专利名称：无功电流经微调的功率放大器及其微调方法
技术领域：
本发明涉及一种无功电流经微调的功率放大器以及微调该功率放大器的方法。
对具有流过场效应晶体管且经微调的无功电流的信号进行放大的功率放大器和微调该无功电流的方法已为人们所知。
日本专利公开号为8-125465的专利申请中揭示了这样一种现有技术的放大器和方法。图8是这种现有技术的功率放大器的电路图。栅极偏置电路40中有一个可变电阻44，用以调整FET 30的无功电流，消除其在输出功率中的耗散(dispersion)。这一日本专利申请还揭示了一种采用D/A转换器的栅极偏压发生电路。图9是包括有这一栅极偏压发生电路的另一种现有技术的功率放大器的方框图。D/A转换器70用来自-V稳压器80的负电压-V，在CPU 50的控制下，提供一个按照EEPROM 60中的数据控制的栅极偏压。
本发明的目的是提供一种优越的功率放大器以及微调该功率放大器的优越的方法。
按照本发明，提供的第一功率放大器包括接收信号的输入电路；包括可变电阻器用来产生偏压的偏压发生电路；具有用接收信号和偏压供电的栅极、源极和漏极并用来放大接收信号的场效应晶体管；与场效应晶体管耦合使电流流过源极和漏极的源极和漏极电路；以及从场效应晶体管输出经放大的信号的输出电路，其中，偏压发生电路产生处在一电压范围内的偏压，该电压范围包括使场效应晶体管处于夹断状态的第一电压和使场效应晶体管处在非夹断状态的第二电压。
在第一功率放大器中，偏压发生电路包括与可变电阻并联的第二可变电阻，第二可变电阻的电阻值具有包括使场效应晶体管处在夹断状态的电阻值的电阻范围。
这时，第一功率放大器还包括一印刷电路板，其中，第二可变电阻在印刷电路板上包含一印刷电路图形，并且该印刷电路图形用来提供夹断状态，切断该印刷电路图形时给出非夹断状态。
按照本发明，提供的第二功率放大器包括接收信号的输入电路；偏压发生电路，它包括响应于表示第一至第四模式的模式信号和存储命令信号的存储和读取电路和电压发生电路，存储和读取电路存储夹断电压数据，存储连续变化的数据组，用来根据第一模式的存储命令信号存储连续变化的数据组中的一个数据，以及用来读取第二模式的夹断电压、顺序读取第三模式连续变化数据组和在第四模式响应于存储命令信号而存储的连续变化的数据组中的一个数据，电压发生电路按照存储和读取电路的输出产生偏压；n型场效应晶体管，它具有用接收信号和偏压供电的栅极、源极和漏极，用来放大处在第四模式的接收信号；源极和漏极电路，它与场效应晶体管耦合，用来使电流流过源极和漏极；以及一输出电路，用来从场效应晶体管输出经放大的信号，夹断电压使场效应晶体管处在夹断状态。
按照本发明，提供的第三功率放大器包括接收信号的输入电路；偏压发生电路，它包括响应于表示第一至第四模式的模式信号和存储命令信号的存储和读取电路和电压发生电路，存储和读取电路存储夹断电压数据，存储连续变化的数据组，用来根据第一模式的存储命令信号存储连续变化的数据组中一个数据的地址，以及用来读取第二模式的夹断电压、顺序读取第三模式的连续变化数据组和在第四模式用响应于存储命令信号而存储的地址的连续变化的数据组中的一个数据，电压发生电路按照存储和读取电路的输出产生偏压；场效应晶体管，它具有用接收信号和偏压供电的栅极、源极和漏极，用来放大处在第四模式的接收信号；源极和漏极电路，它与场效应晶体管耦合，用来使电流流过源极和漏极；以及一输出电路，用来从场效应晶体管输出经放大的信号，夹断电压使场效应晶体管处在夹断状态。
按照本发明，对包括有场效应晶体管和偏压源的功率放大器进行微调的第一种方法包括下述步骤(a)提供一可变电阻，使得从偏压源向场效应晶体管的栅极提供一偏压；(b)微调可变电阻，使偏压为场效应晶体管的夹断偏压；(c)测量由步骤(b)从偏压源得到的第一电流；(d)调整可变电阻；(e)测量由步骤(d)从偏压源得到的第二电流；(f)计算第一电流和第二电流之间的差；以及(g)确定可变电阻的阻值，使得差值处在预定值内，放大输入信号并输出经放大的信号。
