】
[0038]图1是现有技术中自动曝光控制系统的结构示意图；
[0039]图2是本发明自动曝光控制系统实施例一的结构示意图；
[0040]图3是图2中校正单元的第一种实现方式的结构示意图；
[0041]图4是图2中校正单元的第二种实现方式的结构示意图；
[0042]图5是图2中校正单元的第三种实现方式的结构示意图；
[0043]图6是本发明自动曝光控制系统实施例二的结构示意图；
[0044]图7是本发明自动曝光控制系统实施例三的结构示意图。
【具体实施方式】
[0045]现有技术中，每次曝光形成的图像的平均灰度可能会偏离最优的平均灰度，从而影响图像的质量，或者图像的平均灰度虽然没有偏离最优的平均灰度，但是这种平均灰度的图像并不符合需求，即现有技术的自动曝光控制系统形成的图像的质量不是非常理想。
[0046]本发明提供的自动曝光控制系统通过增加校正单元可以更加精确的控制曝光时间和曝光剂量，并且还可以通过校正单元自适应的调整自动曝光阈值对应的平均灰度，从而获得理想的图像质量。
[0047]为使本发明的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施例做详细的说明。
[0048]实施例一
[0049]电离室是用于探测球管发射的射线的探测器，通常具有左、中、右三个场，在实际应用中，可以对电离室的各个场进行单独选择或者组合选择。
[0050]电离室的左、中、右三个场处于X射线野内的不同位置，X射线野内的能量分布是不均匀的，通常电离室的中场内X射线的能量最大，电离室的左场和右场内的X射线能量较小。现有技术中，电离室会基于所选择的场的不同产生不同的检测结果。
[0051]例如，假设Tl时刻，左场、中场和右场内的X射线的剂量分别为A Gy(Gray，格雷)、B Gy 和 A Gy，其中 A〈B。
[0052]第一种场选择:选择左中右三个场,Tl时刻电离室检测的X射线的剂量为(A+B+A)/3Gy=(2A+B)/3,电离室输出的检测信号为alV。
[0053]第二种场选择:仅选择左场，Tl时刻电离室检测的X射线的剂量为A Gy ；电离室输出的检测信号为a2V。由于A〈B，(2A+B)/3>AHa2〈al。
[0054]再假设自动曝光控制阈值为alV ;那么可知:第一种场选择在Tl时刻即停止曝光；而第二种场选择在Tl时刻未达到所述自动曝光控制阈值aiv，因此，将继续曝光，直至达到预设值才会停止曝光。然而，实际上，在进行第二种场选择并最终停止曝光时，所述电离室的三个场内的X射线剂量已经超出图像的最佳平均灰度所对应的剂量。因此，也就导致了曝光形成的图像的平均灰度与最佳平均灰度之间出现偏差。
[0055]鉴于上述原因，本发明提供了一种包含校正单元的自动曝光控制系统，所述校正单元可以根据高压控制器发送的不同的场选择信号选择出不同的增益系数以对电离室发送的检测信号进行校正。经过校正避免了由于电离室的场选择不同而导致曝光形成的图像的平均灰度出现偏差的问题。
[0056]图2示出了本发明自动曝光控制系统实施例一的结构示意图。参考图2，所述自动曝光控制系统可以包括:高压控制器100、电离室200、校正单元300和高压发生器400。
[0057]所述高压控制器100，适于发送场选择信号和自动曝光控制阈值；
[0058]所述电离室200，连接所述高压控制器100，适于接收所述场选择信号，并将检测到的与所述场选择信号对应的场内的射线剂量转换成电压值以形成检测信号；
[0059]所述校正单元300，连接所述高压控制器100和所述电离室200，适于接收所述场选择信号或/和自动曝光控制阈值，选择与接收到的所述场选择信号或/和自动曝光控制阈值相对应的增益系数以对所述电离室200发送的检测信号进行校正，并将校正结果发送至高压发生器400 ；
