专利名称：寻呼机用低插损声表面波滤波器的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种用于寻呼机的滤波器，特别是指一种寻呼机用低插损声表面波滤波器。
现有技术的寻呼机155MHz用声表面波射频滤波器(如
图1所示)中有一部分采用叉指叉指低插损结构，如日本声表面波技术(村田公司产品)，插入损耗在3.5到6.5dB，波纹在2dB左右，输入阻抗为高阻，且需抗性元件调谐。利用图1所示的采用叉指叉指低插损结构制成的寻呼机155MHz用声表面波射频滤波器，其幅频响应曲线如图2所示，图2所示曲线显示了该寻呼机155MHz用声表面波射频滤波器的缺点有通带波纹大、带内插入损耗大和带外抑制差以及其输入、输出阻抗高，需要外加调谐匹配元件。
本发明的目的在于，提供一种寻呼机用低插损声表面波滤波器，其可以克服上述缺点，进一步降低滤波器的插入损耗，从而有效地降低系统的功耗；减小带内波纹，提高带外抑制，并使器件阻抗为50欧姆纯阻，不需要外部的调谐匹配，从而提高系统的稳定可靠性。
本发明寻呼机用低插损声表面波滤波器，其特征在于，其中它在压电基片上包括有两个或多个双模(一次模和三次模)纵向耦合谐振结构，基片材料为Y切，41°旋转X传播铌酸理(LiNbO3)，其中反射栅的栅条宽度小于四分之一波长，压电基片粘接在管座上，输入或输出电极是通过引线与管脚相连接。
其中所说的反射栅阵的栅条的宽度为八分之一波长，或者大于八分之一波长但小于四分之一波长。
其中所说的双模纵向耦合谐振结构采用3％波长-4％波长的厚膜。
为进一步说明本发明的特征和所能达成的功效，以下结合附图对本发明作进一步的详细描述，其中
图1为叉指叉指结构的芯片结构示意图；图2是叉指叉指结构所实现的寻呼机155MHz用声表面波滤波器的幅频响应曲线；图3为本发明实施例的局部剖面结构示意图；图4为图3中的芯片结构示意图；图5为图4实施例的幅频响应曲线。
本发明寻呼机用低插损声表面波滤波器如图3所示，它是用于寻呼机的155MHz低插损声表面波射频滤波器实施例结构示意图。其中声表面波滤波器芯片2粘接在管座1上，输入或输出电极通过引线3与管脚4相连。
图4是图3实施例中芯片2的结构示意图。其中芯片2是由41°LiNbO3基片5上的两个双模纵向耦合谐振结构6组成。每个双模纵向耦合谐振结构6由反射栅7和换能器8组成。反射栅条7的宽度为λ/8(λ为波长)，它和相邻栅条之间的间隔为3λ/8，反射栅7栅条的数量为55根；换能器8栅条的宽度为λ/4，换能器8的数量分别为6对，9对，6对。膜厚为12000。
图5为图4中实施例的幅频响应曲线，从图中可以看出，1dB带宽约10MHz-10.7MHz，典型器件插入损耗2.1dB，带内波动小于0.7dB。
本实用新型其特点在于反射栅的反射信号来自于力学负载的贡献和压电短路效应的贡献之和。力学负载的贡献随着膜厚的增加而增加，我们采用3％λ-4％λ的厚膜，使力学负载的贡献较大而不至于有很大的损耗；同时反射栅阵的栅条的宽度为λ/8，压电短路效应的贡献达到最大，从而使滤波器在很宽的带宽(7％)内的插入损耗很小。
权利要求
1.一种寻呼机用低插损声表面波滤波器，其特征在于，其中它在压电基片上包括有两个或多个双模(一次模和三次模)纵向耦合谐振结构，基片材料为Y切，41°旋转X传播铌酸理(LiNbO3)，其中反射栅的栅条宽度小于四分之一波长，压电基片粘接在管座上，输入或输出电极是通过引线与管脚相连接。
2.按照权利要求1所说的寻呼机用低插损声表面波滤波器，其特征在于，其中所说的反射栅阵的栅条的宽度为八分之一波长，或者大于八分之一波长但小于四分之一波长。
3.按照权利要求1所说的寻呼机用低插损声表面波滤波器，其特征在于，其中所说的双模纵向耦合谐振结构采用3％波长-4％波长的厚膜。
全文摘要
本发明涉及应用声学中的一种可应用于寻呼机的声表面波低插损滤波器,包括有两个或多个双模(一次模和三次模)纵向耦合谐振结构,基片材料为Y切,41°旋转X传播铌酸锂(LiNb03),其中反射栅的栅条宽度小于四分之一波长,压电基片粘接在管座上,输入或输出电极是通过引线与管脚相连接,在八分之一至四分之一波长之间,从而获得更大的反射;本发明在相对大的带宽内获得低插损。
文档编号H03H9/64GK1274198SQ99107330
公开日2000年11月22日 申请日期1999年5月14日 优先权日1999年5月14日
发明者何世堂, 许钊庚, 汪承灏 申请人:中国科学院声学研究所