按照本发明，对包括有场效应晶体管和偏压源的功率放大器进行微调的第二种方法包括下述步骤(a)提供一可变电阻，使得从偏压源向场效应晶体管的栅极提供一偏压；(b)提供一与可变电阻并联连接的第二可变电阻，使之处在第一和第二可变电阻向场效应晶体管提供夹断电压的状态下；(c)测量来自偏压源的第一电流；(d)使第二可变电阻的电阻大大高于第一电阻的电阻；(e)测量在步骤(d)以后从偏压源得到的第二电流；(f)调整第一可变电阻；(g)计算第一电流和第二电流之间的差；以及(h)确定第一可变电阻的阻值，使得差值处在预定值内，放大输入信号并输出经放大的信号。
在第二种方法中，第二可变电阻是在步骤(b)中设置在印刷电路板上的，并且第二可变电阻在步骤(d)中切断。
按照本发明提供的微调包括有场效应晶体管和偏压源的功率放大器的第三种方法包括下述步骤(a)向功率放大器电路提供一存储器和一d/a转换器；(b)存储夹断电压的数据和连续变化栅极偏压的数据组；(c)用来自存储器、d/a转换器和偏压源的数据向场效应晶体管的栅极提供夹断电压；(d)测量来自偏压源的第一电流；(e)用来自存储器、d/a转换器和偏压源的连续变化的栅极偏压向偏压连续变化的场效应晶体管的栅极提供偏压；(f)测量步骤(e)中来自偏压源的第二电流；(g)计算第一电流和第二电流之间的差；(h)按照计算的差值确定最终数据，使差值落在预定值内；(I)将最终数据存储在存储器内；以及(j)按照存储的最终数据向场效应晶体管的栅极提供最终偏压，放大输入信号并输出经放大的信号。
按照本发明，对包括有场效应晶体管和偏压源的功率放大器进行微调的第四种方法包括下述步骤(a)提供一可变电阻，使得从偏压源向多级场效应晶体管的栅极提供偏压；(b)微调可变电阻，使多级场效应晶体管处于夹断状态；(c)测量夹断状态下从偏压源得到的第一电流；(d)调整多级场效应晶体管中一个场效应晶体管的一个可变电阻；(e)测量步骤(d)中从偏压源得到的第二电流；(f)计算第一电流和第二电流之间的差；以及(g)确定可变电阻的阻值，使得差值在每一个预定值内，其中，以多级场效应晶体管中预定值为最小的一个场效应晶体管开始，依次对多级场效应晶体管的其他级重复进行步骤(d)至(h)，步骤(f)中的差值是在步骤(e)中当前测量的第二电流和在多级场效应晶体管的其他级中在步骤(e)中先前测得的第二电流之间形成的。
在结合附图对本发明作了详细描述以后，本发明的目的和特征将变得很明显。其中，
图1是第一个实施例的功率放大器的电路图2是第一个实施例中微调图1中可变电阻的流程图；图3是第二个实施例的功率放大器的电路图；图4是第二个实施例中微调图3中可变电阻的流程图；图5是修改的功率放大器的电路图；图6是第三个实施例的功率放大器的电路图；图7是第三个实施例中微调图6中FET1和2的漏电流的流程图；图8是现有技术的功率放大器的电路图；以及图9是另一现有技术中包括栅极偏压发生电路的功率放大器的方框图。
上述图中，相同或相应的元件或部件用相同的标记表示。
(第一个实施例)图1是第一个实施例的功率放大器的电路图。
第一个实施例的功率放大器包括级联的第一级和第二级。第一级包括接收输入信号的输入电路3、电阻7、可变电阻14、FET(场效应晶体管)1、扼流线圈12，其中，FET1的栅极连接到输入电路3和可变电阻14和电阻7的连接点。可变电阻14的另一端提供有偏压Vgg，电阻7的另一端与地相连。扼流线圈12向FET1的源级(漏极)提供电压Vdd，FET1的漏极(源极)与地相连。第二级包括从FET1的源极接收FET1的输出的耦合电路4、电阻10、可变电阻15、FET2、扼流线圈13和输出负载5，其中，FET2的栅极连接到耦合电路4以及可变电阻15和电阻10的连接点。可变电阻15的另一端提供有偏压Vgg，电阻10的另一端与地相连。扼流线圈13向FET2的源极(漏极)提供电压Vdd，FET2的漏极(源极)与地相连。功率放大器的输出通过输出负载5从FET2的源极输出。