[0060]所述高压发生器400连接所述高压控制器100，适于接收所述自动曝光控制阈值，并在所述校正单元300发送的校正结果等于所述自动曝光控制阈值时停止发送控制信号。[0061 ] 另外，所述自动曝光控制系统还可以包括与所述高压发生器400相连的球管500。所述高压发生器400发送的控制信号包括用于控制所述球管500发射射线的电压信号和电流信号，当所述高压发生器400接收到的校正结果等于自动曝光控制阈值时，高压发生器400停止加载电压信号和电流信号给球管500，球管500停止发射射线。
[0062]在实际应用中，所述高压发生器400还适于在所述高压控制器100的控制下发送所述控制信号(即用于控制所述球管500发射射线的电压信号和电流信号)，所述球管500基于所述控制信号开始放线。所述球管500启动发射射线的过程与现有技术中的启动过程相类似，在此不再赘述。
[0063]图3是图2所示校正单元的第一种实现方式的结构示意图。具体地，参考图3，所述校正单元300可以包括:第一调取单元301、第一存储单元302和第一处理单元303。所述校正单元300适于接收所述高压控制器100发送的场选择信号，根据接收到的场选择信号确定与所述场选择信号对应的场组合方式，并根据确定的场组合方式选择相应的场平衡增益系数以对所述电离室200发送的检测信号进行校正。
[0064]具体地，所述第一存储单元302，适于将场组合方式与场平衡增益系数一一对应存储。
[0065]所述场组合方式指的是电离室200的场组合方式，在实际应用中，会根据实际需求选择对电离室200的左、中、右三个场进行单独选择，或者组合选择。所述场组合方式即是指对电离室200的三个场的不同选择方式，如仅选择左场、仅选择中场或者仅选择右场等；再如左场和中场的组合，中场和右场的组合，左场和右场的组合以及左场、中场和右场的组合等等。
[0066]另外，由于对电离室200的场的选择不同会导致所述电离室200获得的检测信号的不同，因此，与不同场组合方式相对应的各个场平衡增益系数也不尽相同。在实际应用中，可以根据应用场景和实际需求设置合理的场平衡增益系数以实现对电离室200的场平衡校正。
[0067]具体地，各个场平衡增益系数可以通过以下方式获得:在球管500和电离室200之间放置一定厚度的衰减体模，即球管500发射的X射线穿过所述衰减体模后照射到电离室200上；选择电离室200的中场进行检测以获得与图像的预设灰度对应的第一检测信号；选择电离室200的左场进行检测以获得与图像的预设灰度对应的第二检测信号；将所述第一检测信号的电压值除以所述第二检测信号的电压值即得出了对应于“左场”的场组合方式的场平衡增益系数。
[0068]类似地，选择电离室200的右场进行检测以获得与图像的预设灰度对应的第三检测信号；将所述第一检测信号的电压值除以所述第三检测信号的电压值即得出了对应于“右场”的场组合方式的场平衡增益系数。以此类推，再分别对电离室200做其他的场组合方式的选择并分别得出对应于场组合方式的检测信号；将所述第一检测信号的电压值与各个场组合方式对应的检测信号的电压值相除得出对应于各种场组合方式的场平衡增益系数。
[0069]当然，在其他实施例中，还可以根据其他方式获得与场组合方式对应的场平衡增益系数，本发明对此不做限制。
[0070]继续参考图3，所述第一调取单元301连接所述高压控制器100，适于接收所述高压控制器100发送的场选择信号、根据所述场选择信号确定场组合方式，并根据确定的场组合方式从所述第一存储单元302中调取相应的场平衡增益系数。
[0071]所述第一处理单元303，连接所述第一调取单元301和电离室200，适于将所述电离室200发送的检测信号的电压值与所述第一调取单元301调取的场平衡增益系数相乘以得出校正结果。
[0072]所述校正结果被发送至所述高压