氧化硅))中的前侧560(隔离层(例如，344)、阱(例如，502、504、506、508)、接触注入(例如，510、512、514、516、518、520、522)和前侧金属化(例如，524、526、528、530、532、534、536、538)之后，晶片衬底302、402可被放置在玻璃载体系统上并且被磨削成DTI 344，并且氧化物542可被沉积在背侧562上，并且氧化物524可被结构化。在此之后，金属化层可被加工并被结构化。该金属化层可形成用于电路或部件的电压供应的垫342，还可以充当连向各LED 310,410的相互连接表面338，其可被放置在顶部并且可由垂直(ρηρ或ηρη)晶体管312、412电力地驱动。
[0061]图6示出了依照各种实施例的LED子矩阵102、304和驱动衬底302、402的对应部分，其中LED子矩阵102、304和驱动衬底302、402以对准的方式被放置在一起。在各种实施例中，考虑到产量及其可测试性，LED子矩阵102、304的大小可被优化。
[0062]LED 310和驱动衬底302、402之间的相互连接已在上文中进行描述，并且在下文中，具有网格的驱动衬底302、402的连接将参考图7被提出。
[0063]图7示出了依照各种实施例的组件700，组件700包括如图6所示的被装配在载体702上的多个LED子矩阵102、304和驱动衬底302、402的对应部分。
[0064]如图7所示，多个LED子矩阵102、304和驱动衬底302、402的对应部分可被装配在载体702上。载体702可包括网格，该网格可由印刷电路板(PCB)材料或陶瓷和/或半导体材料等制成。该载体可包括多个导电带704和接触焊盘706，该接触焊盘706与多个导电带704导电地耦接并且通过相同的导电带与驱动衬底302、402耦接。此外，一个或多个芯片708、710可被提供，例如通过线键合(未示出)与接触焊盘706电耦接。例如，该芯片708、710可被配置为控制器(例如，微控制器和/或数字信号处理器(DSP))和/或电源供应器(比如，AC/DC转换器或DC/DC转换器(例如，DC/DC降压转换器))，该电源供应器可被配置为将输入电压转换成所需电压供应给整个LED矩阵100或LED矩阵100的部分(例如，一个或多个LED子矩阵102)。在各种实施例中，控制器可被配置，以将所需要的调制参数施加给每个LED 310。该调制参数可以是例如占空比、脉冲密度、ton (LED被启用期间的时间段)、^(LED被停用期间的时间段)、平均电流等。
[0065]图8示出了说明制造设备的方法800的流程图。
[0066]方法800可包括，在步骤802中，提供具有第一侧和与第一侧相对的第二侧的衬底，在步骤804中，在该衬底的第一侧形成多个驱动电路，其中该多个驱动电路中的每个驱动电路被配置为使电流从该衬底的第一侧流向该衬底的第二侧，以及在步骤806中，在该衬底的第二侧形成至少一个负载接口，其中该至少一个负载接口被配置为将来自该多个驱动电路的电流耦接至位于该衬底的第二侧的多个负载。
[0067]图9示出了方法900的流程图。方法900包括，在步骤902中通过埋置在衬底的第一侧中的多个驱动电路，使得电流从衬底的第一侧流向与该衬底的第一侧相对的该衬底的第二侧，以及在步骤904中，通过位于该衬底的第二侧的至少一个负载接口，将来自该多个驱动电路的电流电耦接至位于该衬底的第二侧的多个负载。
[0068]在各种实施例中，说明性地，半导体技术被提供，其实现LED像素驱动，其中:
[0069]NXM隔离的独立的LED驱动器可被单片地集成在相同裸片上，例如相同的半导体裸片(N和M是任意整数值)；
[0070]示例1:关于标准的结隔离半导体的体微加工(Bulk Micromachining)技术(例如参考图2A至图2D所描述的);
[0071]示例2:倒装SOI技术或沟槽上的倒装SOI隔离技术(例如参考图3A和图4A所描述的)。
[0072]在各种实施例中，受控的LED垂直地从驱动器经过衬底流向LED。
[0073]相互连接可例如通过在半导体裸片的两侧的球形栅格阵列(BGA)技术成为可能。