在这种电路结构中，假设Vdd＝3.5V，Vgg＝-2.5V，FET1的无功电流为120±5mA，FET2的无功电流是500±10mA，并且在FET1和2中的栅极偏压(Vop)中存在从-1.0到-2.0V的耗散，并且在FET1和2中的夹断电压中也存在从Vp＝-1.4到-2.4V的耗散。
在这样一种结构中，为了使来自偏压Vgg的栅极电流Igg小于1mA，假设电阻7和10的电阻是4kΩ，可变电阻14和15的电阻在微调以后应当是2到8kΩ。另外，电阻14和15的阻值在微调以前应当小于160Ω，使得FET1和2处在夹断状态作微调。因此，电阻14和15的阻值是从160Ω到8kΩ。
下面描述微调可变电阻14和15的方法。
图2描绘的是第一个实施例中给出微调图1中所示的可变电阻14和15的流程图。
在步骤s0，可变电阻14和15被设置在提供小于160Ω电阻的初始位置上。
在步骤s1，电压源Vgg＝-2.5V和Vdd＝3.5V以此顺序被提供到功率放大器。在后面的步骤s2，测量来自偏压源Vdd的初始电流I0。在这种情况下，FET1和2处在夹断状态，从而初始电流I0是除FET1和2中的漏电流以外的总电流。
测量电流I1时，在步骤s3和s4中改变(微调或调节)可变电阻14的阻值。于是，电流I1是初始电流I0和前一级FET1的漏电流之和。接着，计算第一差值I1-I0，即FET1的漏电流，并且，如果FET1的漏电流在第一预定值范围内，即120±5mA，那么就在步骤s5中完成了微调可变电阻14。另外，在完成微调可变电阻14以后测量来自偏压源Vdd的电流I2时，在步骤s6和s7中微调后级中FET 2的可变电阻15。于是，计算第二差值I2-I1，即FET 2中的漏电流，并且，如果FET 2中的漏电流在第二预定值即500±10mA的范围内，那么在步骤s8中就完成了微调可变电阻15。
如上所述，在微调可变电阻14和15之前，FET 1和2均处在夹断状态，从而以上述顺序微调整FET 1和2，可根据微调前后测得的电流之间的差值获得FET1和2的漏电流。另外，因为微调可变电阻是以漏电流的预定值为低者的顺序进行的，从而FET中产生的热被抑制，所以温度变化更低，从而可以准确地调节可变电阻14和15。(第二个实施例)在第一个实施例中，可变电阻14和15的阻值为从160Ω到8kΩ。微调中，困难的是每一级仅用一个可变电阻作调节。在第二个实施例中，每一级提供两个可变电阻。即，第二个实施例的结构大体与第一个实施例的结构是相同的。所不同的是，可变电阻14a和14b代替了可变电阻14，可变电阻15a和15b代替了可变电阻15。
图3是第二个实施例的功率放大器的电路图。
可变电阻14a和14b并联连接在偏压源Vgg和FET 1的栅极之间，而可变电阻15a和15b并联连接在偏压源Vgg和FET 2的栅极之间。
可变电阻14b和15b的阻抗是从2到8kΩ。可变电阻14a和15a具有低于160Ω的阻值，断开时，阻值大体为无限大。例如，具有0Ω的电阻用激光器断开。
图4是第二个实施例中给出微调图3中所示的可变电阻14b和15b的流程图。
在步骤s11，电源电压Vgg＝-2.5V和Vdd＝3.5V依次提供到功率放大器。在下面的步骤s12中，测量从偏压源电压Vdd得到的初始电流I0。在这一状态下，FET 1和2均处在夹断状态，从而初始电流I0(数字)是除FET 1和2中的漏电流以外的总电流。在下面的步骤s13中，可变电阻14a被断开或隔离。
在下面的步骤s14和s15中，测量电流I1时，改变可变电阻14b的阻值。于是，电流I1是初始电流I0和FET 1的漏电流之和。在步骤s16中，计算第一差值I1-I0，即FET 1的漏电流，并且，如果FET 1的漏电流落在第一预定值即120±5mA的范围内，则在步骤s16中就完成了微调可变电阻14b。
另外，在步骤s17中，断开或隔离开可变电阻15a。在下面的步骤s18和s19中，在完成微调可变电阻14b以后测量来自偏置电源电压Vdd的电流I2的时候，微调后一级中FET2的可变电阻15b。接着，计算第二差值I2-I1，即FET 2的漏电流，并且，如果FET 2中的漏电流落在第二预定值即500±10mA的范围内，那么就完成了步骤s20中的微调可变电阻15b。
