一种带通孔的AMB陶瓷覆铜板的制作方法

本技术属于陶瓷覆铜板制备领域，具体涉及一种带通孔的amb陶瓷覆铜板。

背景技术：

1、目前陶瓷覆铜板的制作方法主要有dpc(直接镀铜法)、dbc(直接覆铜法)、amb(活性金属钎焊法)，但是只有dpc工艺具有成熟的通孔技术，对于dbc及amb工艺国内暂时没有成熟的通孔制作工艺，限制了多层带通孔的amb陶瓷覆铜板的设计与应用。而单层陶瓷覆铜板在后续封装芯片，实现电气连接时采用的导线数量较多，增加了电感，影响电子元器件的使用；有待进一步改进。

技术实现思路

1、本实用新型的目的是克服现有技术的缺点，提供一种带通孔的amb陶瓷覆铜板。

2、本实用新型采用如下技术方案：

3、一种带通孔的amb陶瓷覆铜板，包括陶瓷基板、分别设置在陶瓷基板上下两端的两铜层、设置在陶瓷基板与铜层之间的焊料层和设置在陶瓷基板中导通两铜层的导通机构，所述导通机构包括设置在陶瓷基板中的铜柱和分别设置在铜柱上下两端与相对铜层连接的两银铜焊片。

4、进一步的，所述陶瓷基板形成有从其上端向下延伸用于安装铜柱的安装孔。

5、进一步的，所述安装孔的直径为0.5-2mm。

6、进一步的，位于上端的所述银铜焊片的上表面与位于上端的焊料层顶面齐平，位于下端的所述银铜焊片的下表面与位于下端的焊料层底面齐平。

7、进一步的，所述银铜焊片的形状与铜柱的横截面一致。

8、进一步的，所述铜柱的高度为0.32mm，所述银铜焊片的厚度为0.02mm。

9、进一步的，所述陶瓷基板为氮化硅陶瓷基板。

10、进一步的，所述焊料层的厚度为0.01-0.02mm。

11、进一步的，所述铜层的厚度为0.32mm。

12、进一步的，所述导通机构设置有多组，多组导通机构间隔设置在陶瓷基板中。

13、由上述对本实用新型的描述可知，与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：本申请通过在陶瓷基板中设置在导通机构使得上下铜层之间可以导通，为后续制作多层陶瓷基板提供了技术支撑；且进一步限定导通机构的结构，由铜柱配合上下设置的两银铜焊片，银铜焊片可以在钎焊过程消除铜柱与铜层之间的间隙以保证上下两铜层之间导通的稳定性，进而保证后续产品的稳定使用。

技术特征：

1.一种带通孔的amb陶瓷覆铜板，其特征在于：包括陶瓷基板、分别设置在陶瓷基板上下两端的两铜层、设置在陶瓷基板与铜层之间的焊料层和设置在陶瓷基板中导通两铜层的导通机构，所述导通机构包括设置在陶瓷基板中的铜柱和分别设置在铜柱上下两端与相对铜层连接的两银铜焊片。

2.根据权利要求1所述的一种带通孔的amb陶瓷覆铜板，其特征在于：所述陶瓷基板形成有从其上端向下延伸用于安装铜柱的安装孔。

3.根据权利要求2所述的一种带通孔的amb陶瓷覆铜板，其特征在于：所述安装孔的直径为0.5-2mm。

4.根据权利要求1所述的一种带通孔的amb陶瓷覆铜板，其特征在于：位于上端的所述银铜焊片的上表面与位于上端的焊料层顶面齐平，位于下端的所述银铜焊片的下表面与位于下端的焊料层底面齐平。

5.根据权利要求1所述的一种带通孔的amb陶瓷覆铜板，其特征在于：所述银铜焊片的形状与铜柱的横截面一致。

6.根据权利要求1所述的一种带通孔的amb陶瓷覆铜板，其特征在于：所述铜柱的高度为0.32mm，所述银铜焊片的厚度为0.02mm。

7.根据权利要求1所述的一种带通孔的amb陶瓷覆铜板，其特征在于：所述陶瓷基板为氮化硅陶瓷基板。

8.根据权利要求1所述的一种带通孔的amb陶瓷覆铜板，其特征在于：所述焊料层的厚度为0.01-0.02mm。

9.根据权利要求1所述的一种带通孔的amb陶瓷覆铜板，其特征在于：所述铜层的厚度为0.32mm。

10.根据权利要求1所述的一种带通孔的amb陶瓷覆铜板，其特征在于：所述导通机构设置有多组，多组导通机构间隔设置在陶瓷基板中。

技术总结
一种带通孔的AMB陶瓷覆铜板，包括陶瓷基板、分别设置在陶瓷基板上下两端的两铜层、设置在陶瓷基板与铜层之间的焊料层和设置在陶瓷基板中导通两铜层的导通机构，所述导通机构包括设置在陶瓷基板中的铜柱和分别设置在铜柱上下两端与相对铜层连接的两银铜焊片；本申请通过在陶瓷基板中设置在导通机构使得上下铜层之间可以导通，为后续制作多层陶瓷基板提供了技术支撑；且进一步限定导通机构的结构，由铜柱配合上下设置的两银铜焊片，银铜焊片可以在钎焊过程消除铜柱与铜层之间的间隙以保证上下两铜层之间导通的稳定性，进而保证后续产品的稳定使用。

技术研发人员：宁泱锦,黄星凡,潘甲东
受保护的技术使用者：福建毫米电子有限公司
技术研发日：20231031
技术公布日：2024/5/10