用于利用隔离晶体管内的深沟槽电容器的方法和设备与流程

文档序号:44201748发布日期:2025-12-30 21:32阅读:9来源:国知局
技术简介:
本专利针对传统隔离晶体管在电流隔离中存在信号干扰和绝缘不足的问题,提出通过集成深沟槽电容器与隔离结构提升隔离性能。方案利用电阻网络与晶体管配合,结合隔离端子将晶体管与衬底物理分离,通过深沟槽电容器实现高频信号耦合,同时阻断直流电流路径,从而在保证信号传输效率的同时增强系统安全性与隔离效果。
关键词:隔离晶体管,深沟槽电容器

本说明书大体上涉及隔离晶体管,并且更具体地,涉及利用隔离晶体管内的深沟槽电容器的方法和设备。


背景技术:

1、许多应用使用隔离式发射器装置以电流隔离方式传输信号。如本文所使用,电流隔离是指装置防止或减轻系统的两个部分之间的直流(dc)和不想要的交流(ac)的流动,同时仍然允许信号和电力传递的能力。举例来说,系统可实施隔离式发射器装置,以将使用对人类不安全的高电压的第一系统电耦合到使用对人类安全的较低电压的第二系统。因此,与不具有电流隔离的发射器装置相比,隔离式发射器装置可提高安全性和性能。


技术实现思路

1、一种实例设备包含:第一电阻器,其具有耦合到供电电压端子的第一端子和第二端子;晶体管,其具有耦合到第一输入端子的栅极端子、耦合到第二输入端子的源极端子、耦合到所述源极端子的体极端子以及耦合到所述第一电阻器的所述第二端子的漏极端子;衬底端子,其耦合到地;隔离端子,其将所述晶体管与所述衬底端子分开;第二电阻器,其具有耦合到所述隔离端子的第一端子和耦合到所述供电电压端子的第二端子;以及第三电阻器,其具有耦合到所述晶体管的所述源极端子的第一端子以及耦合到地的第二端子。

2、一种第二实例设备包含:第一电阻器,其具有耦合到供电电压端子的第一端子和第二端子;晶体管,其具有耦合到第一输入端子的栅极端子、耦合到第二输入端子的源极端子、耦合到所述源极端子的体极端子以及耦合到所述第一电阻器的所述第二端子的漏极端子;衬底端子,其耦合到地;隔离端子,其耦合到所述第二输入端子,其中所述隔离端子将所述晶体管与所述衬底端子分开;第二电阻器(604a),其具有耦合到所述隔离端子的第一端子和耦合到所述供电电压端子的第二端子;以及第三电阻器(410),其具有耦合到所述晶体管的所述源极端子的第一端子以及耦合到地的第二端子。

3、一种第三实例设备包含:第一电阻器,其具有耦合到供电电压端子的第一端子和第二端子;晶体管,其具有耦合到第一输入端子的栅极端子、耦合到第二输入端子的源极端子、耦合到所述源极端子的体极端子以及耦合到所述第一电阻器的所述第二端子的漏极端子;衬底端子,其耦合到地;隔离端子,其耦合到所述第二输入端子,其中所述隔离端子将所述晶体管与所述衬底端子分开;第二电阻器,其具有耦合到所述隔离端子的第一端子和耦合到所述供电电压端子的第二端子;以及第三电阻器,其具有耦合到所述晶体管的所述源极端子的第一端子以及耦合到地的第二端子。


技术特征:

1.一种设备,其包括:

2.根据权利要求1所述的设备,其进一步包含电容器,所述电容器具有耦合到所述第一输入端子的第一端子以及耦合到所述晶体管的所述栅极端子的第二端子。

3.根据权利要求1所述的设备,其中:

4.根据权利要求3所述的设备,其中所述隔离区和所述衬底区将所述晶体管与所述ic上的相邻组件电流隔离。

5.根据权利要求3所述的设备,其中:

6.根据权利要求1所述的设备,其进一步包含:

7.根据权利要求1所述的设备,其进一步包含经配置以生成参考电压的参考电路系统。

8.根据权利要求7所述的设备,其中所述参考电路系统包含:

9.根据权利要求7所述的设备,其中:

10.根据权利要求1所述的设备,其中:

11.一种设备,其包括:

12.根据权利要求11所述的设备,其中:

13.根据权利要求12所述的设备,其中:

14.根据权利要求12所述的设备,其中:

15.一种集成电路ic,其包括:

16.根据权利要求15所述的ic,其中:

17.根据权利要求15所述的ic,其中:

18.根据权利要求15所述的ic,其中:

19.根据权利要求15所述的ic,其进一步包含在所述电阻器的所述第一端子与所述ic的输入端子之间的短路。

20.根据权利要求15所述的ic,其进一步包含在所述电阻器的所述第一端子与隔离屏障电路系统中的交流ac耦合电容器的之间的短路。


技术总结
本公开涉及利用隔离晶体管内的深沟槽电容器的方法和设备。一种实例设备(112)包含:第一电阻器(402),其具有耦合到供电电压端子的第一端子和第二端子;晶体管(500A),其具有耦合到第一输入端子的栅极端子、耦合到第二输入端子的源极端子、耦合到所述源极端子的体极端子以及耦合到所述第一电阻器的所述第二端子的漏极端子;衬底端子(502A),其耦合到地;隔离端子(504A),其将所述晶体管与所述衬底端子分开;第二电阻器(604A),其具有耦合到所述隔离端子的第一端子和耦合到所述供电电压端子的第二端子;以及第三电阻器(410),其具有耦合到所述晶体管的所述源极端子的第一端子以及耦合到地的第二端子。

技术研发人员:K·A·什里瓦斯塔瓦,V·S·钦查苏尔
受保护的技术使用者:德州仪器公司
技术研发日:
技术公布日:2025/12/29
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