如上所述，通过提供可变电阻14a和15a，可以容易地微调可变电阻14b和15b，从而确保提供夹断状态和非夹断状态。
在该实施例中，每一可变电阻14b和15b可以包括一电阻和可变电阻组成的串联电路。
该实施例中，可变电阻14a和15a具有低于160Ω的阻值，并且可以是完全隔离的。然而，也可以使得可变电阻14a和15a的阻值远远高于可变电阻14b和15b的阻值。
图5是修改的功率放大器的电路图。
在该修改的功率放大器中，可变电阻14a’和15a’是通过在印刷电路板100上提供电路图形来提供的，在初始状态下给出0Ω，而在断开印刷电路图形代之以可变电阻14a和15a以后为无限大阻值。(第三个实施例)图6是第三个实施例的功率放大器的电路图。第三个实施例的功率放大器具有与第一个实施例的大体相同的结构。所不同的是，偏置电源电压Vgg从负电压源24通过D/A转换器25和电阻20提供到FET 1的栅极，以及通过D/A转换器26和电阻21提供到FET 2的栅极，并且还提供有控制电路22和存储器(如向D/A转换器25和26提供数据的EEPROM)。
控制电路22响应于模式信号30和存储命令信号31a和31b将数据存储到存储器23内，并响应于模式信号30从存储器23读取和提供数据。
当模式信号30指示第一模式时，控制电路22从存储器向D/A转换器25和26读取并提供用于夹断的数据，使FET 1和2处于夹断状态，即，将偏置电源电压Vgg1＝-2.5V提供到FET 1的栅极，偏置电源电压Vgg2＝-2.5V提供到FET2的栅极，并提供电源电压Vdd＝3.5V。
当模式信号30指示第二模式时，控制电路22将数据读取和提供到D/A转换器25，从而FET 1的漏电流逐渐增大。当模式信号30指示第三模式并提供存储命令信号31a时，控制电路22把当前提供到D/A转换器25的数据作为第一设置数据存储在存储器23里。当模式信号30指示第四模式时，控制电路22把该设置数据读取并提供到D/A转换器25。
类似地，当模式信号30指示第五模式时，控制电路22将数据读取并提供到D/A转换器26，从而FET 2的漏电流逐渐增大。当模式信号30指示第六模式并且是第二存储命令信号31b时，控制电路22存储当前提供到D/A转换器26的数据作为第二设置数据。当模式信号30指示第七模式时，控制电路22从存储器23读取第二设置数据并将该数据提供到D/A转换器26。在第五到第七模式中，控制电路22将第一设置数据保持在D/A转换器25里，而在第二到第四模式中，控制电路22将用于夹断的数据保持在D/A转换器26里。
图7是第三个实施例中给出微调图6中所示FET 1和2的漏电流的流程图。
在步骤s30中，存储用于夹断状态的数据、用来增大FET 1的漏电流的数据、用来增大FET 2的漏电流的数据。
在步骤s31，偏置电源电压Vgg1＝-2.5V、电源电压Vgg2＝-2.5V和Vdd＝3.5V依次提供到功率放大器。在下面的步骤s23中，测量从电源电压Vdd得到的初始电流I0。在该状态下，FET 1和2均处在夹断状态，从而初始电流I0是除FET 1和2中的漏电流以外的总电流。在下面的步骤s33中，控制电路22读取并提供在第二模式中改变偏置电源电压Vgg1的数据。
在下面的步骤s33和s34中，在测量电流I1时，改变偏置电源电压Vgg1。于是，电流I1是初始电流I0和FET 1的漏电流之和。在步骤s35中，计算差值I1-I0，即FET 1的漏电流，并且，如果FET 1的漏电流在第一预定值即120±5mA的范围内，那么，控制电路22响应于第三模式中的存储命令信号31a，在步骤36将当前提供到D/A转换器25的数据存储到存储器23中，并且控制电路22将该数据保持在第四模式下，这样就完成了微调电源电压Vgg1。