[0074]网格技术被提供在各种实施例中，该网格技术包括访问每个单个LED必要的布线并且包括聚集LED像素驱动器和其他电子部件的垫。用于网格的实施的示例是FR4衬底或陶瓷衬底或原娃(raw silicon)衬底,其中仅金属化复合物被实施。
[0075]在各种实施例中，夹层结构被提供为具有下面的子结构，从夹层结构的顶部开始:
[0076]NXM LED 子矩阵:
[0077]单个LED像素应在底侧上具有至少一个电极，以实现与后来的层的相互连接。
[0078]NXM LED 子驱动器:
[0079]驱动器与衬底被放置在顶部(例如，在衬底202的第一侧204上)。每个驱动器应当与各自对应(co-respective)的LED像素接触。聚集电路的底侧和所经过的设备的一侧可具有相互连接焊盘，其实现与夹层结构的最后的层的相互连接。
[0080]在各种实施例中，一种设备被提供。该设备包括具有第一侧和与该第一侧相对的第二侧的衬底，该衬底包括位于该衬底的第一侧的多个驱动电路，其中该多个驱动电路中的每个驱动电路被配置为将电流从该衬底的第一侧驱动至该衬底的第二侧；以及位于该衬底的第二侧的至少一个负载接口，其中该至少一个负载接口被配置为，将来自该多个驱动电路的电流耦接至位于该衬底的第二侧的多个负载。
[0081]在各种实施例中，该多个驱动电路可在该衬底的第一侧被埋置衬底之内。此外，该至少一个负载接口可在该衬底的第二侧被埋置衬底之内。该多个负载可通过该至少一个负载接口被埋置在衬底的第二侧之内。该至少一个负载接口可包括位于该衬底的第二侧的多个凹槽；其中该多个凹槽中的每个凹槽可被配置为接收该多个负载中的至少一个负载。在各种实施例中，多个负载中的至少一个负载包括发光二极管。多个负载可包括发光二极管的矩阵。多个驱动电路可例如通过被提供在衬底中的隔离沟槽，在横穿衬底的第一表面的横向方向上彼此电隔离。多个驱动电路可通过至少一个沟槽在衬底中彼此电隔离。该至少一个沟槽可穿过衬底从该衬底的第一侧延伸至该衬底的第二侧。在各种实施例中，该衬底可包括半导体裸片。多个驱动电路中的至少一个可包括垂直晶体管。该设备可进一步包括被集成在该衬底中的至少一个控制器，以控制该多个驱动电路。该至少一个控制器可包括被集成在该衬底中的多个控制器，其中每个控制器可被配置，以控制该多个控制电路中的至少一个控制电路。该设备可进一步包括导电连接结构，该导电连接结构位于该衬底的第一侧并被电连接至该多个驱动电路，其中该导电连接结构可以是从该衬底的第一侧可电耦接的。该导电连接结构可包括位于该衬底的第一侧的多个接触焊盘。在各种实施例中，该衬底包括至少第一半导体裸片和第二半导体裸片；并且该多个驱动电路可被埋置在该第一半导体裸片之内，并且该至少一个负载接口可被埋置在该第二半导体裸片之内。该第一半导体裸片可包括第一侧和第二侧，并且该多个驱动电路可被埋置在该第一半导体裸片的第一侧之内；该第二半导体裸片可具有第一侧和第二侧，并且该至少一个负载接口可被埋置在该第二半导体裸片的第二侧之内；以及该多个驱动电路可通过至少一个导电体被电耦接至该至少一个负载接口，该至少一个导电体在第一半导体裸片的第二侧和第二半导体裸片的第一侧之间。该至少一个负载可被配置，通过测试模块被耦接，其中该衬底模块被配置为基于从该多个驱动电路被耦接至位于该衬底的第二侧的多个负载的电流，通过该至少一个负载接口测试该多个负载中的至少一个。该多个负载可包括多个LED元件，并且该测试模块可被配置为通过该至少一个负载接口传输该多个LED元件。此外，该测试模块可被配置为测试多个LED元件，以确定该LED是否运行。在各种实施例中，该测试模块可被配置为测试该多个LED元件的，以确定由各LED元件发射的光的光强度。此外，该测试模块可被配置为测试该多个LED元件的，以确定由各LED元件发射的光的光颜色。此外，该测试模块可被配置为测试该多个LED元件的，以确定由各LED元件发射的光的光通量。可替换地或额外地，该测试模块可被配置为测试该多个LED元件的，以确定由各LED元件发射的光的方向性。可替换地或额外地，该测试模块可被配置为测试该多个LED元件的，以确定由各LED元件的