所述凹陷部分中接触所述第一导电层的所述侧表面。

17、在实施例中，所述第一导电层的侧表面可以具有弯曲形状。

18、在实施例中，所述电源线可以具有由所述第一导电层的所述侧表面和所述第二导电层的所述突出部分的下表面限定的凹陷部分，并且所述公共电极可以在所述凹陷部分中接触所述第一导电层的所述侧表面。

19、在实施例中，所述突出部分的下表面的宽度可以是大约0.1微米至大约1.0微米。

20、在实施例中，所述多个虚设电极中的每一个可以接触所述电源线。

21、在实施例中，所述显示装置还可以包括：第一覆盖部分，设置在所述第二导电层上并且与所述像素电极和所述多个虚设电极包括相同的材料；第二覆盖部分，设置在所述第一覆盖部分上并且与所述发射层包括相同的材料；以及第三覆盖部分，设置在所述第二覆盖部分上并且与所述公共电极包括相同的材料。

22、在实施例中，所述发射层可以接触所述电源线。

23、在实施例中，所述显示装置还可以包括：第三导电层，设置在所述第一导电层下方。

24、根据实施例的制造显示装置的方法可以包括以下步骤：在基底上形成电源线和薄膜晶体管，所述电源线包括第一导电层和设置在所述第一导电层上的第二导电层；在所述基底上形成多个绝缘层，所述多个绝缘层限定暴露所述电源线的开口；形成覆盖所述多个绝缘层和所述电源线的第一预备层；通过在所述第一预备层上涂覆光致抗蚀剂膜并且使用曝光掩模对所述光致抗蚀剂膜进行曝光，形成暴露所述第一预备层的一部分的第一光致抗蚀剂图案；去除所述第一预备层的由所述第一光致抗蚀剂图案暴露的所述一部分，以形成与所述薄膜晶体管电连接的像素电极和覆盖所述电源线的第二预备层；对所述第一光致抗蚀剂图案进行灰化，以形成暴露所述第二预备层的一部分的第二光致抗蚀剂图案；去除所述第二预备层的由所述第二光致抗蚀剂图案暴露的所述一部分，以形成虚设电极并暴露所述电源线的一部分，所述虚设电极与所述电源线设置在同一层上并且所述虚设电极与所述像素电极包括相同的材料；去除所述第二光致抗蚀剂图案；形成设置在所述像素电极上的发射层；以及形成设置在所述发射层上并接触所述电源线的公共电极。

25、在实施例中，所述曝光掩模可以包括：光阻挡部分，所述光阻挡部分阻挡光；第一光透射部分，具有第一透光率；以及第二光透射部分，具有低于所述第一透光率的第二透光率。

26、在实施例中，可以通过使用蚀刻剂的蚀刻工艺去除所述第二预备层的由所述第二光致抗蚀剂图案暴露的所述一部分，并且使用所述蚀刻剂的所述第二导电层的蚀刻速率可以低于使用所述蚀刻剂的所述第一导电层的蚀刻速率。

27、在实施例中，在去除所述第二预备层的由所述第二光致抗蚀剂图案暴露的所述一部分的所述步骤中，可以将所述第一导电层的一部分与所述第二预备层的所述一部分一起去除。

28、在实施例中，在去除所述第二预备层的由所述第二光致抗蚀剂图案暴露的所述一部分之后，所述第一导电层的侧表面可以具有台阶。

29、在实施例中，在去除所述第二预备层的由所述第二光致抗蚀剂图案暴露的所述一部分之后，所述第一导电层可以包括：第一渐缩部分，具有渐缩形状并且具有第一宽度的上表面；以及第二渐缩部分，定位在所述第一渐缩部分上，具有渐缩形状，并且具有小于所述第一宽度的第二宽度的下表面。

30、在实施例中，在去除所述第二预备层的由所述第二光致抗蚀剂图案暴露的所述一部分之后，所述第一导电层的侧表面可以具有弯曲形状。

31、在实施例中，在去除所述第二预备层的由所述第二光致抗蚀剂图案暴露的所述一部分的所述步骤中，与所述虚设电极包括相同的材料的第一覆盖部分可以形成在所述第二导电层上。

32、在实施例中，在形成所述发射层的所述步骤中，与所述发射层包括相同的材料的第二覆盖部分可以形成在所述第一覆盖部分上，并且在形成所述公共电极的所述步骤中，与所述公共电极包括相同的材料的第三覆盖部分可以形成在所述第二覆盖部分上。

33、因此，根据实施例的显示装置可以包括电源线和公共电极。电源线可以包括凹陷部分，并且公共电极可以在凹陷部分中接触电源线。因此，可以防止或减小提供到公共电极的电压的下降(或电压降)。

34、此外，根据依据实施例的显示装置的制造方法，电源线的凹陷部分可以通过使用光致抗蚀剂的灰化和蚀刻工艺形成，而不需要单独的激光钻孔工艺。因此，可以改善显示装置的制造工艺的效率。

35、将理解的是，前述的一般性描述和下面的详细描述两者是示例性和说明性的，并且旨在提供对要求保护的本实用新型的进一步解释。