另外，在下面的步骤s37和s38中，在完成微调电流以后测量从电源电压Vgg1得到的电流时，电源电压Vgg2被微调在第五模式下。接着，计算第二差值I2-I1，即FET 2中的漏电流，并且如果FET 2中的漏电流落在第二预定值即500±10mA的范围内时，控制电路22响应于第六模式下的存储命令信号31b，在步骤s40将当前提供到D/A转换器26的数据存储到存储器23中，并且在步骤s40完成了微调电源电压Vgg2。在第七模式，控制电路22分别将第一和第二设置数据提供到D/A转换器25和26，以使功率放大器放大输入信号，并输出经放大的信号。
在该实施例中，在步骤s36和s40，控制电路22存储提供到D/A转换器25和26的数据。然而，也可以在这些时序下存储提供到D/A转换器25和26的数据的地址。
在上述实施例中，如果有多级FET，那么就从当前微调级测量的偏置电源电压得到的电流和前一微调级中测得的电流之间的差获得表示处在微调下的漏电流的差值。
在上述实施例中，FET的级数为2。但是，本发明也可以应用于具有一级FET的功率放大器和具有二级以上的FET的功率放大器。
权利要求
1.一种功率放大器，其特征在于，它包含接收信号的输入装置；偏压发生电路，包括可变电阻，用来产生偏压；场效应晶体管，它具有提供有所述接收信号和所述偏压的栅极、源极和漏极，用来放大接收的信号；源极和漏极电路，它与所述场效应晶体管耦合，使电流流过所述源极和所述漏极；以及用来从所述场效应晶体管输出经放大的信号的输出装置，其中，所述偏压发生电路产生一电压范围内的所述偏压，所述电压范围包括使所述场效应晶体管处于夹断状态的第一电压和使所述场效应晶体管处于非夹断状态的第二电压。
2.如权利要求1所述的功率放大器，其特征在于，所述偏压发生电路包含与所述可变电阻并联相连的第二可变电阻，所述第二可变电阻的阻值具有这样一个阻值范围，即，包括使所述场效应晶体管处于所述夹断状态的阻值。
3.如权利要求2所述的功率放大器，其特征在于，它还包含一印刷电路板，其中，所述第二可变电阻包含在所述印刷电路板上的印刷电路图形，以提供所述夹断状态，并且所述印刷电路图形在断开时用来提供所述非夹断状态。
4.一种功率放大器，其特征在于，它包含用来接收信号的输入装置；偏压发生电路，它包括响应于表示第一至第四模式的模式信号和存储命令信号的存储和读取装置以及电压发生装置，所述存储和读取装置存储夹断电压数据、连续变化的数据组，用来响应于所述第一模式下所述存储命令信号存储所述连续变化数据组中的一个数据，以及用来读取所述第二模式的所述夹断电压，顺序读取所述第三模式的所述连续变化数据组和响应于所述第四模式的所述存储命令信号而存储的所述连续变化数据组中的所述一个数据，所述电压发生装置按照所述存储和读取装置的输出产生一偏压；场效应晶体管，它具有提供有所述接收信号和所述偏压的栅极、源极和漏极，用来放大在所述第四模式下的接收信号；源极和漏极电路，它与所述场效应晶体管耦合，用来使电流流过所述源极和所述漏极；以及用来从所述场效应晶体管输出经放大的信号的输出装置，所述夹断电压使得所述场效应晶体管处在夹断状态。
5.一种功率放大器，其特征在于，它包含用来接收信号的输入装置；偏压发生电路，它包括响应于表示第一至第四模式的模式信号和存储命令信号的存储和读取装置以及电压发生装置，所述存储和读取装置存储夹断电压数据，存储连续变化数据组，用来响应于所述第一模式的所述存储命令信号存储所述连续变化数据组中的一个数据的地址，以及用来读取所述第二模式的所述夹断电压，顺序读取所述第三模式的所述连续变化数据组和用响应于所述第四模式的所述存储命令信号而存储的所述地址的所述连续变化数据组中的所述一个数据，所述电压发生装置按照所述存储和读取装置的输出产生一偏压；场效应晶体管，它具有提供有所述接收信号和所述偏压的栅极、源极和漏极，用来放大所述第四模式的接收信号；源极和漏极电路，它与所述场效应晶体管耦合，用来使电流流过所述源极和所述漏极；以及用来从所述场效应晶体管输出经放大的信号的输出装置，所述夹断电压使得所述场效应晶体管处在夹断状态下。
