本案是关于寄生电容消除电路及寄生电容消除方法，尤其是关于消除晶体管的寄生电容消除电路及寄生电容消除方法。
背景技术：
1、随着科技的进展，金属氧化物半导体场效应晶体管(metal oxide semiconductorfield effect transistor,mosfet)应运而生，并广泛地使用于各式电路中。然而，金属氧化物半导体场效应晶体管具有寄生电容，且寄生电容的容值会随着偏压(bias)电压(如栅极-源极电压vgs)的不同而改变，上述寄生电容将会影响电路的效能。
技术实现思路
1、鉴于先前技术的不足，本案的目的之一为(但不限于)提供一种寄生电容消除电路及寄生电容消除方法，以改善先前技术的不足。
2、在一些实施态样中，寄生电容消除电路包括第一晶体管、第一耦合器、第二耦合器以及负阻抗发生器。第一晶体管包括第一端子、控制端子以及第二端子。第一耦合器用以耦合第一晶体管的控制端子以及第一端子。第二耦合器用以耦合第一晶体管的控制端子以及第二端子。负阻抗发生器用以产生并提供负阻抗至第一晶体管的控制端子，以消除第一晶体管的寄生电容。
3、在一些实施态样中，寄生电容消除方法包括：借由第一耦合器以耦合第一晶体管的控制端子以及第一端子；借由第二耦合器以耦合第一晶体管的控制端子以及第二端子；以及借由负阻抗发生器以产生并提供负阻抗至第一晶体管的控制端子，以消除第一晶体管的寄生电容。
4、本案的实施例所体现的技术手段可以改善先前技术的缺点的至少其中之一。本案的寄生电容消除电路及寄生电容消除方法可用以消除晶体管的寄生电容。
5、有关本案的特征、实施与功效，兹配合附图作较佳实施例详细说明如下。
1.一种寄生电容消除电路，包括：
2.根据权利要求1所述的寄生电容消除电路，其中所述第一耦合器包括第二晶体管，所述第二晶体管包括：
3.根据权利要求2所述的寄生电容消除电路，其中所述第二耦合器包括第三晶体管，所述第三晶体管包括：
4.根据权利要求3所述的寄生电容消除电路，其中所述第一晶体管的所述寄生电容包括寄生电容与控制信号曲线，所述第二晶体管用以提供第一参数与控制信号曲线，且所述第三晶体管用以提供第二参数与控制信号曲线，其中所述第一参数与控制信号曲线以及所述第二参数与控制信号曲线系用以调节所述寄生电容与控制信号曲线。
5.根据权利要求4所述的寄生电容消除电路，更包括：
6.根据权利要求5所述的寄生电容消除电路，更包括：
7.根据权利要求6所述的寄生电容消除电路，其中所述第一电源供应器系透过调整所述第一电源以调整所述第一参数与控制信号曲线，且所述第二电源供应器系透过调整所述第二电源以调整所述第二参数与控制信号曲线。
8.根据权利要求7所述的寄生电容消除电路，其中经调整的所述第一参数与控制信号曲线与经调整的所述第二参数与控制信号曲线系用以调节所述寄生电容与控制信号曲线。
9.根据权利要求1所述的寄生电容消除电路，其中所述负阻抗发生器包括电容，所述电容包括：
10.一种寄生电容消除方法，包括：