6.一种微调包括场效应晶体管和偏压源的功率放大器的方法，其特征在于，它包含下述步骤(a)提供一可变电阻，用来从所述偏压源向所述场效应晶体管的栅极提供一偏压；(b)微调所述可变电阻，使得将所述偏压微调成所述场效应晶体管的夹断电压；(c)测量在步骤(b)中从所述偏压源得到的第一电流；(d)调节所述可变电阻；(e)测量在步骤(d)中从所述偏压源得到的第二电流；(f)计算所述第一和第二电流之间的差值；以及(g)确定所述可变电阻的阻值，使得所述差值处于预定值范围内，以放大输入信号并输出经放大的信号。
7.一种微调包括场效应晶体管和偏压源的功率放大器的方法，其特征在于，它包含下述步骤(a)提供第一可变电阻，用来从所述偏压源向所述场效应晶体管的栅极提供一偏压；(b)提供第二可变电阻，所述第二可变电阻与所述可变电阻并联相连，并处在这样一个状态下，即，所述第一和第二可变电阻向所述场效应晶体管提供一夹断电压；(c)测量从所述偏压源得到的第一电流；(d)使所述第二可变电阻的阻值大大高于所述第一电阻的阻值；(e)测量步骤(d)以后从所述偏压源得到的第二电流；(f)调节所述第一可变电阻；(g)计算所述第一和第二电流之间的差值；以及(h)确定所述第一可变电阻的阻值，使得所述差值处于预定值范围内，以放大输入信号并输出经放大的信号。
8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述第二可变电阻在步骤(b)中提供在一印刷电路板上，并且所述第二可变电阻在步骤(d)中断开。
9.一种微调包括场效应晶体管和偏压源的功率放大器的方法，其特征在于，它包含下述步骤(a)向所述功率放大器电路提供一存储器和一d/a转换器；(b)存储用于夹断电压的第一数据和连续改变栅极偏压的数据组；(c)用从所述存储器、所述d/a转换器和所述偏压源得到的所述数据，向所述场效应晶体管的栅极提供所述夹断电压；(d)测量从所述偏压源得到的第一电流；(e)向所述场效应晶体管的所述栅极提供所述偏压，所述偏压用从所述存储器、所述d/a转换器和所述偏压源得到的所述连续改变的栅极偏压而连续改变；(f)测量在步骤(e)中从所述偏压源得到的第二电流；(g)计算所述第一和第二电流之间的差值；以及(h)按照所述计算的差值确定最终数据，使得所述差值处于一预定值范围内；(i)将所述最终数据存储在所述存储器内；以及(j)按照所述存储的最终数据向所述场效应晶体管的所述栅极提供一最终偏压，以放大输入信号和输出经放大的信号。
10.一种微调包括级联的多级场效应晶体管和偏压源的功率放大器的方法，其特征在于，它包含下述步骤(a)提供可变电阻，用来从所述偏压源向所述多级场效应晶体管的栅极提供偏压；(b)微调所述可变电阻，使得所述多级场效应晶体管处在夹断状态下；(c)测量在所述夹断状态下来自所述偏压源的第一电流；(d)调节所述多级场效应晶体管中一个晶体管的所述一个可变电阻；(e)测量在步骤(d)中来自所述偏压源的第二电流；(f)计算所述第一和第二电流之间的差值；以及(g)确定使所述差值处在每一预定值范围内的所述可变电阻的阻值，其中，以从所述预定值为最小的所述多级场效应晶体管中的所述一个晶体管起为序，对所述场效应晶体管的其他级重复进行步骤(d)至(h)，步骤(f)中的所述差值是所述多级场效应晶体管的其他级中步骤(e)中当前测得的所述第二电流和步骤(e)中先前测得的所述第二电流之间的差值。
全文摘要
本发明提供了一种性能优越的包括FET和具有可变电阻的栅极偏置电路的功率放大器和微调功率放大器中可变电阻的方法。功率放大器包括输入装置、偏压发生电路、场效应晶体管、源极和漏极电路、输出装置。方法包括提供可变电阻、微调可变电阻、测量第一电流、测量第二电流、计算第一和第二电流的差值以及确定可变电阻的阻值。
文档编号H03F3/193GK1201294SQ9810843
公开日1998年12月9日 申请日期1998年5月15日 优先权日1997年5月16日
发明者市川洋平 申请人:松下电器产业株式会社